2 дюйм 50.8 mm kremniý karbidi SiC waferleri bilen lehimlenen Si N-tipli önümçilik barlaglary we nusgalyk dereje
2 dýuýmly 4H-N lehimlenmemiş SiC waferleri üçin parametrik kriteriýalar şu aşakdakylary öz içine alýar
Substrat materialy: 4H kremniý karbidi (4H-SiC)
Kristal gurluşy: tetraheksaedr (4H)
Doping: Dopingsiz (4H-N)
Ölçegi: 2 dýuým
Geçirijilik görnüşi: N-tip (n-goşulgy)
Geçirijilik: Ýarymgeçiriji
Bazaryň geljegi: 4H-N lehimlenmedik SiC waferleriniň ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes geçirijilik ýitgisi, ajaýyp ýokary temperatura garşylygy we ýokary mehaniki durnuklylyk ýaly köp artykmaçlyklary bar we şonuň üçin elektrik elektronikasynda we RF ulanylyşlarynda giň bazar geljegine eýedir. Gaýtadan dikeldilýän energiýanyň, elektrik ulaglarynyň we aragatnaşygyň ösmegi bilen ýokary netijeliligi, ýokary temperatura işlemegi we ýokary kuwwatlylyga çydamlylygy bolan enjamlara isleg artýar, bu bolsa 4H-N lehimlenmedik SiC waferleri üçin has giň bazar mümkinçiligini döredýär.
Ulanylyşy: 2 dýuýmlyk 4H-N lehimlenmedik SiC waferleri dürli güýç elektronikasyny we RF enjamlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner, şol sanda, ýöne diňe şular bilen çäklenmän:
1--4H-SiC MOSFET-leri: Ýokary kuwwatly/ýokary temperatura ulgamlary üçin metal oksid ýarymgeçiriji meýdan täsirli tranzistorlar. Bu enjamlar ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin pes geçirijilik we kommutasiýa ýitgilerine eýedir.
2--4H-SiC JFET-leri: RF güýç güýçlendirijisi we kommutasiýa ulgamlary üçin birikdiriji FET-ler. Bu enjamlar ýokary ýygylykly öndürijiligi we ýokary termal durnuklylygy üpjün edýär.
3--4H-SiC Şottki diodlary: Ýokary kuwwatly, ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin diodlar. Bu enjamlar pes geçirijilik we kommutasiýa ýitgileri bilen ýokary netijeliligi üpjün edýär.
4--4H-SiC Optoelektronik Enjamlar: Ýokary kuwwatly lazer diodlary, UV detektorlary we optoelektronik integral mikrosxemalar ýaly ugurlarda ulanylýan enjamlar. Bu enjamlar ýokary kuwwatly we ýygylykly häsiýetlere eýedir.
Gysgaça aýdylanda, 2 dýuýmlyk 4H-N lehimlenmedik SiC plitalary, esasanam elektrik elektronikasynda we RF-de dürli maksatlar üçin mümkinçilik döredýär. Olaryň ýokary öndürijiligi we ýokary temperatura durnuklylygy olary ýokary öndürijilikli, ýokary temperaturaly we ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin däp bolan kremniý materiallarynyň ornuny tutmaga güýçli bäsdeş edýär.
Jikme-jik diagramma
