2inch 50,8mm Silikon Karbid SiC Wafers D N görnüşli görnüşli gözleg we Dummy derejesi

2inch 50,8mm Silikon Karbid SiC Wafers D N görnüşli görnüşli önümçilik gözlegleri we Dummy derejeli aýratyn surat

Gysga düşündiriş:

Şanhaý Sinkehui Tehniki. Co., Ltd ýokary hilli kremniy karbid wafli we N-we ýarym izolýasiýa görnüşli alty dýuýma çenli substratlar üçin iň gowy saýlamany we bahalary hödürleýär. Kiçi we uly ýarymgeçiriji enjam kompaniýalary we gözleg laboratoriýalary dünýäde silikon karbid wafli ulanýarlar we bil baglaýarlar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

2 dýuým 4H-N açylmadyk SiC wafli üçin parametriki ölçegler bar

Substrat material: 4H kremniy karbid (4H-SiC)

Kristal gurluşy: tetraheksedral (4H)

Doping: Açylmadyk (4H-N)

Ölçegi: 2 dýuým

Geçirijilik görnüşi: N görnüşli (n-doped)

Geçirijilik: icarymgeçiriji

Bazar perspektiwasy: 4H-N dopirlenmedik SiC wafli ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes geçirijilik ýitgisi, ýokary temperatura garşylygy we ýokary mehaniki durnuklylygy ýaly köp artykmaçlyga eýedir we şeýlelik bilen elektrik elektronikasynda we RF programmalarynda giň dünýägaraýyşa eýe. Gaýtadan dikeldilýän energiýanyň, elektrik ulaglarynyň we aragatnaşygyň ösmegi bilen, 4H-N dopirlenmedik SiC wafli üçin has giň bazar mümkinçiligini berýän ýokary netijelilik, ýokary temperatura işleýşi we ýokary kuwwata çydamlylygy bolan enjamlara isleg artýar.

Ulanylyşy: 2 dýuým 4H-N dopirlenmedik SiC wafli dürli güýç elektronikasyny we RF enjamlaryny ýasamak üçin ulanylyp bilner, şol sanda:

1--4H-SiC MOSFETs: powerokary kuwwatly / ýokary temperaturaly programmalar üçin metal oksidi ýarymgeçiriji meýdan effekt tranzistorlary. Bu enjamlar has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün etmek üçin pes geçirijilik we kommutasiýa ýitgilerine eýe.

2--4H-SiC JFETs: RF güýçlendiriji we kommutasiýa programmalary üçin birleşme FET. Bu enjamlar ýokary ýygylykly öndürijiligi we ýokary ýylylyk durnuklylygyny hödürleýär.

3--4H-SiC Şottki diodlary: powerokary güýç, ýokary temperatura, ýokary ýygylykly programmalar üçin diodlar. Bu enjamlar pes geçirijilik we kommutasiýa ýitgileri bilen ýokary netijeliligi hödürleýär.

4--4H-SiC Optoelektron enjamlary: powerokary kuwwatly lazer diodlary, UV detektorlary we optoelektron integral zynjyrlar ýaly ýerlerde ulanylýan enjamlar. Bu enjamlar ýokary güýç we ýygylyk aýratynlyklaryna eýedir.

Gysgaça aýtsak, 2 dýuým 4H-N dopirlenmedik SiC wafli, esasanam elektrik elektronikasynda we RF-da köp sanly programma üçin potensiala eýe. Iň ýokary öndürijiligi we ýokary temperatura durnuklylygy, ýokary öndürijilikli, ýokary temperaturaly we ýokary güýçli programmalar üçin adaty kremniy materiallaryny çalyşmak üçin güýçli bäsdeş bolýar.