200mm SiC substrat dummy 4H-N 8inch SiC wafli

Gysga düşündiriş:

Diametri 8 dýuým (takmynan 200 mm) bolan kremniy karbid substraty.Silikon karbid (SiC) substraty güýç enjamlary we optoelektron enjamlary öndürmek üçin möhüm materialdyr.8 dýuýmlyk SiC substratlary, adatça güýçli MOSFET, güýç diodlary we beýleki ýokary öndürijilikli güýç enjamlary ýaly ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmek üçin ulanylýar.Bu uly göwrümli substrat önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyryp, önümçilik çykdajylaryny azaldyp we has güýçli enjamlaryň öndürilmegine kömek edip biler.Silikon karbid materialy ajaýyp ýylylyk geçirijiligine, ýokary temperatura garşylyga we radiasiýa garşylygyna eýe bolup, ýokary öndürijilikli enjamlar öndürmek üçin iň amatly saýlama bolýar.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

8 dýuýmlyk SiC substrat önümçiliginiň tehniki kynçylyklary şulary öz içine alýar:

1.Hrustal ösüş: Uly diametrlerde kremniy karbidiň ýokary hilli ýeke hrustal ösmegine ýetmek, kemçiliklere we hapalara gözegçilik etmek sebäpli kyn bolup biler.

2.Wafer gaýtadan işlemek: 8 dýuým wafli has uly ululygy, pol ýuwmak, efirlemek we doping ýaly wafli gaýtadan işlemekde birmeňzeşlik we kemçiliklere gözegçilik etmek meselesinde kynçylyklary döredýär.

3.Material birmeňzeşlik: 8 dýuýmlyk SiC substratynyň üstünde yzygiderli material aýratynlyklaryny we birmeňzeşligini üpjün etmek tehniki taýdan talap edýär we önümçilik döwründe takyk gözegçiligi talap edýär.

4. Bahasy: materialokary material hilini we hasyllylygyny saklamak bilen 8 dýuým SiC substratlaryny ulaltmak önümçilik prosesleriniň çylşyrymlylygy we bahasy sebäpli ykdysady taýdan kyn bolup biler.

5. Bu tehniki kynçylyklary çözmek, ýokary öndürijilikli we optoelektron enjamlarynda 8 dýuýmlyk SiC substratlarynyň giňden kabul edilmegi üçin möhümdir.

Tankeblue ýaly Hytaýyň birinji eksport SiC zawodlaryndan sapfir substratlary bilen üpjün edýäris.10 ýyldan gowrak edara bize zawod bilen ýakyn gatnaşyk saklamaga mümkinçilik berdi.Iň oňat bahany we bahany hödürlemek bilen uzak möhletli we durnukly üpjün etmek üçin size zerur 6inch we 8inchSiC substratlary bilen üpjün edip bileris.

Tankeblue, üçünji nesil ýarymgeçiriji kremniy karbid (SiC) çiplerini öndürmekde, öndürmekde we satmakda ýöriteleşen ýokary tehnologiýaly kärhana.Bu kompaniýa, SiC wafli öndürijileriniň dünýäde öňdebaryjylaryndan biridir.