English

200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer

200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer Görkezilen surat
  • 200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer
  • 200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer
  • 200 mm SiC substrat maket 4H-N 8inç SiC wafer

Gysgaça düşündiriş:

Diametri 8 dýuým (takmynan 200 mm) bolan kremniý karbid substraty. Kremniý karbidi (SiC) substraty güýç enjamlary we optoelektron enjamlary öndürmek üçin möhüm materialdyr. 8 dýuýmlyk SiC substratlary, adatça, güýç MOSFET-leri, güýç diodlary we beýleki ýokary öndürijilikli güýç enjamlary ýaly ýokary kuwwatly elektron enjamlary öndürmek üçin ulanylýar. Bu uly ölçegli substrat önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyryp, önümçilik çykdajylaryny azaldyp we has güýçli enjamlary öndürmäge mümkinçilik berip biler. Kremniý karbid materialy ajaýyp ýylylyk geçirijiligine, ýokary temperatura garşylygyna we radiasiýa garşylygyna eýedir, bu bolsa ony ýokary öndürijilikli güýç enjamlary öndürmek üçin ideal saýlaw edýär.


Aýratynlyklar

8 dýuýmlyk SiC substrat önümçiliginiň tehniki kynçylyklary aşakdakylary öz içine alýar:

1. Kristal ösüşi: Kremniý karbidiniň uly diametrlerde ýokary hilli monokristal ösüşini gazanmak kemçilikleriň we hapaçylyklaryň gözegçiligi sebäpli kyn bolup biler.

2. Waferi gaýtadan işlemek: 8 dýuýmlyk waferleriň has uly ölçegleri waferi gaýtadan işlemek wagtynda birmeňzeşlik we kemçilikleriň gözegçiligi babatda kynçylyklary döredýär, mysal üçin, jylamak, aşyndyrmak we lehimlemek.

3. Materiallaryň birmeňzeşligi: 8 dýuýmlyk SiC substratynyň tutuş böleginde yzygiderli material häsiýetlerini we birmeňzeşligini üpjün etmek tehniki taýdan kyn we önümçilik prosesinde takyk gözegçiligi talap edýär.

4. Bahasy: Ýokary material hilini we hasyllylygyny saklap galmak bilen, 8 dýuýmlyk SiC substratlaryny ölçeklendirmek önümçilik prosesleriniň çylşyrymlylygy we gymmaty sebäpli ykdysady taýdan kyn bolup biler.

5. Bu tehniki kynçylyklary çözmek, ýokary öndürijilikli energiýa we optoelektron enjamlarda 8 dýuýmlyk SiC substratlarynyň giňden ulanylmagy üçin örän möhümdir.

Biz sapfir substratlaryny Hytaýyň Tankeblue ýaly birinji derejeli eksport SiC zawodlaryndan üpjün edýäris. 10 ýyldan gowrak iş tejribesi bize zawod bilen ýakyn gatnaşyklary saklamaga mümkinçilik berdi. Size uzak möhletli we durnukly üpjünçilik üçin gerek bolan 6 dýuým we 8 dýuým SiC substratlaryny iň gowy baha we amatly bahadan hödürläp bileris.

“Tankeblue” üçünji nesil ýarymgeçiriji kremniý karbidi (SiC) çipleriniň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşen ýokary tehnologiýaly kärhanadyr. Kompaniýa SiC waflileriniň dünýäde öňdebaryjy öndürijileriniň biridir.

Jikme-jik diagramma

asd (1)
asd (2)
  • Öňki:
  • Indiki:

    • Baglanyşykly önümler

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň
    Gözlemek üçin Enter düwmesine basyň ýa-da ýapmak üçin ESC düwmesine basyň