12 dýuým SiC Substrate N görnüşi Uly göwrümli ýokary öndürijilikli RF programmalary

Gysga düşündiriş:

12 dýuýmlyk SiC substraty, ýarymgeçiriji materiallar tehnologiýasynda düýpli ösüşi görkezýär, elektrik elektronikasy we ýokary ýygylykly programmalar üçin üýtgeşik peýdalary hödürleýär. Senagatda iň uly söwda üçin elýeterli kremniy karbid wafli formaty hökmünde 12 dýuýmlyk SiC substraty, giň zolakly aýratynlyklaryň we aýratyn ýylylyk aýratynlyklarynyň materialyň artykmaçlyklaryny saklamak bilen, görlüp-eşidilmedik derejede ykdysadyýete mümkinçilik berýär. Adaty 6 dýuým ýa-da has kiçi SiC wafli bilen deňeşdirilende, 12 dýuýmlyk platforma her bir wafli üçin 300% -den gowrak ulanyp boljak ýer berýär, ölü öndürijiligini ep-esli ýokarlandyrýar we elektrik enjamlary üçin önümçilik çykdajylaryny azaldýar. Bu ululykdaky geçiş, kremniý wafleriň taryhy ewolýusiýasyny görkezýär, bu ýerde her diametriň ýokarlanmagy ep-esli azaldy we öndürijilik gowulaşdy. 12 dýuýmlyk SiC substratyň has ýokary ýylylyk geçirijiligi (kremniniň takmynan 3 ×) we ýokary kritiki bölüniş meýdançasynyň güýji ony has ykjam we täsirli güýç modullaryny üpjün edýän indiki nesil 800V elektrik ulag ulgamlary üçin aýratyn gymmatly edýär. 5G infrastrukturasynda materialyň ýokary elektron doýma tizligi RF enjamlaryna pes ýitgiler bilen has ýokary ýygylyklarda işlemäge mümkinçilik berýär. Substratyň üýtgedilen kremnini öndürýän enjamlar bilen utgaşmagy, bar bolan fablar tarapyndan has oňat kabul edilmegini hem aňsatlaşdyrýar, ýöne SiC-iň aşa berkligi sebäpli ýöriteleşdirilen işlemek zerur (9.5 Mohs). Önümçiligiň mukdary artdygyça, 12 dýuýmlyk SiC substraty, awtoulag, gaýtadan dikeldilýän energiýa we senagat kuwwat öwrüliş ulgamlary boýunça täzelikleri herekete getirip, ýokary kuwwatly goşundylar üçin senagat standartyna öwrüler.

Bize e-poçta iberiň

Önümiň jikme-jigi

Haryt bellikleri

Tehniki parametrler

12 dýuým kremniy karbid (SiC) substrat spesifikasiýasy
Baha		ZeroMPD Önümçiligi Bahasy (Z derejesi)	Standart önümçilik Bahasy (P Grade)		Dummy Grade (D synp)
Diametri		3 0 0 mm ~ 1305mm
Galyňlyk	4H-N	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
	4H-SI	750μm ± 15 μm	750μm ± 25 μm
Wafer ugry		Öçürilen ok: 4H-N üçin 4.0 ° <1120> ± 0,5 °, Okda: <0001> ± 0,5 ° 4H-SI üçin
Mikrop turbanyň dykyzlygy	4H-N	≤0.4cm-2	C4cm-2		C25cm-2
	4H-SI	C5cm-2	C10cm-2		C25cm-2
Çydamlylyk	4H-N	0.015 ~ 0.024 Ω · sm			0.015 ~ 0.028 Ω · sm
	4H-SI	≥1E10 Ω · sm			≥1E5 Ω · sm
Esasy kwartira		{10-10} .0 5.0 °
Esasy tekizlik uzynlygy	4H-N	N / A.
	4H-SI	Notch
Gyradan çykarmak		3 mm
LTV / TTV / Bow / Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Gödeklik		Polýak Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar ýarylýar Intokary intensiwlik bilen alty plastinka Intokary intensiwlik bilen polip görnüşleri Wizual uglerod goşulmalary Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü çyzgylary		Hiç Toplum meýdany ≤0.05% Hiç Toplum meýdany ≤0.05% Hiç			Jemi uzynlygy ≤ 20 mm, ýeke uzynlygy≤2 mm Toplum meýdany ≤0.1% Toplum meýdany ≤3% Toplum meýdany ≤3% Jemi uzynlygy≤1 × wafli diametri
Intokary intensiwlik çyrasy bilen gyralar çipleri		Hiç biri ≥0.2mm ini we çuňlugy rugsat bermedi			7 sany rugsat berildi, hersi mm1 mm
(TSD) Nurbatlaryň ýerleşdirilmegi		00500 sm-2		N / A.
(BPD) Esasy uçaryň ýerleşişi		0001000 sm-2		N / A.
Intokary intensiwlik çyrasy bilen kremniniň üstü hapalanmagy		Hiç
Gaplamak		Köp wafli kaseta ýa-da ýekeje wafli konteýner
Bellikler:
1 Kemçilikleriň çäkleri, gyradan çykarylýan ýerden başga ähli wafli ýüzüne degişlidir. 2 Dyzlary diňe Si ýüzünde barlamaly. 3 Bölüniş maglumatlary diňe KOH-dan ýasalan wafli.

Esasy aýratynlyklary

1.
2. Perokary öndürijilikli material: Silikon karbidiň ýokary temperatura garşylygy we ýokary bölüniş meýdançasynyň güýji, 12 inçli substraty ýokary woltly we ýokary ýygylykly programmalar üçin EV inwertorlary we çalt zarýad beriş ulgamlary üçin ideal edýär.
3.
4. Iň ýokary ýylylyk dolandyryşy: Silikon esasly materiallardan has gowy ýylylyk geçirijiligi bilen, 12 dýuým substrat ýokary güýçli enjamlarda ýylylygyň ýaýramagyny netijeli çözýär we enjamlaryň ömrüni uzaldýar.

Esasy programmalar

2. 5G Esasy stansiýalar: Uly göwrümli SiC substratlary ýokary güýçli we pes ýitgi üçin 5G esasy stansiýalarynyň talaplaryny kanagatlandyryp, ýokary ýygylykly RF enjamlaryny goldaýar.

3.Senagat energiýasy üpjünçiligi: Gün inwerterlerinde we akylly setlerde 12 dýuým substrat energiýa ýitgisini azaltmak bilen has ýokary naprýa .eniýalara çydap biler.

4.Müşderi elektronikasy: Geljekdäki çalt zarýad berijiler we maglumat merkeziniň elektrik üpjünçiligi ykjam ululygy we has ýokary netijeliligi gazanmak üçin 12 dýuým SiC substratlaryny kabul edip biler.

XKH hyzmatlary

12 dýuýmlyk SiC substratlary (12 dýuým kremniy karbid substratlary) üçin ýöriteleşdirilen gaýtadan işlemek hyzmatlarynda ýöriteleşýäris:
1. Bahalandyrmak we ýuwmak: Müşderiniň talaplaryna laýyk gelýän pes zeperli, ýokary tekiz substraty gaýtadan işlemek, enjamyň durnukly işlemegini üpjün etmek.
2. Epitaksial ösüş goldawy: Çip önümçiligini çaltlaşdyrmak üçin ýokary hilli epitaksial wafli hyzmatlary.
3. Kiçi bukjaly prototip görnüşi: gözleg sikllerini gysgaldyp, gözleg edaralary we kärhanalary üçin gözleg we barlag işlerini tassyklaýar.
4. Tehniki maslahat beriş: material saýlamakdan başlap, optimizasiýa çenli ahyrky çözgütler, müşderilere SiC gaýtadan işlemekdäki kynçylyklary ýeňip geçmäge kömek edýär.
Köpçülikleýin önümçilik ýa-da ýöriteleşdirilen özleşdirmek üçin bolsun, 12 dýuýmlyk SiC substrat hyzmatlarymyz, tehnologiki ösüşleri güýçlendirip, taslama zerurlyklaryňyza laýyk gelýär.