English

AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC plastinka

AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC waferi Görkezilen surat
  • AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC plastinka
  • AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC plastinka
  • AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC plastinka
  • AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC plastinka
  • AR gözlükleri üçin 12 dýuýmlyk 4H-SiC plastinka

Gysgaça düşündiriş:

The12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC (kremniý karbidi) substratindiki nesil üçin işlenip düzülen örän uly diametrli giň zolakly ýarymgeçiriji plastinkadyrýokary woltly, ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturalygüýçli elektronika önümçiligi. SiC-niň içki artykmaçlyklaryndan peýdalanmak — meselemýokary kritik elektrik meýdany, ýokary doýgun elektron sürüş tizligi, ýokary ýylylyk geçirijiligi, weajaýyp himiki durnuklylyk—bu substrat ösen elektrik enjamlary platformalary we täze peýda bolýan giň meýdanly wafer ulanylyşlary üçin esasy material hökmünde ýerleşdirilen.


Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

12 dýuýmlyk 4H-SiC wafer
12 dýuýmlyk 4H-SiC wafer

Umumy syn

The12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC (kremniý karbidi) substratindiki nesil üçin işlenip düzülen örän uly diametrli giň zolakly ýarymgeçiriji plastinkadyrýokary woltly, ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturalygüýçli elektronika önümçiligi. SiC-niň içki artykmaçlyklaryndan peýdalanmak — meselemýokary kritik elektrik meýdany, ýokary doýgun elektron sürüş tizligi, ýokary ýylylyk geçirijiligi, weajaýyp himiki durnuklylyk—bu substrat ösen elektrik enjamlary platformalary we täze peýda bolýan giň meýdanly wafer ulanylyşlary üçin esasy material hökmünde ýerleşdirilen.

Pudagyň ähli talaplaryny kanagatlandyrmak üçinçykdajylary azaltmak we öndürijiligi ýokarlandyrmak, esasy akymdan geçiş6–8 dýuým SiC to 12 dýuýmlyk SiCsubstratlar esasy ýol hökmünde giňden ykrar edilýär. 12 dýuýmlyk plastinka kiçi formatlara garanyňda has uly ulanyş meýdanyny üpjün edýär, bu bolsa plastinka üçin has ýokary galyp çykaryşyny, plastinka ulanylyşyny gowulandyrmagy we gyra ýitgisiniň paýyny azaltmagy üpjün edýär - şeýdip üpjünçilik zynjyrynda umumy önümçilik çykdajylaryny optimizirlemegi goldaýar.

Kristal Ösdürmek we Wafer Öndürmek Ýoly

 

Bu 12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC substraty doly proses zynjyry arkaly öndürilýärtohumyň giňelmegi, monokristal ösüşi, wefli etmek, inçelmek we jylamak, standart ýarymgeçiriji önümçilik tejribelerine eýerip:

 

  • Fiziki bug daşamak (PVT) arkaly tohumyň giňelmegi:
    12 dýuýmlyk4H-SiC tohum kristalyPVT usuly arkaly diametr giňeltmesi arkaly alynýar, bu bolsa soňra 12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC bullarynyň ösmegine mümkinçilik berýär.

  • Geçiriji 4H-SiC monokristalynyň ösüşi:
    Geçirijin⁺ 4H-SiCmonokristal ösüşi, gözegçilikli donor dopingini üpjün etmek üçin ösüş gurşawyna azot girizmek arkaly gazanylýar.

  • Plastinka önümçiligi (standart ýarymgeçiriji işleme):
    Bul şekillendirilenden soň, wafliler şu arkaly öndürilýärlazer bilen dilimlemek, yzyndaninçelmek, jylamak (CMP derejesindäki abatlaýyş işleri bilen birlikde) we arassalamak.
    Netijede substratyň galyňlygy560 μm.

 

Bu integrasiýalaşdyrylan çemeleşme kristalografik bitewüligi we yzygiderli elektrik häsiýetlerini saklap galmak bilen, örän uly diametrde durnukly ösüşi goldamak üçin niýetlenendir.

 

sic wafli 9

 

Hiliň doly bahalandyrylmagyny üpjün etmek üçin, substrat gurluşyk, optiki, elektrik we kemçilikleri barlamak gurallarynyň utgaşmasy arkaly häsiýetlendirilýär:

 

  • Raman spektroskopiýasy (meýdan kartalaşdyrmasy):plastina boýunça politip birmeňzeşliginiň barlanylmagy

  • Doly awtomatlaşdyrylan optiki mikroskopiýa (wafer kartalaşdyrmasy):mikropürjikleriň ýüze çykarylmagy we statistik taýdan baha berilmegi

  • Kontaktsyz garşylyk metrologiýasy (wafer kartalaşdyrmasy):birnäçe ölçeg nokatlarynda garşylyk paýlanyşy

  • Ýokary çözgütli rentgen difraksiýasy (HRXRD):kristal hiliniň bahalandyrylmagy, sallanma egri ölçegleri arkaly

  • Çykyk barlagy (seçme aşındyrmadan soň):dislokasiýa dykyzlygynyň we morfologiýasynyň bahalandyrylmagy (wint dislokasiýalaryna ünsi çekmek bilen)

 

sic wafli 10

Esasy Netijeler (Wekil)

Öwreniş netijeleri 12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC substratynyň möhüm parametrler boýunça güýçli material hilini görkezýändigini görkezýär:

(1) Köp görnüşli arassalyk we birmeňzeşlik

  • Raman sebitiniň kartalaşdyryşy görkezilýär100% 4H-SiC politip örtügisubstrat boýunça.

  • Başga politipleriň (meselem, 6H ýa-da 15R) goşulmagy anyklanmady, bu bolsa 12 dýuým ölçegde politipleriň ajaýyp gözegçiligini görkezýär.

(2) Mikrotrubanyň dykyzlygy (MPD)

  • Wafer ölçegli mikroskopiýa kartalaşdyrmasy görkezýärmikrotrubanyň dykyzlygy < 0.01 sm⁻², bu enjam çäklendirýän kemçilik kategoriýasynyň netijeli basylyp ýatyrylmagyny görkezýär.

(3) Elektrik garşylygy we birmeňzeşlik

  • Kontaktsyz garşylyk görkezijisiniň kartalaşdyrylyşy (361 nokatly ölçeg) aşakdakylary görkezýär:

    • Garşylyk aralygy:20.5–23.6 mΩ·sm

    • Ortaça garşylyk:22.8 mΩ·sm

    • Birmeňzeş dällik:< 2%
      Bu netijeler garyndylaryň goşulyşynyň gowy yzygiderliligini we plastina ölçegli elektrik deňligini görkezýär.

(4) Kristal hili (HRXRD)

  • HRXRD sallanyş egri ölçegleri(004) şöhlelenme, alnanbäş balwaferiň diametri boýunça, görkeziň:

    • Pes burçly däne serhet aýratynlyklarynyň ýokdugyny görkezýän köp depeli häsiýeti bolmadyk ýeke, simmetriki diýen ýaly depeler.

    • Ortaça FWHM:20.8 arksek (″), ýokary kristal hilini görkezýär.

(5) Wintiň dislokasiýa dykyzlygy (TSD)

  • Selektiw oýmak we awtomatlaşdyrylan skanirlemekden soň,wintiň dislokasiýa dykyzlygyölçenýär2 sm⁻², 12 dýuým ölçegde pes TSD görkezýär.

Ýokardaky netijelerden netije:
Substrat görkezýärajaýyp 4H politip arassalygy, örän pes mikrotruba dykyzlygy, durnukly we deň pes garşylyk, güýçli kristal hili we pes wint dislokasiýa dykyzlygy, ösen enjam önümçiligi üçin laýyklygyny goldaýar.

Önümiň bahasy we artykmaçlyklary

  • 12 dýuýmlyk SiC önümçilik migrasiýasyny üpjün edýär
    12 dýuýmlyk SiC wafer önümçiligine gönükdirilen senagat ýolunyň kartasyna laýyk gelýän ýokary hilli substrat platformasyny üpjün edýär.

  • Enjamyň öndürijiligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrmak üçin pes kemçilik dykyzlygy
    Mikrotrubalaryň örän pes dykyzlygy we wintleriň pes dislokasiýa dykyzlygy heläkçilikli we parametrik girdeji ýitgileriniň mehanizmlerini azaltmaga kömek edýär.

  • Proses durnuklylygy üçin ajaýyp elektrik deňligi
    Gaty berk garşylyk paýlanyşy waferden wafere we wafer enjamyň içindäki yzygiderliligiň gowulanmagyny goldaýar.

  • Epitaksiýany we enjamyň işlenmegini goldaýan ýokary kristal hili
    HRXRD netijeleri we pes burçly däne serhetleriniň alamatlarynyň ýoklugy epitaksial ösüş we enjam öndürmek üçin amatly material hilini görkezýär.

 

Maksatly programmalar

12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC substraty aşakdakylar üçin ulanylýar:

  • SiC güýç enjamlary:MOSFET-ler, Şottki päsgelçilik diodlary (SBD) we degişli gurluşlar

  • Elektrik ulaglary:esasy çekiş inwertorlary, bortdaky zarýad berijiler (OBC) we DC-DC konwertorlary

  • Gaýtadan dikeldilýän energiýa we elektrik ulgamy:fotowoltaik inwertorlar, energiýa saklaýyş ulgamlary we akylly tor modullary

  • Senagat elektrik elektronikasy:ýokary netijeli elektrik üpjünçiligi, motor sürüjileri we ýokary woltly öwrüjiler

  • Giň meýdanly wafer talaplarynyň artmagy:ösen gaplama we beýleki 12 dýuýmlyk ýarymgeçiriji önümçilik senariýleri

 

Köplenç berilýän soraglar – 12 dýuýmlyk geçiriji 4H-SiC substraty

S1. Bu önüm nähili SiC substratdyr?

A:
Bu önüm bir12 dýuýmlyk geçiriji (n⁺ görnüşli) 4H-SiC monokristal substrat, Fiziki bug daşamak (PVT) usuly bilen ösdürilip ýetişdirildi we standart ýarymgeçirijili waferleme tehnikalary arkaly işlenildi.

S2. Näme üçin 4H-SiC politip hökmünde saýlanyldy?

A:
4H-SiC iň amatly utgaşmany hödürleýärýokary elektron hereketliligi, giň zolak aralygy, ýokary dargama meýdany we ýylylyk geçirijiligitäjirçilik taýdan ähmiýetli SiC politipleriniň arasynda. Ol ulanylýan esasy politipdirýokary woltly we ýokary kuwwatly SiC enjamlary, mysal üçin MOSFET-ler we Şottki diodlary.

S3. 8 dýuýmlyk SiC substratlaryndan 12 dýuýmlyk SiC substratlaryna geçmegiň artykmaçlyklary nämeler?

A:
12 dýuýmlyk SiC plastinasy aşakdakylary üpjün edýär:

  • Esasan hemhas uly ulanylyp bilinýän ýer meýdany

  • Her bir wafer üçin has ýokary galyp çykyşy

  • Pes gyra ýitgisiniň gatnaşygy

  • bilen gowulandyrylan utgaşyklykösen 12 dýuýmlyk ýarymgeçiriji önümçilik liniýalary

Bu faktorlar gönüden-göni täsir edýärher enjam üçin arzan bahawe önümçilik netijeliliginiň ýokary bolmagy.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.

d281cc2b-ce7c-4877-ac57-1ed41e119918
  • Öňki:
  • Indiki:

    • Baglanyşykly önümler

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň
    Gözlemek üçin Enter düwmesine basyň ýa-da ýapmak üçin ESC düwmesine basyň