Cörite ýasalan komponentleri SiC keramiki lýubo ahyrky effektli wafli dolandyrmak
SiC keramika we alýumina keramiki aýratyn komponentleri gysgaça
Silikon karbid (SiC) keramiki aýratyn komponentler
Silikon Karbid (SiC) keramiki adaty komponentleri, ýokary öndürijilikli senagat keramiki materiallarydyraşa ýokary gatylyk, ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, ajaýyp poslama garşylyk we ýokary ýylylyk geçirijiligi. Silikon Karbid (SiC) keramiki adaty komponentler düzümdäki durnuklylygy saklamaga mümkinçilik berýärGüýçli kislotalardan, aşgarlardan we eredilen metallardan eroziýa garşy durmak bilen ýokary temperaturaly gurşaw. SiC keramika ýaly prosesler arkaly öndürilýärbasyşsyz süzmek, reaksiýa süzgüç ýa-da gyzgyn basyşwe mehaniki möhür halkalary, ýeň ýeňleri, burunlar, peç turbalary, wafli gaýyklar we aşaga çydamly asma plitalary ýaly çylşyrymly şekillere düzülip bilner.
Alumina keramiki aýratyn komponentleri
Alumina (Al₂O₃) keramiki adaty komponentleri nygtaýarýokary izolýasiýa, gowy mehaniki güýç we geýmäge garşylyk. Arassalyk derejeleri (meselem, 95%, 99%) boýunça klassifikasiýa edilen, takyk işlemek bilen Alumina (Al₂O₃) keramiki adaty komponentleri izolýatorlara, podşipniklere, kesiş gurallaryna we lukmançylyk implantlaryna öwrülmäge mümkinçilik berýär. Alýumina keramikasy esasan öndürilýärgury basmak, sanjym galyplary ýa-da izostatiki basyş amallary, aýna gutarýan polat bilen.
XKH gözleg we ýörite önümçilikde ýöriteleşýärkremniy karbid (SiC) we alýumin (Al₂O₃) keramika. SiC keramiki önümleri ýarymgeçiriji goşundylary (meselem, wafli gaýyklary, kantilwer padleri, peç turbalary), şeýle hem täze energiýa pudaklary üçin termiki meýdan komponentlerini we ýokary derejeli möhürleri öz içine alýan ýokary temperaturaly, ýokary köýnekli we poslaýjy şertlere ünsi jemleýär. Alýumin keramiki önümleri izolýasiýa, möhürlemek we biomedikal häsiýetleri, şol sanda elektron substratlary, mehaniki möhür halkalaryny we lukmançylyk implantlaryny nygtaýar. Technologiesaly tehnologiýalary ulanmakizostatiki basyş, basyşsyz süzmek we takyk işlemek, ýarymgeçirijiler, fotoelektrik, aerokosmos, lukmançylyk we himiýa gaýtadan işlemek ýaly pudaklar üçin ýokary öndürijilikli ýöriteleşdirilen çözgütler bilen üpjün edýäris, komponentleriň aşa şertlerde takyklyk, uzak ömür we ygtybarlylyk üçin berk talaplara laýyk gelmegini üpjün edýäris.
SiC keramiki funksional çuklar we CMP üweýji diskleriň giriş
SiC keramiki vakuum çaklary
Silikon Karbid (SiC) Keramiki Wakuum Çaklar ýokary öndürijilikli kremniy karbid (SiC) keramiki materialdan öndürilen ýokary takyk adsorbsion gurallarydyr. Olar ýarymgeçiriji, fotoelektrik we takyk önümçilik pudaklary ýaly aşa arassalygy we durnuklylygy talap edýän programmalar üçin ýörite döredildi. Esasy artykmaçlyklary şulary öz içine alýar: aýna derejeli ýalpyldawuk üst (0,3–0.5 mkm aralygynda dolandyrylýan tekizlik), aşa ýokary berklik we ýylylyk giňelişiniň pes koeffisiýenti (nano derejesiniň görnüşini we pozisiýasynyň durnuklylygyny üpjün etmek), aşa ýeňil gurluş (hereket inersiýasyny ep-esli azaldýar) we adatdan daşary könelişme garşylygy (Mohs gatylygy 9,5-e çenli, demir çukurlaryň ömründen has ýokary). Bu häsiýetler üýtgeýän ýokary we pes temperatura, güýçli poslama we ýokary tizlikli işleýiş şertlerinde durnukly işlemäge mümkinçilik berýär, wafli we optiki elementler ýaly takyk komponentler üçin gaýtadan işlemegiň hasyllylygyny we önümçilik netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar.
Metrologiýa we gözleg üçin kremniý karbid (SiC) vakuum çak
Wafli kemçilikleri barlamak üçin niýetlenen bu ýokary takyklyk adsorbsion gural, kremniy karbid (SiC) keramiki materialdan öndürilýär. Özboluşly ýerüsti bökmek gurluşy, wafli bilen aragatnaşygy azaldýan mahaly güýçli wakuum adsorbsion güýji bilen üpjün edýär, şeýlelik bilen wafli ýüzüne zeper ýetmeginiň ýa-da hapalanmagynyň öňüni alýar we barlag wagtynda durnuklylygy we takyklygy üpjün edýär. Çak, ýokary tizlikli hereket wagtynda durnuklylygy üpjün etmek üçin ultra ýeňil agram we ýokary berklik bilen utgaşyp, ajaýyp tekizligi (0,3–0.5 μm) we aýna bilen ýalpyldawuk görnüşi görkezýär. Malylylyk giňelişiniň aşa pes koeffisiýenti, temperaturanyň üýtgemeginde ölçegli durnuklylygy kepillendirýär, ajaýyp könelişme garşylygy hyzmat möhletini uzaldýar. Önüm dürli wafli ululykdaky gözleg zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin 6, 8 we 12 dýuým aýratynlyklarda özleşdirmegi goldaýar.
Çip baglamak çakyry
Ipokary tizlikli, ýokary takyklyk baglanyşyk amallary wagtynda durnuklylygy üpjün etmek üçin wafleri takyk adsorbsiýa etmek üçin ýörite çip flip-çip baglanyşyk prosesleriniň esasy bölegi bolup durýar. Onda aýna bilen ýalpyldawuk üst (tekizlik / parallelizm ≤1 μm) we wakuum adsorbsion güýjüne ýetmek üçin wafli süýşmeginiň ýa-da zeper ýetmeginiň öňüni almak üçin takyk gaz kanaly çukurlary bar. Onuň ýokary berkligi we ýylylyk giňelmeginiň ultra-pes koeffisiýenti (kremniniň materialyna ýakyn) ýokary temperatura baglanyşyk şertlerinde ölçegli durnuklylygy üpjün edýär, ýokary dykyzlykly material (mysal üçin, kremniy karbid ýa-da ýörite keramika) uzak wagtlap wakuum ygtybarlylygyny saklap, gazyň geçmeginiň öňüni alýar. Bu aýratynlyklar mikron derejeli baglanyşyk takyklygyny bilelikde goldaýar we çip gaplamagyň hasyllylygyny ep-esli ýokarlandyrýar.
SiC Bond Çak
Silikon karbid (SiC) baglaýjy çip, wafleri takyk adsorbsiýa etmek we ýokary temperatura we ýokary basyşly baglanyşyk şertlerinde ultra durnukly öndürijiligi üpjün etmek üçin ýörite döredilen çip baglanyşyk prosesleriniň esasy guralydyr. Dokary dykyzlykly kremniý karbid keramikasyndan (gözenek <0,1%) öndürilen, nanometr derejeli aýna ýalpyldawuklygy (ýerüsti çişligi Ra <0.1 μm) we takyk gaz kanalynyň çukurlary (gözenegiň diametri: 5-50 μm) arkaly birmeňzeş adsorbsion güýç paýlanyşyna (gyşarma <5%) ýetýär. Malylylyk giňelişiniň ultra pes pes koeffisiýenti (4,5 × 10⁻⁶ / ℃) kremniý wafli bilen ýakyndan gabat gelýär, termiki stres sebäpli ýüze çykýan sahypany azaldýar. Highokary berklik (elastik modul> 400 GPa) we ≤1 μm tekizlik / parallellik bilen birleşdirilende, baglanyşyk deňleşmesiniň takyklygyny kepillendirýär. Ondarymgeçiriji gaplamakda, 3D gaplamakda we Çiplet integrasiýasynda giňden ulanylýar, nanoskale takyklygyny we ýylylyk durnuklylygyny talap edýän ýokary derejeli önümçilik programmalaryny goldaýar.
CMP üweýji disk
CMP üweýji disk, ýokary tizlikli polishing wagtynda wafleri ygtybarly saklamak we durnuklaşdyrmak üçin nanometr derejesinde global meýilnamalaşdyrmaga mümkinçilik berýän himiki mehaniki polishing (CMP) enjamlarynyň esasy düzüm bölegi bolup durýar. Highokary berklik, ýokary dykyzlykly materiallardan (meselem, kremniy karbid keramikasy ýa-da ýörite erginler) gurlan, takyk hereketlendirilen gaz kanalynyň çukurlary arkaly birmeňzeş wakuum adsorbsiýasyny üpjün edýär. Aýna bilen ýalpyldawuk üst (tekizlik / parallellik ≤3 μm) wafli bilen stressiz aragatnaşygy kepillendirýär, termiki giňelişiň aşa pes koeffisiýenti (kremniý bilen gabat gelýär) we içerki sowadyş kanallary termiki deformasiýany netijeli basyp ýatyrýar. 12 dýuým (diametri 750 mm) wafli bilen gabat gelýän disk, ýokary temperatura we basyş astynda köp gatly gurluşlaryň üznüksiz birleşmegini we uzak möhletli ygtybarlylygyny üpjün etmek üçin diffuziýa baglanyşyk tehnologiýasyny ulanýar, CMP prosesiniň birmeňzeşligini we hasyllylygyny ep-esli ýokarlandyrýar.
Dürli SiC keramika bölekleriniň giriş
Silikon Karbid (SiC) meýdan aýnasy
Silikon Karbid (SiC) Kwadrat aýnasy, ýokary derejeli ýarymgeçiriji önümçilik enjamlary üçin ýörite döredilen, kremniý karbid keramikasyndan öndürilen ýokary takyk optiki komponentdir. Ultra ýeňil agramy we ýokary berkligi (elastik modul> 400 GPa) rasional ýeňil gurluş dizaýny (mysal üçin, bal arynyň çukury) arkaly gazanýar, pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti (≈4.5 × 10⁻⁶ / ℃) temperaturanyň üýtgemeginde ölçeg durnuklylygyny üpjün edýär. Aýnanyň üstü, takyk ýalpyldadylandan soň ≤1 μm tekizlige / parallellige ýetýär we ajaýyp könelişme garşylygy (Mohs gatylygy 9.5) hyzmat möhletini uzaldýar. Ultra ýokary takyklyk we durnuklylyk möhüm bolan daşbasma maşyn iş stansiýalarynda, lazer reflektorlarynda we kosmos teleskoplarynda giňden ulanylýar.
Silikon Karbid (SiC) Howanyň ýüzüş gollanmalary
Silikon Karbid (SiC) Howanyň ýüzüş gollanmalary kontakt däl aerostatiki rulman tehnologiýasyny ulanýarlar, bu ýerde gysylan gaz mikron derejeli howa filmini (adatça 3-20μm) sürtülmesiz we titremesiz tekiz herekete ýetmek üçin ulanýar. Nanometrik hereketiň takyklygyny (n 75nm çenli gaýtalanýan ýerleşiş takyklygy) we kiçi mikron geometrik takyklygy (göni ± 0.1-0.5μm, tekizligi ≤1μm) hödürleýär, takyk örtük terezisi ýa-da lazer interferometrleri bilen ýapyk görnüşli seslenme gözegçiligi arkaly üpjün edilýär. Esasy kremniy karbid keramiki materialy (opsiýalara Coresic® SP / Marvel Sic seriýasy girýär) ultra ýokary berkligi (elastik modul> 400 GPa), aşa pes ýylylyk giňelme koeffisiýentini (4.0–4.5 × 10⁻⁶ / K, kremniniň gabat gelmegi) we ýokary dykyzlygy (gözenek <0,1%) üpjün edýär. Onuň ýeňil dizaýny (dykyzlygy 3,1g / sm³, alýuminden soň ikinji ýerde) hereket inersiýasyny peseldýär, ajaýyp aşaga garşylyk (Mohs gatylygy 9.5) we ýylylyk durnuklylygy ýokary tizlikli (1m / s) we ýokary tizlenme (4G) şertlerinde uzak möhletli ygtybarlylygy üpjün edýär. Bu gollanmalar ýarymgeçirijiniň daşbasma usulynda, wafli barlamakda we ultra takyk işlemekde giňden ulanylýar.
Silikon Karbid (SiC) çyzyklar
Silikon Karbid (SiC) Kesiş şöhleleri ýarymgeçiriji enjamlar we ýokary derejeli senagat goşundylary üçin niýetlenen esasy hereket komponentleridir, ilkinji nobatda wafli basgançaklary geçirmek we ýokary tizlikli, ultra takyk hereket üçin kesgitlenen traýektoriýalara ugrukdyrmak üçin işleýär. Performanceokary öndürijilikli kremniý karbid keramiki (opsiýalara Coresic® SP ýa-da Marvel Sic seriýasy girýär) we ýeňil gurluş dizaýny ulanylýar, ýokary berklik (elastik modul> 400 GPa) bilen ultra-ýeňil agram, ýylylyk giňelişiniň aşa pes koeffisiýenti (≈4.5 × 10⁻⁶ / ℃) we ýokary dykyzlygy (gözenek <0,1%) we nanometrik durnuklylygy üpjün edýär. Olaryň toplumlaýyn häsiýetleri ýokary tizlikli we ýokary tizlenme amallaryny goldaýar (meselem, 1m / s, 4G), olary daşbasma maşynlary, wafli barlag ulgamlary we takyk önümçilik üçin amatly edýär, hereketiň takyklygyny we dinamiki jogap netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar.
Silikon karbid (SiC) hereket komponentleri
Silikon Karbid (SiC) Hereket komponentleri ýokary dykyzlykly SiC materiallaryny (meselem, Coresic® SP ýa-da Marvel Sic seriýasy, gözenek <0,1%) we ýokary berklik bilen (elastik modul> 400 GPa) ýokary takyk ýarymgeçiriji hereket ulgamlary üçin döredilen möhüm böleklerdir. Malylylyk giňelişiniň ultra pes koeffisiýenti (≈4.5 × 10⁻⁶ / ℃) bilen, ýylylyk üýtgemelerinde nanometrik durnuklylygy (tekizlik / parallelizm ≤1μm) üpjün edýärler. Bu toplumlaýyn häsiýetler ýokary tizlikli we ýokary tizlenme amallaryny goldaýar (meselem, 1m / s, 4G), olary daşbasma maşynlary, wafli barlag ulgamlary we takyk önümçilik üçin amatly edýär, hereketiň takyklygyny we dinamiki jogap netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar.
Silikon Karbid (SiC) optiki ýol plastinka
Silikon karbid (SiC) optiki ýol plastinkasy, wafli barlag enjamlarynda goşa optiki ýol ulgamlary üçin döredilen esasy platforma. Performanceokary öndürijilikli kremniý karbid keramikasyndan öndürilen, ýeňil gurluş dizaýny arkaly ultra ýeňil (dykyzlygy ≈3.1 g / sm³) we ýokary berklige (elastik modul> 400 GPa) ýetýär, şol bir wagtyň özünde ýylylyk giňelişiniň aşa pes koeffisiýentini (≈4.5 × 10⁻⁶ / ℃) we ýokary dykyzlygy (gözenek <0,1%), nanometrik durnuklylygy üpjün edýär. Iň uly ululygy (900 × 900mm) we ajaýyp hemmetaraplaýyn öndürijiligi bilen, optiki ulgamlar üçin uzak möhletli durnukly binýady üpjün edýär, gözleg takyklygyny we ygtybarlylygyny ep-esli ýokarlandyrýar. Ondarymgeçiriji metrologiýasynda, optiki deňleşdirme we ýokary takyklyk şekillendiriş ulgamlarynda giňden ulanylýar.
Grafit + Tantal karbid bilen örtülen gollanma halkasy
Grafit + Tantal karbid bilen örtülen gollanma halkasy, kremniy karbid (SiC) ýeke kristal ösüş enjamlary üçin ýörite döredilen möhüm komponent. Esasy wezipesi, reaksiýa kamerasyndaky temperaturanyň we akym meýdanlarynyň birmeňzeşligini we durnuklylygyny üpjün etmek bilen ýokary temperaturaly gaz akymyny takyk ugrukdyrmakdyr. CVD-de goýlan tantal karbid (TaC) gatlagy (örtük haramlygy <5 ppm) bilen örtülen ýokary arassa grafit substratdan (arassalygy> 99,99%) öndürilen, aşa ýylylyk geçirijiligini (≈120 W / m · K) we aşa temperaturada himiki inertligi görkezýär (2200 ° C çenli), kremniniň diffuziýasynyň öňüni alýar. Örtügiň ýokary birmeňzeşligi (gyşarmak <3%, doly meýdany gurşap almak) gazyň yzygiderli ugrukdyrylmagyny we uzak möhletli hyzmat ygtybarlylygyny üpjün edýär, SiC ýeke kristal ösüşiniň hilini we öndürijiligini ep-esli ýokarlandyrýar.
Silikon Karbid (SiC) Ojak turbasynyň abstrakt
Silikon Karbid (SiC) Dik peç turbasy
Silikon Karbid (SiC) Dik Ojak Turbasy, ýokary temperaturaly senagat enjamlary üçin niýetlenen möhüm element bolup, ilkinji nobatda 1200 ° C töweregi howa atmosferasyndaky peçiň içinde birmeňzeş ýylylyk paýlanyşyny üpjün etmek üçin daşarky gorag turbasy bolup hyzmat edýär. 3D çap etmek toplumlaýyn emele getiriş tehnologiýasy arkaly öndürilen, esasy material hapalygy <300 ppm / aýratynlygy özünde jemleýär we islege görä CVD kremniy karbid örtügi (örtük hapalary <5 ppm) bilen üpjün edilip bilner. Highokary ýylylyk geçirijiligini (≈20 W / m · K) we ajaýyp ýylylyk zarbasynyň durnuklylygyny (termiki gradiýentlere garşy durmak> 800 ° C) birleşdirip, ýarymgeçirijiniň ýylylygy bejermek, fotowoltaik material sintezi we takyk keramiki önümçilik ýaly ýokary temperaturaly proseslerde giňden ulanylýar, termiki birmeňzeşligi we enjamlaryň uzak möhletli ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
Silikon Karbid (SiC) Gorizontal peç turbasy
Silikon karbid (SiC) Gorizontal peç turbasy, adaty iş temperaturasy 1250 ° C töweregi bolan kislorod (reaktiw gaz), azot (gorag gazy) we yz wodorod hloridi öz içine alýan atmosferalarda işleýän turba bolup hyzmat edýän ýokary temperaturaly prosesler üçin döredilen esasy komponentdir. 3D çap etmek toplumlaýyn emele getiriş tehnologiýasy arkaly öndürilen, esasy material hapalygy <300 ppm / aýratynlygy özünde jemleýär we islege görä CVD kremniy karbid örtügi (örtük hapalary <5 ppm) bilen üpjün edilip bilner. Highokary ýylylyk geçirijiligini (≈20 W / m · K) we adatdan daşary ýylylyk zarbasynyň durnuklylygyny (termiki gradiýentlere garşy durmak> 800 ° C) birleşdirip, okislenme, diffuziýa we inçe film çökdürilmegi ýaly ýarymgeçiriji goşundylary talap edip, gurluş bitewiligini, atmosferanyň arassalygyny we uzak möhletli ýylylyk durnuklylygyny üpjün edýär.
SiC keramiki çeňňek ýaraglary
Ondarymgeçiriji önümçiligi
Ondarymgeçiriji wafli önümçiliginde, köplenç duş gelýän wafli geçirmek we ýerleşdirmek üçin SiC keramiki çeňňek gollary ulanylýar:
- Wafli gaýtadan işleýän enjamlar: temperatureokary temperaturaly we poslaýjy şertlerde durnukly işleýän wafli kasetalar we gaýtadan işleýän gaýyklar ýaly.
- Litografiýa maşynlary: basgançaklary, gollanmalary we robot gollary ýaly takyk komponentlerde ulanylýar, olaryň ýokary berkligi we pes ýylylyk deformasiýasy nanometr derejesindäki hereket takyklygyny üpjün edýär.
- Dökmek we diffuziýa amallary: ICP ýarymgeçirijiniň diffuziýa prosesleri üçin ICP arassalaýjy gaplar we komponentler hökmünde hyzmat etmek, olaryň ýokary arassalygy we poslama garşylygy proses kameralarynda hapalanmagyň öňüni alýar.
Senagat awtomatlaşdyryşy we robot
SiC keramiki çeňňek ýaraglary ýokary öndürijilikli senagat robotlarynda we awtomatlaşdyrylan enjamlarda möhüm elementlerdir:
- Robot ahyrky effektler: Işlemek, ýygnamak we takyk amallar üçin ulanylýar. Olaryň ýeňil häsiýetleri (dykyzlygy ~ 3.21 g / sm³) robotyň tizligini we netijeliligini ýokarlandyrýar, ýokary berkligi (Wikersiň berkligi ~ 2500) ajaýyp könelişmegi üpjün edýär.
- Awtomatlaşdyrylan önümçilik çyzyklary: frequokary ýygylykly, ýokary takyk işlemegi talap edýän ssenariýalarda (mysal üçin, elektron söwda ammarlary, zawod ammary), SiC çeňňek ýaraglary uzak möhletli durnukly işlemegi kepillendirýär.
Aerokosmos we täze energiýa
Ekstremal şertlerde SiC keramiki çeňňek gollary ýokary temperatura garşylygy, poslama garşylygy we termiki zarba garşylygy:
- Aerokosmos: kosmos gämileriniň we dronlaryň möhüm böleklerinde ulanylýar, olaryň ýeňil we ýokary güýçli häsiýetleri agramy azaltmaga we öndürijiligi ýokarlandyrmaga kömek edýär.
- Täze energiýa: Fotowoltaik senagaty üçin önümçilik enjamlarynda (meselem, diffuziýa peçleri) we litiý-ion batareýasyny öndürmekde takyk gurluş düzüm bölekleri hökmünde ulanylýar.
Temokary temperaturaly senagat gaýtadan işlemek
SiC keramiki çeňňek gollary 1600 ° C-den ýokary temperatura çydap biler we olary amatly eder:
- Metallurgiýa, keramika we aýna senagaty: temperatureokary temperaturaly manipulýatorlarda, gurnama plitalarynda we itek plastinalarynda ulanylýar.
- Ucadro energiýasy: Radiasiýa garşylygy sebäpli, ýadro reaktorlarynda käbir komponentler üçin amatly.
Lukmançylyk enjamlary
Lukmançylyk pudagynda ilkinji nobatda SiC keramiki çeňňek gollary ulanylýar:
- Lukmançylyk robotlary we hirurgiki gurallar: Biokompatisiýa, poslama garşylygy we sterilizasiýa şertlerinde durnuklylygy üçin gymmatly.
SiC örtük syn
| Adaty häsiýetler | Bölümler | Gymmatlyklar |
| Gurluşy |
| FCC β tapgyry |
| Ugrukdyrma | Bölüm (%) | 111 makul saýlandy |
| Köp dykyzlygy | g / cm³ | 3.21 |
| Gatylyk | Wikers gatylygy | 2500 |
| Atylylyk kuwwaty | J · kg-1 · K-1 | 640 |
| –Ylylyk giňelmesi 100–600 ° C (212–1112 ° F) | 10-6K-1 | 4.5 |
| Youngaş modul | Gpa (4pt egilmek, 1300 ℃) | 430 |
| Galla ölçegi | μm | 2 ~ 10 |
| Sublimasiýa temperaturasy | ℃ | 2700 |
| Felexural güýç | MPa (RT 4 bal) | 415 |
| Malylylyk geçirijiligi | (W / mK) | 300 |
Silikon Karbid keramiki gurluş böleklerine syn
Silikon karbid keramiki gurluş düzüm bölekleri, süzgüç arkaly birleşdirilen kremniy karbid bölejiklerinden alynýar. Awtoulag, tehnika, himiýa, ýarymgeçiriji, kosmos tehnologiýasy, mikroelektronika we energiýa pudaklarynda giňden ulanylýar we bu pudaklaryň dürli goşundylarynda möhüm rol oýnaýar. Aýratyn häsiýetleri sebäpli kremniý karbid keramiki gurluş düzüm bölekleri, ýokary temperatura, ýokary basyş, poslama we könelişmek bilen baglanyşykly agyr şertlerde amatly iş şertlerinde ygtybarly öndürijiligi we uzak ömri üpjün etmek üçin amatly material boldy.SiC möhür böleklerine syn
SiC möhürleri, gaty berkligi, könelmegine garşylygy, ýokary temperatura garşylygy (1600 ° C ýa-da hatda 2000 ° C çenli çydamlylygy) we poslama garşylygy sebäpli gaty gurşaw (iň ýokary temperatura, ýokary basyş, poslaýjy serişde we ýokary tizlikli köýnek) üçin iň amatly saýlawdyr. Olaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi ýylylygyň netijeli ýaýramagyny ýeňilleşdirýär, pes sürtülme koeffisiýenti we öz-özüni ýaglamak häsiýetleri möhürlemegiň ygtybarlylygyny we aşa iş şertlerinde uzak ömri üpjün edýär. Bu aýratynlyklar, nebithimiýa, magdançylyk, ýarymgeçiriji önümçiligi, hapa suwlary arassalamak we energiýa ýaly pudaklarda giňden ulanylýan SiC möhürlerini döredýär, tehniki hyzmat çykdajylaryny ep-esli azaldýar, iş wagty azaldýar we enjamlaryň işleýiş netijeliligini we howpsuzlygyny ýokarlandyrýar.
SiC keramiki plitalary gysgaça
Silikon Karbid (SiC) keramiki plitalary ajaýyp gatylygy (Mohs gatylygy 9,5-e çenli, göwherden soň ikinji ýerde), ajaýyp ýylylyk geçirijiligi (ýylylygy netijeli dolandyrmak üçin keramikanyň köpüsinden has ýokary), ajaýyp himiki inertlik we termiki zarba garşylygy (güýçli kislotalara, aşgarlara we çalt temperaturanyň üýtgemegine garşy) bilen meşhurdyr. Bu häsiýetler, hyzmat möhletini uzaltmak we tehniki hyzmat zerurlyklaryny azaltmak bilen, ekstremal şertlerde (meselem, ýokary temperatura, aşgazan we poslama) gurluş durnuklylygyny we ygtybarly öndürijiligini üpjün edýär.
SiC keramiki plitalary ýokary öndürijilikli meýdanlarda giňden ulanylýar:
• Abraziw we ýylmaýjy gurallar: ýylmaýjy tigirleri we ýalpyldawuk gurallary öndürmek üçin aşa ýokary gatylygy ulanmak, abraziw şertlerde takyklygy we çydamlylygy ýokarlandyrmak.
• Döwülýän materiallar: ojak ýylylygy we gowulaşdyrmak üçin 1600 ° C-den ýokary durnuklylygy saklamak, peç örtükleri we peç bölekleri hökmünde hyzmat etmek.
• icarymgeçiriji senagaty: Ygtybarlylygy we energiýa netijeliligini ýokarlandyrmak üçin ýokary woltly we ýokary temperaturaly amallary goldaýan ýokary güýçli elektron enjamlary (mysal üçin, elektrik diodlary we RF güýçlendirijileri) üçin substratlar hökmünde çykyş etmek.
• Döküm we eritme: heatylylygyň we himiki poslama garşylygy üpjün etmek, metallurgiýanyň hilini we çykdajylylygyny ýokarlandyrmak üçin metal gaýtadan işlemekde adaty materiallary çalyşmak.
SiC Wafer gaýyk abstrakt
XKH SiC keramiki gaýyklar ýokary ýylylyk durnuklylygyny, himiki inertligi, takyk in engineeringenerçiligi we ykdysady netijeliligi üpjün edýär, ýarymgeçiriji önümçiligi üçin ýokary öndürijilikli daşaýjy çözgüdi üpjün edýär. Wafli işlemegiň howpsuzlygyny, arassalygyny we önümçiligiň netijeliligini ep-esli ýokarlandyrýar, olary wafli önümçiliginde aýrylmaz komponentlere öwürýär.
SiC keramiki gaýyklar Goýmalar:
SiC keramiki gaýyklary öň ýarymgeçiriji proseslerde giňden ulanylýar, şol sanda:
• Depolasiýa amallary: LPCVD (Pes basyşly himiki buglaryň çökmegi) we PECVD (Plazma bilen güýçlendirilen himiki bug buglanyşy) ýaly.
• Temokary temperaturaly bejergiler: malylylyk oksidlenmegi, gyzdyrma, diffuziýa we ion implantasiýasy.
• Çygly we arassalaýyş amallary: Wafli arassalamak we himiki taýdan işlemek tapgyrlary.
Atmosfera we wakuum prosesi gurşawyna laýyk gelýär,
hapalanmak töwekgelçiligini azaltmak we önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak isleýän fablar üçin idealdyr.
SiC Wafer gämisiniň parametrleri:
| Tehniki aýratynlyklar | ||||
| Indeks | Bölüm | Gymmatlyk | ||
| Material ady | Reaksiýa Sintirlenen Silikon Karbid | Basyşsyz sintirlenen kremniy karbid | Silikon karbidi gaýtadan dikeltdi | |
| Kompozisiýa | RBSiC | SSiC | R-SiC | |
| Köp dykyzlygy | g / cm3 | 3 | 3.15 ± 0.03 | 2.60-2.70 |
| Fleksural güýç | MPa (kpsi) | 338 (49) | 380 (55) | 80-90 (20 ° C) 90-100 (1400 ° C) |
| Sykyş güýji | MPa (kpsi) | 1120 (158) | 3970 (560) | > 600 |
| Gatylyk | Knoop | 2700 | 2800 | / |
| Güýçliligi bozmak | MPa m1 / 2 | 4.5 | 4 | / |
| Malylylyk geçirijiligi | W / mk | 95 | 120 | 23 |
| Malylylyk giňeliş koeffisiýenti | 10-6.1 / ° C. | 5 | 4 | 4.7 |
| Aýratyn ýylylyk | Joule / g 0k | 0.8 | 0.67 | / |
| Howadaky iň ýokary temperatura | ℃ | 1200 | 1500 | 1600 |
| Elastik modul | Gpa | 360 | 410 | 240 |
SiC keramika Dürli aýratyn komponentleriň ekrany
SiC keramiki membranasy
SiC keramiki membranasy, ýokary temperaturaly sintezleýiş amallary arkaly işlenip düzülen üç gatly berk gurluşy (goldaw gatlagy, geçiş gatlagy we aýralyk membranasy) öz içine alýan arassa kremniy karbidden ýasalan ösen süzgüç erginidir. Bu dizaýn ajaýyp mehaniki güýji, gözenegiň ululygynyň takyk paýlanyşyny we ajaýyp berkligini üpjün edýär. Suwuklyklary netijeli bölmek, jemlemek we arassalamak arkaly dürli önümçilik goşundylarynda ýokarydyr. Esasy ulanyşlar suw we hapa suwlary bejermek (togtadylan gaty jisimleri, bakteriýalary we organiki hapalaýjylary aýyrmak), iýmit we içgini gaýtadan işlemek (şireleri, süýt we fermentlenen suwuklyklary anyklamak we jemlemek), derman we biotehnologiýa amallary (biofliidleri we araçylary arassalamak), himiki gaýtadan işlemek (poslaýjy suwuklyklary we katalizatorlary süzmek) we nebit we gaz goşundylaryny (öndürilen suw we hapalaýjy serişdeleri bejermek) öz içine alýar.
SiC turbalar
SiC (kremniy karbid) turbalary ýarymgeçiriji peç ulgamlary üçin döredilen ýokary öndürijilikli keramiki komponentler bolup, ýokary arassalama usullary arkaly ýokary arassa inçe däneli kremniy karbidden öndürilýär. Adatdan daşary ýylylyk geçirijiligini, ýokary temperatura durnuklylygyny (1600 ° C-den ýokary) we himiki poslama garşylygy görkezýär. Olaryň pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti we ýokary mehaniki güýji aşa termiki welosiped sürmekde ölçegli durnuklylygy üpjün edýär, termiki stresiň deformasiýasyny we könelmegini netijeli azaldýar. SiC turbalary diffuziýa peçleri, okislenme peçleri we LPCVD / PECVD ulgamlary üçin amatlydyr, bu birmeňzeş temperatura paýlanyşyny we wafli kemçilikleri azaltmak we inçe filmiň birmeňzeşligini gowulandyrmak üçin durnukly iş şertlerini üpjün edýär. Mundan başga-da, SiC-iň dykyz, gözenek däl gurluşy we himiki inertligi kislorod, wodorod we ammiak ýaly reaktiw gazlaryň eroziýasyna garşy durýar, hyzmat möhletini uzaldýar we prosesiň arassalygyny üpjün edýär. SiC turbalary ululygy we diwaryň galyňlygy boýunça düzülip bilner, takyk işlemek bilen içki ýüzleri we laminar akymy we deňagramly termiki profilleri goldamak üçin ýokary konsentrasiýa bolýar. Faceerüsti ýalpyldawuk ýa-da örtük görnüşleri bölejikleriň emele gelmegini hasam azaldar we poslama garşylygy ýokarlandyrar, takyklyk we ygtybarlylyk üçin ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk talaplaryna laýyk gelýär.
SiC keramiki kantilewer paddeli
SiC kantilewer pyçaklarynyň monolit dizaýny, birleşýän materiallarda giňden ýaýran bogunlary we gowşak nokatlary ýok etmek bilen mehaniki berkligi we ýylylyk birmeňzeşligini ep-esli ýokarlandyrýar. Olaryň ýüzügi aýnanyň golaýyna çenli takyk reňklenen, bölejikleriň emele gelmegini azaldýar we arassa otag ölçeglerine laýyk gelýär. SiC-e mahsus himiki inertiýa, diffuziýa / okislenme proseslerinde durnuklylygy we ygtybarlylygy üpjün edip, reaktiw şertlerde (meselem, kislorod, bug) hapalanmagynyň, poslamagyň we prosesiň hapalanmagynyň öňüni alýar. Çalt termiki welosiped sürmegine garamazdan, SiC gurluş bitewiligini saklaýar, hyzmat möhletini uzaldýar we tehniki hyzmaty azaltýar. SiC-iň ýeňil tebigaty ýylylyk reaksiýasyny has çaltlaşdyrýar, ýyladyş / sowadyş tizligini çaltlaşdyrýar we öndürijiligi we energiýa netijeliligini ýokarlandyrýar. Bu pyçaklar özleşdirilip bilinýän ululyklarda (100mm-den 300mm + wafli bilen gabat gelýär) we dürli peç dizaýnlaryna uýgunlaşyp, öň we yzky ýarymgeçiriji proseslerinde yzygiderli öndürijilik berýär.
Alumina Wakuum Çak Giriş
Al₂O₃ vakuum çuklary ýarymgeçiriji önümçiliginde möhüm gural bolup, birnäçe prosesde durnukly we takyk goldaw berýär:• Inçeleme: Çip ýylylygynyň ýaýramagyny we enjamyň işleýşini ýokarlandyrmak üçin ýokary takyk substratyň azalmagyny üpjün edip, wafli ýuka wagtynda birmeňzeş goldaw hödürleýär.
• Bahalandyrma: Wafli baha kesilende howpsuz adsorbsiýany üpjün edýär, zyýan töwekgelçiligini azaldýar we aýry-aýry çipler üçin arassa kesilmegini üpjün edýär.
• Arassalamak: Onuň tekiz, birmeňzeş adsorbsion üstü, arassalaýyş işlerinde waflere zyýan bermezden, hapalanmagy netijeli aýyrmaga mümkinçilik berýär.
• Ulag: Wafli işlemek we daşamak wagtynda ygtybarly we ygtybarly goldaw berýär, zeper we hapalanma töwekgelçiligini azaldýar.
1. Birmeňzeş mikro gözenekli keramika tehnologiýasy
• Nano-tozanlary deň paýlanan we biri-birine bagly gözenekleri döretmek üçin ulanýar, netijede ýokary gözenekli we yzygiderli we ygtybarly wafli goldawy üçin birmeňzeş dykyz gurluş bolýar.
2. Aýratyn material aýratynlyklary
Ultra arassa 99,99% alýuminden (Al₂O₃) öndürilip, sergilenýär:
• malylylyk aýratynlyklary: temperatureokary temperaturaly ýarymgeçiriji gurşaw üçin amatly ýokary ýylylyk garşylygy we ajaýyp ýylylyk geçirijiligi.
• Mehaniki aýratynlyklary: strengthokary güýç we gatylyk berkligi, könelmegi we uzak ömri üpjün edýär.
• Goşmaça artykmaçlyklar: Dürli önümçilik şertlerine uýgunlaşdyrylan ýokary elektrik izolýasiýasy we poslama garşylyk.
3. Iň ýokary tekizlik we parallellik• damageokarky tekizlik we parallelizm bilen takyk we durnukly wafli işlemegini üpjün edýär, zyýan töwekgelçiligini azaldýar we yzygiderli işlemegiň netijelerini üpjün edýär. Gowy howa geçirijiligi we birmeňzeş adsorbsion güýji amaly ygtybarlylygy hasam ýokarlandyrýar.
Al₂O₃ wakuum çaky, mikro gözenekli tehnologiýany, ajaýyp material häsiýetlerini we inçe ýarymgeçiriji prosesleri goldamak, inçe, baha kesmek, arassalamak we daşamak tapgyrlarynda netijeliligi, ygtybarlylygy we hapalanmagy gözegçilikde saklamak üçin ýokary takyklygy birleşdirýär.
Alumina Robot Arm & Alumina Keramiki End Effektory barada gysgaça
Alumina (Al₂O₃) keramiki robot gollary ýarymgeçiriji önümçiliginde wafli işlemek üçin möhüm elementlerdir. Wafli bilen gönüden-göni habarlaşýarlar we wakuum ýa-da ýokary temperatura şertleri ýaly talap edilýän ýerlerde takyk geçirmek we ýerleşdirmek üçin jogapkärdirler. Olaryň esasy gymmaty wafli howpsuzlygyny üpjün etmek, hapalanmagyň öňüni almak we ajaýyp material aýratynlyklary arkaly enjamlaryň işleýiş netijeliligini we hasyllylygyny ýokarlandyrmakdan ybaratdyr.
| Aýratynlyk ölçegi | Jikme-jik düşündiriş |
| Mehaniki aýratynlyklary | Purokary arassalykly alýumina (meselem, 99%) ýokary gatylygy (Mohs 9-a çenli) we flexural güýç (250-500 MPa çenli) üpjün edýär, könelişmä garşylygy we deformasiýanyň öňüni alýar we şeýlelik bilen hyzmat möhletini uzaldýar.
|
| Elektrik izolýasiýasy | 10¹⁵ Ω · sm çenli otag temperaturasynyň çydamlylygy we 15 kV / mm izolýasiýa güýji elektrostatiki akymyň (ESD) täsirli öňüni alýar, duýgur wafli elektrik päsgelçiliklerinden we zeperlerden goraýar.
|
| Malylylyk durnuklylygy | 2050 ° C-e çenli ereýän nokat ýarymgeçiriji önümçiliginde ýokary temperatura proseslerine (meselem, RTA, CVD) garşy durmaga mümkinçilik berýär. Pes ýylylyk giňelme koeffisiýenti ýylylygy peseldýär we ýylylyk astynda ölçegli durnuklylygy saklaýar.
|
| Himiki inertlik | Kislotalaryň, aşgarlaryň, gaýtadan işleýän gazlaryň we arassalaýjy serişdeleriň köpüsine bölejikleriň hapalanmagynyň ýa-da metal ionynyň çykmagynyň öňüni alyň. Bu aşa arassa önümçilik gurşawyny üpjün edýär we ýeriň hapalanmagynyň öňüni alýar.
|
| Beýleki artykmaçlyklary | Matureetişen gaýtadan işlemek tehnologiýasy ýokary çykdajylylygy hödürleýär; üstleri pes gödeklige takyk reňklenip, bölejikleriň döremek töwekgelçiligini hasam azaldyp biler.
|
Alýumina keramiki robot gollary, esasan, ýarymgeçirijiniň önümçilik prosesinde ulanylýar, şol sanda:
• Wafli işlemek we ýerleşdirmek: Wakuumda ýa-da ýokary arassa inert gaz şertlerinde wafli (meselem, 100mm - 300mm + ululykda) ygtybarly we takyk geçiriň we zeper we hapalanma töwekgelçiligini azaldýar.
• Temokary temperatura amallary: Çalt ýylylyk annealiýasy (RTA), himiki buglaryň çökmegi (CVD) we plazma çişmegi ýaly ýokary temperaturalarda durnuklylygy saklaýarlar, prosesiň yzygiderliligini we hasyllylygyny üpjün edýärler.
• Awtomatlaşdyrylan wafli dolandyryş ulgamlary: önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrmak, enjamlaryň arasynda wafli geçirişini awtomatlaşdyrmak üçin ahyrky effektler hökmünde wafli işleýän robotlara birleşdirildi.
Netije
XKH gözleg we ýöriteleşdirilen kremniy karbid (SiC) we alýuminiýa (Al₂O₃) keramiki komponentleri, şol sanda robot gollary, kantilýwer padşalary, wakuum çukurlary, wafli gaýyklar, peç turbalary we beýleki ýokary öndürijilikli bölekler, ýarymgeçirijilere, täze energiýa, howa we ýokary temperatura pudaklaryna hyzmat edýär. Örän ýokary temperatura garşylygy, mehaniki güýji, himiki inertsizligi we ölçegli takyklygy üpjün etmek üçin ösen sintezleýiş amallaryny (meselem, basyşsyz sinterlemek, reaksiýa sinterlemek) we takyk işleýiş usullaryny (meselem, CNC üweýji, polat) ulanyp, takyk önümçilige, berk hil gözegçiligine we tehnologiki täzeliklere eýerýäris. Müşderileriň aýratyn talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ölçegler, şekiller, ýerüsti bezegler we material derejeleri üçin aýratyn çözgütleri hödürläp, çyzgylara esaslanyp, özleşdirmegi goldaýarys. Global ýokary derejeli önümçilik üçin ygtybarly we täsirli keramiki komponentleri üpjün etmek, müşderilerimiz üçin enjamlaryň öndürijiligini we önümçilik netijeliligini ýokarlandyrmak üçin borçlanýarys.
Degişli önümler
-
Dia3mm SiC keramiki top Silikon karbid keramiki ...
-
Silikon karbid prizmasy / infragyzyl opt üçin aýna ...
-
Silikon Karbid şöhlesi Silikon Karbid şöhlesi Redef ...
-
Alumina keramiki gol adaty keramiki robot goly
-
Polikristally Al2O3 alýumin keramika aýratynlygy ...
-
SiC keramiki çelek keramiki sorujy käseler ...