Silikon karbid (SiC) wafer gaýygy

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC) wafer gämisi ýokary arassalykdaky SiC materialyndan ýasalan ýarymgeçiriji proses daşaýjy bolup, epitaksiýa, oksidlenme, diffuziýa we ýumşatma ýaly möhüm ýokary temperatura proseslerinde waferleri saklamak we daşamak üçin niýetlenendir.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

Kwars aýnasyna umumy syn

Güýçli ýarymgeçirijileriň we giň zolakly enjamlaryň çalt ösüşi bilen, adaty kwarts gaýyklary ýokary temperaturada deformasiýa, güýçli bölejikleriň hapalanmagy we gysga hyzmat möhleti ýaly çäklendirmeler bilen ýüzbe-ýüz bolýar. Ýokary termal durnuklylyk, pes hapalanmak we uzak ömürlilik bilen tapawutlanýan SiC wafer gaýyklary kwarts gaýyklarynyň ornuny barha köp eýeleýär we SiC enjamlaryny öndürmekde iň gowy saýlawa öwrülýär.

Esasy aýratynlyklar

1. Materialyň artykmaçlyklary

Ýokary arassalykdaky SiC-den öndürildiýokary berklik we berklik.
2700°C-den ýokary ereme nokady, kwarsdan has ýokary, ekstremal şertlerde uzak möhletli durnuklylygy üpjün edýär.

2. Termal häsiýetler

Çalt we deň derejede ýylylyk geçirijiligi üçin ýokary ýylylyk geçirijiligi, plastinka stresini iň pes derejä düşürmek.
Termal giňelme koeffisiýenti (TGK) SiC substratlaryna ýakynlaşýar, bu bolsa plastilin egilmegini we çatlamagyny azaldýar.

3. Himiki durnuklylyk

Ýokary temperaturada we dürli atmosferalarda (H₂, N₂, Ar, NH₃ we ş.m.) durnukly.
Ajaýyp oksidlenme garşylygy, parçalanmagyň we bölejikleriň döremeginiň öňüni alýar.

4. Prosesiň öndürijiligi

Tekiz we dykyz ýüz bölejikleriň dökülmegini we hapalanmagyny azaldýar.
Uzak wagtlap ulanylandan soň ölçeg durnuklylygyny we ýük göterijiligini saklaýar.

5. Çykdajylaryň netijeliligi

Kwars gaýyklaryna garanyňda 3-5 esse uzak hyzmat möhleti.
Tehniki hyzmat ýygylygynyň azaldylmagy, işden çykma wagtyny we çalşyryş çykdajylaryny azaltmak.

Programmalar

SiC EpitaksiýasyÝokary temperatura epitaksial ösüş döwründe 4 dýuým, 6 dýuým we 8 dýuým SiC substratlaryny goldamak.
Güýç enjamlaryny öndürmekSiC MOSFET-leri, Şottki Barýer Diodlary (SBD-ler), IGBT-ler we beýleki enjamlar üçin ideal.
Termiki bejerişTaýýarlamak, nitridasiýa etmek we kömürleşdirmek prosesleri.
Oksidlenme we diffuziýaÝokary temperaturada oksidleşme we diffuziýa üçin durnukly wafer goldaw platformasy.

Tehniki aýratynlyklar

Haryt	Spesifikasiýa
Material	Ýokary arassalykly kremniý karbidi (SiC)
Wafer ölçegi	4 dýuým / 6 dýuým / 8 dýuým (özgertmek mümkin)
Maksimum Iş Temperaturasy	≤ 1800°C
Termal Giňeldiş CTE	4.2 × 10⁻⁶ /K (SiC substratyna ýakyn)
Termal geçirijilik	120–200 W/m·K
Ýüziň gödekligi	Ra < 0.2 μm
Parallelizm	±0.1 mm
Hyzmat ömrü	Kwars gaýyklaryndan ≥ 3x uzyn

Deňeşdirme: Kwars gaýygy we SiC gaýygy

Ölçeg	Kwarts gaýygy	SiC gaýygy
Temperatura garşylygy	≤ 1200°C, ýokary temperaturada deformasiýa.	≤ 1800°C, termal taýdan durnukly
SiC bilen CTE gabat gelmegi	Uly gabat gelmezlik, wafer stresiniň howpy	Ýakyn gabat gelýär, waferiň çatlamagyny azaldýar
Bölejikleriň hapalanmagy	Ýokary, hapaçylyklar döredýär	Pes, tekiz we dykyz ýüz
Hyzmat ömrü	Gysga, ýygy-ýygydan çalşyrmak	Uzak, 3–5 esse uzyn ömür
Laýyk proses	Adaty Si epitaksiýasy	SiC epitaksiýasy we güýç enjamlary üçin optimizirlenen

Köplenç berilýän soraglar – Silikon karbid (SiC) wafer gaýyklary

1. SiC wafer gaýygy näme?

SiC wafer gaýygy ýokary arassa kremniý karbidinden ýasalan ýarymgeçiriji proses daşaýjydyr. Ol epitaksiýa, oksidlenme, diffuziýa we ýumşatma ýaly ýokary temperatura proseslerinde waferleri saklamak we daşamak üçin ulanylýar. Adaty kwars gaýyklary bilen deňeşdirilende, SiC wafer gaýyklary ýokary termal durnuklylyk, pes hapalanma we has uzak hyzmat möhletini hödürleýär.

2. Näme üçin kwars gaýyklarynyň ýerine SiC wafer gaýyklaryny saýlamaly?

Ýokary temperatura garşylygyKwars bilen deňeşdirilende (≤1200°C) 1800°C çenli durnukly.
Has gowy CTE gabat gelmegiSiC substratlaryna ýakyn, plastina stresini we çatlamagy iň pes derejä düşürýär.
Pes bölejikleriň döremegi: Tekiz, dykyz ýüz hapalanmany azaldýar.
Uzak ömür: kwars gaýyklaryndan 3–5 esse uzyn, eýeçilik çykdajylaryny azaldýar.

3. SiC wafer gaýyklary haýsy wafer ölçeglerini göterip bilýär?

Biz standart dizaýnlary hödürleýäris4 dýuým, 6 dýuým we 8 dýuýmmüşderileriň isleglerini kanagatlandyrmak üçin doly özleşdirme mümkinçiligi bolan wafliler.

4. SiC wafer gaýyklary haýsy proseslerde giňden ulanylýar?

SiC epitaksial ösüşi
Güýçli ýarymgeçiriji enjamlaryň önümçiligi (SiC MOSFET-leri, SBD-leri, IGBT-leri)
Ýokary temperaturada ýumşatmak, nitridlemek we kömürleşdirmek
Oksidlenme we diffuziýa prosesleri

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.