SiC sapfir Si GAAs Wafer üçin kremniý karbid keramiki çark

Gysgaça düşündiriş:

Silikon karbid keramiki patron ýarymgeçirijileri barlamak, listleri öndürmek we birleşdiriş ulgamlary üçin döredilen ýokary öndürijilikli platformadyr. Sinterlenen SiC (SSiC), reaksiýa arkaly birikdirilen SiC (RSiC), kremniý nitridi we alýumin nitridi ýaly öňdebaryjy keramiki materiallardan gurlan bu material ýokary berkligi, pes termal giňelmegini, ajaýyp aşynma garşylygyny we uzak hyzmat möhletini hödürleýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

Kremniý karbidiniň (SiC) keramiki çarkynyň umumy syn

TheSilikon karbid keramiki çarkýarymgeçirijileri barlamak, wafer öndürmek we birleşdiriş ulgamlary üçin işlenip düzülen ýokary öndürijilikli platformadyr. Ösen keramiki materiallardan, şol sandasinterlenen SiC (SSiC), reaksiýa bilen baglanyşykly SiC (RSiC), kremniý nitridi, wealýumin nitridi—ol hödürleýärýokary berklik, pes termal giňelme, ajaýyp aşynma garşylygy we uzak hyzmat möhleti.

Takyk inženerçilik we iň täze tehnologiýalar bilen jylaňlama bilen, patron netije berýärmikrondan kiçi tekizlik, aýna hilindäki ýüzler we uzak möhletli ölçegli durnuklylyk, bu ony möhüm ýarymgeçiriji prosesler üçin ideal çözgüt edýär.

Esasy artykmaçlyklar

Ýokary takyklyk
Içerde tekizlik dolandyrylýar0.3–0.5 μm, plastina durnuklylygyny we yzygiderli prosesiň takyklygyny üpjün etmek.
Aýna jylamak
Gazanýan üstünlikleriRa 0.02 μmýüziň gödekligini, wafer dyrnaklaryny we hapalanmagyny iň pes derejä düşürýär — örän arassa gurşawlar üçin ajaýyp.
Ultra-Ýeňil
Kwarts ýa-da metal substratlardan has berk, ýöne ýeňil, hereketiň gözegçiligini, jogap bermegi we ýerleşiş takyklygyny gowulandyrýar.
Ýokary gatylyk
Ajaýyp Ýang moduly agyr ýükleriň aşagynda ölçegli durnuklylygy we ýokary tizlikli işlemegi üpjün edýär.
Pes termal giňelme
CTE kremniý plitalaryna ýakyndan gabat gelýär, termal stresi azaldýar we prosesiň ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
Ajaýyp geýinme garşylygy
Aşa berklik uzak möhletli, ýokary ýygylykly ulanylanda hem tekizligi we takyklygy saklaýar.

Önümçilik prosesi

Çig mal taýýarlamak
Gözegçilik edilýän bölejikleriň ululygy we örän pes hapaçylyklary bolan ýokary arassalykly SiC poroşoklary.
Formalaşdyrmak we Sinterlemek
ýaly usullarbasyşsyz sinterleme (SSiC) or reaksiýa baglanyşygy (RSiC)dykyz, birmeňzeş keramiki substratlary öndürýär.
Takyk işleme
CNC üwemek, lazer bilen kesmek we örän takyk işläp taýýarlamak ±0,01 mm çydamlylyga we ≤3 μm parallellige ýetýär.
Ýüzleýi bejermek
Ra 0.02 μm çenli köp basgançakly üwemek we jylamak; korroziýa garşylygy ýa-da sürtülme häsiýetleriniň özleşdirilen görnüşi üçin goşmaça örtükler bar.
Barlag we hil gözegçiligi
Interferometrler we gödeklik synaglary ýarymgeçirijileriň derejeli tehniki talaplaryna laýyk gelýändigini barlaýarlar.

Tehniki aýratynlyklar

Parametr	Bahasy	Birlik
Tekizlik	≤0.5	μm
Wafer ölçegleri	6'', 8'', 12'' (öz islegiňize görä bar)	—
Ýüziň görnüşi	Pin görnüşi / Halka görnüşi	—
Pin beýikligi	0.05–0.2	mm
Iň az ştiftiň diametri	ϕ0.2	mm
Iň az sanjak aralygy	3	mm
Minimal möhür halkasynyň giňligi	0.7	mm
Ýüziň bükülmesi	Ra 0.02	μm
Galyňlyga çydamlylyk	±0.01	mm
Diametr çydamlylygy	±0.01	mm
Parallelizm çydamlylygy	≤3	μm

Esasy ulanylyşlar

Ýarymgeçirijili plastinka barlag enjamlary
Plastinka öndürmek we geçirmek ulgamlary
Wafer ýelmeşdirmek we gaplamak gurallary
Ösen optoelektron enjam önümçiligi
Ultra tekiz, ultra arassa ýüzleri talap edýän takyk gurallar

Sorag-jogap – Silikon karbid keramiki patron

S1: SiC keramiki patronlary kwarts ýa-da metal patronlar bilen nähili deňeşdirilýär?
A1: SiC patronlary has ýeňil, has berk we kremniý plitalaryna ýakyn CTE-e eýedir, bu bolsa termal deformasiýany iň pes derejä düşürýär. Şeýle hem, olar ýokary derejede aşynma garşylygyny we has uzak ömürli hyzmatyny hödürleýärler.

S2: Haýsy tekizlige ýetip bolýar?
A2: Içerde gözegçilik edilýär0.3–0.5 μm, ýarymgeçiriji önümçiliginiň berk talaplaryny kanagatlandyrmak.

S3: Ýüzüň plastinalary dyrnaklaýarmy?
A3: Ýok — aýna bilen jylaňlandyrylanRa 0.02 μm, dyrnaksyz işlemegi we bölejikleriň döremeginiň azalmagyny üpjün edýär.

S4: Haýsy wafer ölçegleri goldanylýar?
A4: Standart ölçegler6'', 8'' we 12'', özleşdirme mümkinçiligi bilen.

S5: Termal garşylyk nähili?
A5: SiC keramikalary termal siklde minimal deformasiýa bilen ajaýyp ýokary temperatura öndürijiligini üpjün edýär.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.