English

Güýç enjamlary üçin SiC epitaksial plastina – 4H-SiC, N-görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk

Güýç enjamlary üçin SiC epitaksial plastinka – 4H-SiC, N-görnüşli, pes kemçilikli dykyzlykly Surat
  • Güýç enjamlary üçin SiC epitaksial plastina – 4H-SiC, N-görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk
  • Güýç enjamlary üçin SiC epitaksial plastina – 4H-SiC, N-görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk
  • Güýç enjamlary üçin SiC epitaksial plastina – 4H-SiC, N-görnüşli, pes kemçilikli dykyzlyk

Gysgaça düşündiriş:

SiC Epitaxial Wafer häzirki zaman ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň, esasanam ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperatura amallary üçin niýetlenen enjamlaryň özenini düzýär. SiC Epitaxial Wafer-iň gysgaldylan görnüşi bolan SiC Epitaxial Wafer, köpçülikleýin SiC substratynyň üstünde ösdürilip ýetişdirilen ýokary hilli, inçe SiC epitaxial gatlagyndan ybaratdyr. SiC Epitaxial Wafer tehnologiýasynyň ulanylyşy, adaty kremniý esasly waferlere garanyňda ýokary fiziki we elektron häsiýetleri sebäpli elektrik awtoulaglarynda, akylly torlarda, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda we awiakosmosda çalt giňelýär.


Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

SiC Epitaksial Wafer-4
SiC Epitaxial Wafer-6 - 副本

Giriş

SiC Epitaxial Wafer häzirki zaman ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň, esasanam ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperatura amallary üçin niýetlenen enjamlaryň özenini düzýär. SiC Epitaxial Wafer-iň gysgaldylan görnüşi bolan SiC Epitaxial Wafer, köpçülikleýin SiC substratynyň üstünde ösdürilip ýetişdirilen ýokary hilli, inçe SiC epitaxial gatlagyndan ybaratdyr. SiC Epitaxial Wafer tehnologiýasynyň ulanylyşy, adaty kremniý esasly waferlere garanyňda ýokary fiziki we elektron häsiýetleri sebäpli elektrik awtoulaglarynda, akylly torlarda, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda we awiakosmosda çalt giňelýär.

SiC epitaksial waferiniň öndüriliş prinsipleri

SiC epitaksial waferini döretmek üçin ýokary derejede gözegçilik edilýän himiki bug çökündisi (CVD) prosesi gerek. Epitaksial gatlak, adatça, 1500°C-den ýokary temperaturada silan (SiH₄), propan (C₃H₈) we wodorod (H₂) ýaly gazlary ulanyp, monokristal SiC substratynda ösdürilip ýetişdirilýär. Bu ýokary temperaturaly epitaksial ösüş kristallaryň ajaýyp deňleşdirilmegini we epitaksial gatlak bilen substratyň arasyndaky minimal kemçilikleri üpjün edýär.

Bu proses birnäçe esasy tapgyrlary öz içine alýar:

  1. Substraty taýýarlamakEsasy SiC plastinkasy arassalanýar we atom ýumşaklygyna çenli jylaňlanýar.

  2. Ýürek-damar keseliniň ösüşiÝokary arassa reaktorda gazlar substratda monokristal SiC gatlagyny ýerleşdirmek üçin reaksiýa girýärler.

  3. Doping gözegçiligiIslenýän elektrik häsiýetlerine ýetmek üçin epitaksiýa wagtynda N-tipli ýa-da P-tipli goşalandyrma girizilýär.

  4. Inspeksiýa we MetrologiýaOptiki mikroskopiýa, AFM we rentgen difraksiýasy gatlagyň galyňlygyny, lehim konsentrasiýasyny we kemçilikleriň dykyzlygyny barlamak üçin ulanylýar.

Her bir SiC Epitaksial Wafer galyňlygyň deňligi, ýüziň tekizligi we garşylyklylyk babatda berk çydamlylyklary saklamak üçin üns bilen gözegçilik edilýär. Bu parametrleri inçe sazlamak ukyby ýokary woltly MOSFET-ler, Şottki diodlary we beýleki güýç enjamlary üçin möhümdir.

Spesifikasiýa

Parametr Spesifikasiýa
Kategoriýalar Materiallar ylmy, monokristal substratlar
Köptip 4H
Doping N görnüşi
Diametr 101 mm
Diametr çydamlylygy ± 5%
Galyňlygy 0,35 mm
Galyňlyga çydamlylyk ± 5%
Esasy tekiz uzynlyk 22 mm (± 10%)
TTV (Umumy galyňlygyň üýtgemegi) ≤10 µm
Warp ≤25 µm
FWHM ≤30 Arc-sekund
Ýüzleýiş Rq ≤0.35 nm

SiC Epitaksial Wafer-iň ulanylyş ugurlary

SiC Epitaksial Wafer önümleri köp pudaklarda aýrylmazdyr:

  • Elektrikli ulaglar (EW)SiC Epitaxial Wafer esasly enjamlar güýç geçirijisiniň netijeliligini ýokarlandyrýar we agramy azaldýar.

  • Gaýtadan dikeldilýän energiýaGün we ýel energiýasy ulgamlary üçin inwertorlarda ulanylýar.

  • Senagat elektrik üpjünçiligi: Pes ýitgiler bilen ýokary ýygylykly, ýokary temperaturaly geçişi işjeňleşdiriň.

  • Aerokosmos we goranyş: Berk ýarymgeçirijileri talap edýän kyn gurşawlar üçin ideal.

  • 5G baza stansiýalarySiC Epitaksial Wafer bölekleri RF ulanylyşlary üçin ýokary kuwwatlylyk dykyzlygyny goldaýar.

SiC Epitaxial Wafer kremniý waferlerine garanyňda ykjam dizaýnlary, çalt geçişi we ýokary energiýa öwrüliş netijeliligini üpjün edýär.

SiC Epitaksial Wafer-iň artykmaçlyklary

SiC Epitaxial Wafer tehnologiýasy uly artykmaçlyklary hödürleýär:

  1. Ýokary döwülme naprýaženiýesiSi plastinkalaryndan 10 esse ýokary naprýaženiýelere çydamly.

  2. Termal geçirijilikSiC Epitaxial Wafer ýylylygy has çalt ýaýradýar, bu bolsa enjamlaryň has sowuk we has ygtybarly işlemegine mümkinçilik berýär.

  3. Ýokary geçiş tizlikleri: Pes kommutasiýa ýitgileri ýokary netijeliligi we kiçileşdirmegi üpjün edýär.

  4. Giň zolakÝokary naprýaženiýelerde we temperaturalarda durnuklylygy üpjün edýär.

  5. Materialyň berkligiSiC himiki taýdan inert we mehaniki taýdan berk bolup, talap edilýän ulanyşlar üçin idealdyr.

Bu artykmaçlyklar SiC Epitaxial Wafer-i indiki nesil ýarymgeçirijiler üçin saýlanan materiala öwürýär.

Köplenç soralýan soraglar: SiC Epitaksial Wafer

S1: SiC wafer bilen SiC Epitaksial Waferiň arasyndaky tapawut näme?
SiC waferi köpçülikleýin substraty aňladýar, SiC Epitaksial Wafer bolsa enjam öndürmekde ulanylýan ýörite ösdürilip ýetişdirilen gatlagy öz içine alýar.

S2: SiC Epitaksial Wafer gatlaklary üçin nähili galyňlyklar bar?
Epitaksial gatlaklar, adatça, ulanylyş talaplaryna baglylykda birnäçe mikrometrden 100 μm-den gowrak ululykda bolýar.

S3: SiC Epitaksial Wafer ýokary temperaturaly gurşawlar üçin amatlymy?
Hawa, SiC Epitaxial Wafer 600°C-den ýokary şertlerde işläp bilýär we kremniýden has gowy netije berýär.

S4: SiC Epitaksial Wafer-de kemçilikleriň dykyzlygy näme üçin möhüm?
Pes kemçilik dykyzlygy, esasanam ýokary woltly ulanylyşlar üçin, enjamyň işini we öndürijiligini ýokarlandyrýar.

S5: N-tipli we P-tipli SiC epitaksial plitalary ikisi hem elýeterlimi?
Hawa, iki görnüş hem epitaksial prosesde takyk garyndy gazynyň gözegçiligini ulanmak arkaly öndürilýär.

S6: SiC Epitaksial Wafer üçin standart hökmünde haýsy wafer ölçegleri ulanylýar?
Ýokary göwrümli önümçilik üçin standart diametrlere 2 dýuým, 4 dýuým, 6 dýuým we barha ulurak 8 dýuým girýär.

S7: SiC Epitaksial Wafer bahasyna we netijeliligine nähili täsir edýär?
Ilki başda kremniýden gymmat bolsa-da, SiC Epitaxial Wafer ulgamyň ululygyny we energiýa ýitgisini azaldýar we uzak möhletde umumy çykdajylaryň netijeliligini ýokarlandyrýar.

  • Öňki:
  • Indiki:

    • Baglanyşykly önümler

    Habaryňyzy şu ýere ýazyň we bize iberiň
    Gözlemek üçin Enter düwmesine basyň ýa-da ýapmak üçin ESC düwmesine basyň