ICP üçin 4 дюйм 6 дюйм wafer saklaýjysy üçin SiC keramiki plastinka/tagta

Gysgaça düşündiriş:

SiC keramiki plastinka, ýokary arassa kremniý karbidinden öndürilen we ekstremal termal, himiki we mehaniki gurşawlarda ulanmak üçin niýetlenen ýokary öndürijilikli bölekdir. Ajaýyp gatylygy, termal geçirijiligi we korroziýa garşylygy bilen meşhur bolan SiC plastinka ýarymgeçiriji, LED, fotowoltaik we awiakosmos senagatynda plastinka daşaýjy, susseptor ýa-da gurluş bölegi hökmünde giňden ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

SiC keramik plita Abstrakt

1600°C çenli ajaýyp termal durnuklylyk we reaktiw gazlara we plazma gurşawlaryna ajaýyp garşylyk bilen, SiC plitasy ýokary temperatura aşındyrmak, çökdürmek we diffuziýa proseslerinde yzygiderli işlemegi üpjün edýär. Onuň dykyz, gözeneksiz mikro gurluşy bölejikleriň döremegini azaldýar, bu bolsa ony wakuum ýa-da arassa otag şertlerinde örän arassa ulanyşlar üçin ideal edýär.

SiC keramiki plitasynyň ulanylyşy

1. Ýarymgeçirijileriň önümçiligi

SiC keramiki plitalary, adatça, CVD (Himiki bug çökündisi), PVD (Fiziki bug çökündisi) we aşındyryş ulgamlary ýaly ýarymgeçiriji önümçilik enjamlarynda wafer daşaýjylar, susseptorlar we tagta plitalary hökmünde ulanylýar. Olaryň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we pes ýylylyk giňelmesi olara ýokary takyklykly wafer gaýtadan işlemek üçin möhüm bolan deň temperatura paýlanyşyny saklamaga mümkinçilik berýär. SiC-niň korroziw gazlara we plazmalara garşy durnuklylygy, agyr gurşawlarda berkligi üpjün edýär, bölejikleriň hapalanmagyny we enjamlaryň tehniki hyzmatyny azaltmaga kömek edýär.

2. LED senagaty – ICP Oýmak

LED önümçilik pudagynda SiC plitalary ICP (Induktiw taýdan birikdirilen plazma) aşındyryş ulgamlarynda esasy böleklerdir. Plastyr saklaýjy hökmünde hereket edip, olar plazma işleniş wagtynda sapfir ýa-da GaN wastyrlaryny goldamak üçin durnukly we termal taýdan berk platforma üpjün edýär. Olaryň ajaýyp plazma garşylygy, ýüzüniň tekizligi we ölçeg durnuklylygy ýokary aşındyryş takyklygyny we birmeňzeşligini üpjün etmäge kömek edýär, bu bolsa LED çiplerinde hasyllylygyň we enjamyň işiniň ýokarlanmagyna getirýär.

3. Fotowoltaika (PV) we Gün energiýasy

SiC keramiki plitalary gün batareýalaryny öndürmekde, esasanam ýokary temperaturada bişirmek we taýlandyrmak tapgyrlarynda hem ulanylýar. Olaryň ýokary temperaturadaky inertligi we egrilige garşy durmak ukyby kremniý plitalarynyň yzygiderli işlenilmegini üpjün edýär. Mundan başga-da, olaryň pes hapalanma howpy fotowoltaik batareýalaryň netijeliligini saklamak üçin örän möhümdir.

SiC keramiki plitasynyň häsiýetleri

1. Ajaýyp mehaniki berklik we gatylyk

SiC keramiki plitalary örän ýokary mehaniki berkligi görkezýär, adaty egilme berkligi 400 MPa-dan geçýär we Wickers gatylygy >2000 HV-a ýetýär. Bu bolsa olary mehaniki aşynmalara, aşynmalara we deformasiýalara ýokary derejede çydamly edýär, hatda ýokary ýük ýa-da gaýtalanýan termal sikl ýagdaýynda hem uzak ömürli hyzmat etmegi üpjün edýär.

2. Ýokary ýylylyk geçirijiligi

SiC ajaýyp ýylylyk geçirijiligine eýedir (adatça 120–200 W/m·K), bu bolsa oňa ýylylygy ýüzüne deň paýlamaga mümkinçilik berýär. Bu häsiýet plastinka aşındyrmak, çökdürmek ýa-da bişirmek ýaly proseslerde örän möhümdir, bu ýerde temperatura deňligi önümiň hasyllylygyna we hiline gönüden-göni täsir edýär.

3. Ýokary derejeli termal durnuklylyk

Ýokary ereme nokady (2700°C) we pes termal giňelme koeffisiýenti (4.0 × 10⁻⁶/K) bilen SiC keramiki plitalary çalt gyzdyrma we sowadyş sikllerinde ölçeg takyklygyny we gurluş bitewüligini saklaýar. Bu bolsa olary ýokary temperaturaly peçlerde, wakuum kameralarynda we plazma gurşawlarynda ulanmak üçin ideal edýär.

Tehniki häsiýetler
Indeks	Birlik	Bahasy
Materialyň ady		Reaksiýa Sinterlenen Silikon Karbidi	Basymsyz Sinterlenen Silikon Karbid	Gaýtadan kristallaşdyrylan kremniý karbidi
Kompozisiýa		RBSiC	SSiC	R-SiC
Toplu dykyzlyk	g/sm3	3	3.15 ± 0.03	2.60-2.70
Bükülme güýji	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Basyş güýji	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Gatylyk	Knoop	2700	2800	/
Çydamlylygy bozmak	MPa m1/2	4.5	4	/
Termal geçirijilik	W/mk	95	120	23
Termal giňelme koeffisiýenti	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Aýratyn ýylylyk	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Howadaky iň ýokary temperatura	℃	1200	1500	1600
Elastik Modul	Gpa	360	410	240

SiC keramik plitasy Sorag-jogap

S: Kremniý karbid plitasynyň aýratynlyklary nähili?

A： Kremniý karbidi (SiC) plitalary ýokary berkligi, gatylygy we termal durnuklylygy bilen tanalýar. Olar ajaýyp termal geçirijiligi we pes termal giňelmegi üpjün edýär, bu bolsa ekstremal temperatura şertlerinde ygtybarly işlemegi üpjün edýär. SiC şeýle hem himiki taýdan inert, kislotalara, alkalilere we plazma gurşawlaryna çydamlydyr, bu bolsa ony ýarymgeçiriji we LED işläp taýýarlamak üçin amatly edýär. Onuň dykyz, tekiz ýüzi bölejikleriň döremegini azaldýar we arassa otaglaryň utgaşyklylygyny saklaýar. SiC plitalary ýarymgeçiriji, fotowoltaik we awiakosmos senagatynda ýokary temperatura we aşyndyryjy gurşawlarda wafer daşaýjylar, susseptorlar we goldaw bölekleri hökmünde giňden ulanylýar.