Ar aýnalary üçin ýarym izolýasiýa ediji kremniý karbidi (SiC) substraty ýokary arassalykly

Ar äýnekleri üçin ýarym izolýasiýa ediji kremniý karbidi (SiC) substraty ýokary arassalykly Surat

Gysgaça düşündiriş:

Ýokary arassa ýarym izolýasiýaly kremniý karbidi (SiC) substratlary kremniý karbidinden ýasalan ýöriteleşdirilen materiallar bolup, güýç elektronikasyny, radio ýygylykly (RF) enjamlary we ýokary ýygylykly, ýokary temperaturaly ýarymgeçiriji böleklerini öndürmekde giňden ulanylýar. Kremniý karbidi, giň zolakly ýarymgeçiriji material hökmünde, ajaýyp elektrik, termal we mehaniki häsiýetleri hödürleýär, bu bolsa ony ýokary woltly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly gurşawlarda ulanmak üçin örän amatly edýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

Ýarym izolýasiýaly SiC plitalarynyň önümine syn

Ýokary arassalykly ýarym izolýasiýaly SiC plitalarymyz ösen elektrik elektronikasy, RF/mikrotolkunly komponentler we optoelektroniki ulanylyşlar üçin niýetlenendir. Bu plitalar ýokary hilli 4H- ýa-da 6H-SiC monokristallaryndan, kämilleşdirilen fiziki bug daşamak (PVT) ösüş usuly ulanylyp, soňra çuňňur kompensasiýa bilen ýumşadylýar. Netijede, aşakdaky ajaýyp häsiýetlere eýe bolan plastinka alynýar:

Ultra-Ýokary Garşylyk: ≥1×10¹² Ω·sm, ýokary woltly kommutasiýa enjamlarynda syzma toklaryny netijeli derejede azaltmaga mümkinçilik berýär.
Giň zolak aralygy (~3.2 eV)Ýokary temperatura, ýokary meýdan we radiasiýa köp ulanylýan gurşawlarda ajaýyp işlemegi üpjün edýär.
Ajaýyp ýylylyk geçirijiligi: >4.9 W/sm·K, ýokary kuwwatly ulanylyşlarda netijeli ýylylyk ýaýramagyny üpjün edýär.
Ýokary mehaniki berklik: Mohs 9.0 gatylygy bilen (almazdan soň ikinji orunda), pes termal giňelme we güýçli himiki durnuklylyk bilen.
Atom taýdan tekiz ýüz: Ra < 0.4 nm we kemçilik dykyzlygy < 1/sm², MOCVD/HVPE epitaksiýasy we mikro-nano önümçiligi üçin ideal.

Elýeterli ölçeglerStandart ölçegler 50, 75, 100, 150 we 200 mm (2"–8") bolup, 250 mm-e çenli öz islegiňize görä diametrler hem bar.
Galyňlyk aralygy: 200–1000 μm, ±5 μm çydamlylyk bilen.

Ýarym izolýasiýaly SiC plitalarynyň önümçilik prosesi

Ýokary arassalykly SiC poroşogyny taýýarlamak

Başlangyç material: 6N derejeli SiC poroşogy, köp tapgyrly wakuum sublimasiýa we termiki işläp bejeriş arkaly arassalanyp, metalyň pes hapalanmagyny (Fe, Cr, Ni < 10 ppb) we minimal polikristal goşulmalaryny üpjün edýär.

Modifisirlenen PVT bir kristally ösüşi

Daşky gurşaw: Wakuuma golaý (10⁻³–10⁻² Torr).
TemperaturaGrafit tigel ~2500 °C çenli gyzdyrylýar, gözegçilik edilýän termal gradient ΔT ≈ 10–20 °C/sm2 bolýar.
Gaz akymy we tigel dizaýny: Taýýarlanan tigel we gözenekli bölüjiler buguň deň paýlanyşyny üpjün edýär we islenmeýän ýadro döremeginiň öňüni alýar.
Dinamik Iýmitlendirme we AýlanmaSiC poroşogynyň we kristall taýajygynyň aýlanmagynyň döwürleýin täzelenmegi pes dislokasiýa dykyzlygyna (<3000 sm⁻²) we yzygiderli 4H/6H ugur almagyna getirýär.

Çuňňur Derejede Kompensasiýa Taýýarlamak

Wodorod Taýýarlama: Çuňňur derejeli duzaklary işjeňleşdirmek we içki daşaýjylary durnuklaşdyrmak üçin 600–1400 °C aralygyndaky temperaturada H₂ atmosferasynda geçirilýär.
N/Al Bilelikde Doping (Isleg boýunça)Ösüş döwründe ýa-da ösüşden soňky ÝÜK-niň dowamynda Al (akseptor) we N (donor) goşulyp, durnukly donor-akseptor jübütlerini emele getirmek, garşylyk piklerini ýokarlandyrmak.

Takyk dilimlemek we köp tapgyrly gatlaklamak

Almaz simli arra: Waferler 200–1000 μm galyňlykda dilimlendi, minimal zyýan we ±5 μm çydamlylyk bilen.
Ýapyşdyrma prosesi: Yzygiderli iri we inçe almaz abraziwleri arranyň zeperini aýyrýar we listini jylamaga taýýarlaýar.

Himiki mehaniki jylamak (CMP)

Jylawlaýjy serişdelerNano-oksid (SiO₂ ýa-da CeO₂) ýumşak gidroksidi ergininde.
Prosesleriň gözegçiligiPes stresli jylamak, gödekligi azaldýar, 0.2–0.4 nm RMS gödekligine ýetýär we mikro dyrnaklary aradan aýyrýar.

Soňky arassalamak we gaplamak

Ultrases Arassalaýyş100-nji synp arassa otag gurşawynda köp basgançakly arassalamak prosesi (organik ergin, kislota/esas bilen işleme we deionizirlenen suw bilen çaýkamak).
Möhürlemek we gaplamakAzot bilen doldurylan gorag haltalaryna gaplanan we antistatik, titreme täsirini gowşadýan daşky gutulara gaplanan azot arassalaýjy plastinka bilen guradylýar.

Ýarym izolýasiýaly SiC plitalarynyň tehniki häsiýetnamalary

Önümiň öndürijiligi	P derejeli	D derejesi
I. Kristal parametrleri	I. Kristal parametrleri	I. Kristal parametrleri
Kristal Politip	4H	4H
Synma görkezijisi a	>2.6 @589nm	>2.6 @589nm
Absorbsiýa tizligi a	≤0.5% @450-650nm	≤1.5% @450-650nm
MP geçirijiligi (örtülmedik)	≥66.5%	≥66.2%
Duman a	≤0.3%	≤1.5%
Köptipli goşulma a	Rugsat berilmeýär	Jemi meýdan ≤20%
Mikrotrubanyň dykyzlygy a	≤0.5 /sm²	≤2 /sm²
Altyburçluk boşluk a	Rugsat berilmeýär	Ýok
Fasetli goşulyşma a	Rugsat berilmeýär	Ýok
MP goşulmasy a	Rugsat berilmeýär	Ýok
II. Mehaniki parametrler	II. Mehaniki parametrler	II. Mehaniki parametrler
Diametr	150.0 mm +0.0 mm / -0.2 mm	150.0 mm +0.0 mm / -0.2 mm
Ýüziň ugry	{0001} ±0.3°	{0001} ±0.3°
Esasy tekiz uzynlyk	Notch	Notch
Ikinji derejeli tekiz uzynlyk	Ikinji kwartira ýok	Ikinji kwartira ýok
Notch Ugrukdyrylyşy	<1-100> ±2°	<1-100> ±2°
Kesik burçy	90° +5° / -1°	90° +5° / -1°
Çuňluk çukurlygy	Gyrasyndan 1 mm +0.25 mm / -0.0 mm	Gyrasyndan 1 mm +0.25 mm / -0.0 mm
Ýüzleýi bejermek	C-ýüz, Si-ýüz: Himiki-mehaniki jylamak (CMP)	C-ýüz, Si-ýüz: Himiki-mehaniki jylamak (CMP)
Wafer Edge	Fastik (tegelek)	Fastik (tegelek)
Ýüziň büdür-büdürligi (AFM) (5μm x 5μm)	Si ýüzi, C ýüzi: Ra ≤ 0,2 nm	Si ýüzi, C ýüzi: Ra ≤ 0,2 nm
Galyňlygy a (Tropel)	500.0 μm ± 25.0 μm	500.0 μm ± 25.0 μm
LTV (Tropel) (40mm x 40mm) a	≤ 2 μm	≤ 4 μm
Umumy galyňlygyň üýtgemegi (TTV) a (Tropel)	≤ 3 μm	≤ 5 μm
Bowaý (mutlak baha) a (Tropel)	≤ 5 μm	≤ 15 μm
Warp a (Tropel)	≤ 15 μm	≤ 30 μm
III. Ýüzleýiş parametrleri	III. Ýüzleýiş parametrleri	III. Ýüzleýiş parametrleri
Çip/Çeňňek	Rugsat berilmeýär	≤ 2 sany, her biriniň uzynlygy we ini ≤ 1.0 mm
(Si-ýüzli, CS8520) dyrnaklaň	Umumy uzynlyk ≤ 1 x Diametr	Umumy uzynlyk ≤ 3 x Diametr
a bölejigi (Si-ýüz, CS8520)	≤ 500 sany	Ýok
Çatlak	Rugsat berilmeýär	Rugsat berilmeýär
Hapalanma a	Rugsat berilmeýär	Rugsat berilmeýär

Ýarym izolýasiýaly SiC plitalarynyň esasy ulanylyş ugurlary

Ýokary kuwwatly elektronikaSiC esasly MOSFET-ler, Şottki diodlary we elektrik ulaglary (EV) üçin güýç modullary SiC-niň pes garşylykly we ýokary woltly mümkinçiliklerinden peýdalanýar.
RF we mikrotolkunly peçSiC-niň ýokary ýygylykly iş görkezijileri we radiasiýa garşylygy 5G baza stansiýasynyň güýçlendirijileri, radar modullary we hemra aragatnaşygy üçin idealdyr.
OptoelektronikaUV-LED-ler, gök lazer diodlary we fotodetektorlar birmeňzeş epitaksial ösüş üçin atom taýdan tekiz SiC substratlaryny ulanýarlar.
Ekstremal daşky gurşaw duýgurlygySiC-niň ýokary temperaturadaky (>600 °C) durnuklylygy ony gaz turbinalary we ýadro detektorlary ýaly kyn gurşawlardaky sensorlar üçin ajaýyp edýär.
Aerokosmos we goranyşSiC hemralarda, raketa ulgamlarynda we awiasiýa elektronikasynda güýç elektronikasy üçin berkligi hödürleýär.
Ösen ylmy barlaglarKwantum hasaplamalary, mikro-optika we beýleki ýöriteleşdirilen ylmy-barlag ulanylyşlary üçin ýörite çözgütler.

Köplenç soralýan soraglar

Näme üçin geçirgen SiC-den has ýarym izolýasiýaly SiC ulanylýar?
Ýarym izolýasiýaly SiC has ýokary garşylygy hödürleýär, bu bolsa ýokary woltly we ýokary ýygylykly enjamlarda syzma toklaryny azaldýar. Geçiriji SiC elektrik geçirijiliginiň zerur bolan ýerlerinde has amatlydyr.
Bu plastinalary epitaksial ösüş üçin ulanyp bolýarmy?
Hawa, bu plastinalar epitaksial gatlagyň hilini üpjün etmek üçin ýüzleý işleme we kemçilikleriň gözegçiligi bilen MOCVD, HVPE ýa-da MBE üçin optimizirlenen we epitaksial gatlagyň hilini ýokarlandyrmak üçin epiteliý-taýýar.
Waferleriň arassalygyny nädip üpjün edýärsiňiz?
100-nji synpdaky arassa otag prosesi, köp basgançakly ultrases arassalamak we azot bilen möhürlenen gaplama waferleriň hapalanmalardan, galyndylardan we mikro dyrnaklardan azat bolmagyny kepillendirýär.
Sargytlaryň iberilme wagty näçe?
Nusgalar, adatça, 7–10 iş gününiň dowamynda iberilýär, önümçilik sargytlary bolsa, adatça, wafliniň aýratyn ölçegine we aýratynlyklaryna baglylykda 4–6 hepdede iberilýär.
Öz islegiňize görä şekiller berip bilersiňizmi?
Hawa, biz dürli görnüşlerde, mysal üçin, tekiz penjirelerde, V-görnüşli oýuklarda, sferiki linzalarda we ş.m. öz islegimize laýyk substratlary döredip bileris.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.