Premium Sapfir Lift Pinsleri Bir kristall Al₂O₃ Wafer Lift Pins
Tehniki parametrler
| Himiki düzümi | Al2O3 |
| Gatylyk | 9Mohs |
| Optiki tebigat | Bir okly |
| Synma görkezijisi | 1.762-1.770 |
| Bir gyrymsylyk | 0.008-0.010 |
| Dargamak | Pes, 0.018 |
| Ýalpyldawuklyk | Şüşe şekilli |
| Pleohroizm | Ortadan güýçli |
| Diametr | 0.4mm-30mm |
| Diametr çydamlylygy | 0.004mm-0.05mm |
| uzynlyk | 2mm-150mm |
| uzynlyk çydamlylygy | 0.03mm-0.25mm |
| Ýüziň hili | 40/20 |
| Ýüziň tegelekligi | RZ0.05 |
| Özleşdirilen görnüş | iki ujy hem tekiz, bir ujy redus, iki ujy hem redus, eýeriň iňňeleri we ýörite şekiller |
Esasy aýratynlyklar
1. Ajaýyp berklik we aşynma garşylygy: Mohs 9 berklik derejesi bilen, diňe almazdan soň ikinji orunda durýan Sapphire Lift Pins, däp bolan kremniý karbidinden, alýumin keramikasyndan ýa-da metal garyndysyndan tapawutlylykda, aşynma häsiýetlerini görkezýär. Bu örän berklik bölejikleriň döremegini we tehniki hyzmat talaplaryny ep-esli azaltmaga getirýär, hyzmat möhleti bolsa deňeşdirip boljak ulanylyşlarda adaty materiallardan adatça 3-5 esse uzyn.
2. Ýokary temperatura garşylygy: 1000°C-den ýokary temperaturalarda zaýalanmazdan dowamly işleýşe çydamly bolmak üçin döredilen Sapphire Lift Pins iň talap ediji termal proseslerde ölçeg durnuklylygyny we mehaniki berkligini saklaýar. Bu bolsa, olary himiki bug çökündisi (CVD), metal-organik himiki bug çökündisi (MOCVD) we termal giňelme deňsizliginiň prosesiň hasyllylygyna täsir edip biljek ýokary temperaturaly ýumşatma ulgamlary ýaly möhüm ulanylyşlar üçin has gymmatly edýär.
3.Himiki inertlik: Bir kristally sapfir gurluşy HF kislotasynyň, hlor esasly himiki maddalaryň we ýarymgeçiriji önümçilikde köp duş gelýän beýleki agressiw proses gazlarynyň hüjümine ajaýyp garşylyk görkezýär. Bu himiki durnuklylyk plazma gurşawynda yzygiderli işlemegi üpjün edýär we plastina hapalanmagyna sebäp bolup biljek ýüz kemçilikleriniň emele gelmeginiň öňüni alýar.
4. Pes bölejik hapalanmagy: Kemçiliksiz, ýokary arassa sapfir kristallaryndan öndürilen (adatça >99.99%), bu göteriji ştiftler uzak wagtlap ulanylandan soň hem bölejikleriň minimal dökülmegini görkezýär. Olaryň gözeneksiz ýüz gurluşy we jylaňly örtükleri iň berk arassa otag talaplaryna laýyk gelýär we ösen düwün ýarymgeçiriji önümçiliginde prosesiň netijeliliginiň ýokarlanmagyna gönüden-göni goşant goşýar.
Ýokary Takyklykly Işleme: Öňdebaryjy almaz üwemek we lazer bilen işlemek usullaryny ulanyp, Sapphire Lift Pins sub-mikron çydamlylyklary we 0,05μm Ra-dan aşak ýüzleý örtükler bilen öndürilip bilner. Indiki nesil önümçilik enjamlarynda waferleri ulanmak bilen baglanyşykly anyk kynçylyklary çözmek üçin konus şekilli profiller, ýörite uç konfigurasiýalary we integrasiýa edilen deňleşdirme aýratynlyklary ýaly ýörite geometriýalar döredilip bilner.
Esasy ulanylyşlar
1. Ýarymgeçirijileriň önümçiligi: Safir göteriji sanjaklar ösen wafer gaýtadan işlemek ulgamlarynda möhüm rol oýnaýar, fotolitografiýa, aşındyrma, çökündi we barlag proseslerinde ygtybarly goldaw we takyk ýerleşiş üpjün edýär. Olaryň termal we himiki durnuklylygy olary EUV litografiýa gurallarynda we nanometr ölçeglerinde ölçeg durnuklylygynyň möhüm bolan ösen gaplama ulanylyşlarynda has gymmatly edýär.
2.LED Epitaksiýa (MOCVD): Galliý nitridi (GaN) we degişli birleşme ýarymgeçiriji epitaksiýa ösüş ulgamlarynda Safir Lift Pins köplenç 1000°C-den ýokary temperaturada durnukly plastinka goldawyny üpjün edýär. Olaryň sapfir substratlary bilen gabat gelýän termal giňelme häsiýetnamalary epitaksiýa ösüş prosesinde plastinkanyň egilmegini we süýşmeginiň emele gelmegini azaldýar.
3. Fotowoltaik senagat: Ýokary netijeli gün batareýalarynyň önümçiligi sapfiriň ýokary temperatura diffuziýasynda, sinterlemede we inçe plýonka çökündi proseslerinde özboluşly häsiýetlerinden peýda görýär. Pinleriň aşynma garşylygy, komponentleriň uzak möhletli işlemeginiň önümçilik çykdajylaryna gönüden-göni täsir edýän köpçülikleýin önümçilik gurşawlarynda has gymmatlydyr.
4. Takyk optika we elektronika gaýtadan işlemek: Ýarymgeçiriji ulanylyşlaryndan başga-da, Sapphire Lift Pins inçe optiki bölekleri, MEMS enjamlary we hapalanmasyz gaýtadan işlemegiň we dyrnaklanmalaryň öňüni almagyň möhüm bolan ýöriteleşdirilen substratlary gaýtadan işlemekde ulanylýar. Olaryň elektrik izolýasiýa häsiýetleri olary elektrostatik duýgur enjamlar bilen baglanyşykly ulanylyşlar üçin ideal edýär.
XKH-nyň sapfir göteriji sanjaklar üçin hyzmatlary
XKH “Sapphire Lift Pins” üçin toplumlaýyn tehniki goldaw we özleşdirilen çözgütleri hödürleýär:
1. Sargyt boýunça işläp düzmek hyzmatlary
· Ölçegli, geometrik we ýüzleý işlemegi özleşdirmek üçin goldaw
· Material saýlamak we tehniki parametrleri optimizirlemek boýunça teklipler
· Bilelikdäki önüm dizaýny we simulýasiýa barlagy
2. Takyk önümçilik mümkinçilikleri
· ±1μm aralygynda gözegçilik edilýän çydamlylyk bilen ýokary takyklykly işleme
· Aýna jylamak we gyralary gyralamak ýaly ýörite bejerişler
· Ýapyşma garşy örtükler ýaly ýüzi üýtgetmegiň goşmaça çözgütleri
3. Hil kepilligi ulgamy
· Gelip gowuşýan materiallaryň barlagyny we proses gözegçiligini berk ýerine ýetirmek
· Doly ölçegli optik barlag we ýüz morfologiýasynyň analizi
· Önümiň netijeliligi boýunça synag hasabatlaryny bermek
4. Üpjünçilik zynjyry hyzmatlary
· Standart önümleri çalt eltip bermek
· Esasy hasaplar üçin ýörite inwentar dolandyryşy
5. Tehniki goldaw
· Programma çözgüdi boýunça maslahat beriş
· Satyşdan soňky çalt jogap
Biz ýarymgeçirijileriň, LED-leriň we beýleki ösen pudaklaryň berk talaplaryny kanagatlandyrmak üçin ýokary hilli Sapphire Lift Pins önümlerini we professional tehniki hyzmatlaryny hödürlemäge borçlanýarys.
