Senagat habarlary
-
Ynamdar kremniý wafli üpjün edijisini tapmagyň syrlaryny açmak
Jübiňizdäki smartfondan başlap, awtonom ulaglardaky datçiklere çenli, kremniý plitalary häzirki zaman tehnologiýasynyň esasyny düzýär. Olaryň hemme ýerde bolmagyna garamazdan, bu möhüm bölekleriň ygtybarly üpjün edijisini tapmak geň galdyryjy derejede çylşyrymly bolup biler. Bu makala esasy zatlara täze garaýyş hödürleýär ...Köpräk okaň -
Aýna täze gaplama platformasyna öwrülýär
Aýna maglumat merkezleri we telekommunikasiýa tarapyndan ýolbaşçylyk edilýän terminal bazarlary üçin çaltlyk bilen platforma materialyna öwrülýär. Maglumat merkezleriniň içinde ol iki esasy gaplama daşaýjysynyň esasynda durýar: çip arhitekturasy we optik giriş/çykyş (I/O). Onuň pes termal giňelme koeffisiýenti (CTE) we çuňňur ultramelewşe (DUV...)Köpräk okaň -
Çiplet çipleri özgertdi
1965-nji ýylda Intel-iň esaslandyryjysy Gordon Mur "Mur kanuny" diýlip atlandyrylan zady düşündirdi. Ýarym asyrdan gowrak wagt bäri ol integral mikrosxemalaryň (IC) işiniň durnukly ösüşini we häzirki zaman sanly tehnologiýasynyň esasy bolan çykdajylaryň azalmagyny goldady. Gysgaça aýdylanda: çipdäki tranzistorlaryň sany takmynan iki esse artýar...Köpräk okaň -
Ýarymgeçirijileriň önümçiligi üçin esasy çig mallar: Wafer substratlarynyň görnüşleri
Ýarymgeçiriji enjamlarda esasy materiallar hökmünde wafer substratlary wafer substratlary ýarymgeçiriji enjamlaryň fiziki daşaýjylarydyr we olaryň material häsiýetleri enjamyň işini, bahasyny we ulanylyş ugurlaryny gönüden-göni kesgitleýär. Aşakda wafer substratlarynyň esasy görnüşleri we olaryň artykmaçlyklary görkezilen...Köpräk okaň -
Bir döwrüň soňy? Wolfspeed bankrotlygy SiC peýzažyny täzeden şekillendirýär
“Wolfspeed” kompaniýasynyň bankrotlygy SiC ýarymgeçirijiler senagaty üçin uly öwrülişik nokadyny alamatlandyrýar Kremniý karbidi (SiC) tehnologiýasynda uzak wagtlap öňdebaryjy bolan “Wolfspeed” kompaniýasy şu hepde bankrotlyk üçin arza berdi, bu bolsa global SiC ýarymgeçirijiler ulgamynda uly üýtgeşme boldy. Kompaniýa...Köpräk okaň -
Inçe plýonka çökdürmek usullarynyň giňişleýin syny: MOCVD, Magnetron püskürtme we PECVD
Ýarymgeçirijiler önümçiliginde fotolitografiýa we aşındyrma iň köp agzalýan prosesler bolsa-da, epitaksial ýa-da inçe plýonka çökdürme usullary hem deň derejede möhümdir. Bu makala çip öndürmekde ulanylýan birnäçe umumy inçe plýonka çökdürme usullary, şol sanda MOCVD, magnitr... bilen tanyşdyrýar.Köpräk okaň -
Safir termoelementlerini goraýjy turbalar: Çyn senagat gurşawlarynda takyk temperatura duýujylygyny ösdürmek
1. Temperaturany ölçemek – Senagat gözegçiliginiň esasy Häzirki zaman senagatlary barha çylşyrymlaşýan we ekstremal şertlerde işleýänligi sebäpli, takyk we ygtybarly temperatura gözegçiligi möhüm ähmiýete eýe boldy. Dürli duýujy tehnologiýalaryň arasynda termoparlar giňden ulanylýar...Köpräk okaň -
Silikon karbidi AR gözlüklerini ýagtylandyrýar we çäksiz täze wizual tejribeleri açýar
Ynsan tehnologiýasynyň taryhyny köplenç tebigy mümkinçilikleri güýçlendirýän daşarky gurallar bolan "güýçlendirmeleriň" yzygiderli gözlegi hökmünde görmek bolýar. Mysal üçin, ot beýni ösüşi üçin has köp energiýa boşadyp, "goşmaça" iýmit siňdiriş ulgamy hökmünde hyzmat etdi. XIX asyryň ahyrynda dörän radio...Köpräk okaň -
Lazer bilen kesmek geljekde 8 dýuýmlyk kremniý karbidini kesmek üçin esasy tehnologiýa bolar. Sorag-jogaplar ýygyndysy
S: SiC wafer dilimlemekde we gaýtadan işlemekde ulanylýan esasy tehnologiýalar näme? A: Kremniý karbidi (SiC) diňe almazdan soň ikinji derejeli berklige eýedir we örän berk we döwülýän material hasaplanýar. Ösen kristallary inçe waferlere bölmegi öz içine alýan dilimlemek prosesi...Köpräk okaň -
SiC Wafer Gaýtadan Işlemek Tehnologiýasynyň Häzirki Ýagdaýy we Meýilleri
Üçünji nesil ýarymgeçiriji substrat materialy hökmünde, kremniý karbidi (SiC) monokristal ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly elektron enjamlaryny öndürmekde giň ulanyş mümkinçiliklerine eýedir. SiC-niň gaýtadan işlemek tehnologiýasy ýokary hilli substrat öndürmekde aýgytlaýjy rol oýnaýar...Köpräk okaň -
Üçünji nesil ýarymgeçirijiniň ösýän ýyldyzy: Galliý nitridi geljekde birnäçe täze ösüş nokady
Kremniý karbid enjamlary bilen deňeşdirilende, galliý nitridi güýç enjamlary netijeliligiň, ýygylygyň, göwrümiň we beýleki toplumlaýyn aspektleriň bir wagtyň özünde talap edilýän ýagdaýlarynda, mysal üçin, galliý nitridi esasyndaky enjamlar üstünlikli ulanylanda has köp artykmaçlyklara eýe bolar...Köpräk okaň -
Ýerli GaN senagatynyň ösüşi çaltlandyryldy
Galliý nitridi (GaN) elektrik enjamlarynyň ulanylyşy Hytaýyň sarp ediji elektronikasy satyjylarynyň ýolbaşçylygynda ep-esli artýar we elektrik GaN enjamlarynyň bazarynyň 2021-nji ýyldaky 126 million dollardan 2027-nji ýyla çenli 2 milliard dollara ýetmegine garaşylýar. Häzirki wagtda sarp ediji elektronikasy pudagy galliý nitridiniň esasy hereketlendiriji güýji bolup durýar...Köpräk okaň