ArtykmaçlyklaryAýna arkaly (TGV)we TGV arkaly Trough Silicon Via (TSV) prosesleri esasan:
(1) ajaýyp ýokary ýygylykly elektrik häsiýetnamalary. Aýna materialy izolýator materialydyr, dielektrik hemişelikligi kremniý materialynyňkydan diňe 1/3 bölegine deňdir we ýitgi koeffisiýenti kremniý materialynyňkydan 2-3 esse pesdir, bu bolsa substrat ýitgisini we parazit täsirlerini ep-esli azaldýar we geçirilýän signalyň bitewüligini üpjün edýär;
(2)uly ölçegli we örän inçe aýna substratalmak aňsat. Corning, Asahi we SCHOTT we beýleki aýna öndürijileri örän uly ölçegli (>2m × 2m) we örän inçe (<50µm) panel aýnalaryny we örän inçe çeýe aýna materiallaryny hödürläp bilerler.
3) Arzan baha. Uly ölçegli ultra inçe panel aýnasyna aňsat elýeterlilikden peýdalanyň we izolýasiýa gatlaklaryny goýmaly däl, aýna adapter plitasynyň önümçilik bahasy kremniý esasly adapter plitasynyň diňe 1/8 bölegine deňdir;
4) Ýönekeý proses. TGV-niň substrat ýüzüne we içki diwaryna izolýasiýa gatlagyny goýmaga zerurlyk ýok we örän inçe adapter plastinasynda inçelme talap edilmeýär;
(5) Güýçli mehaniki durnuklylyk. Adapter plastinasynyň galyňlygy 100µm-den az bolsa-da, döwülme henizem az bolýar;
(6) Ulanylyşyň giň gerimi, wafer derejesindäki gaplama ulgamynda ulanylýan täze uzynlyklaýyn özara baglanyşyk tehnologiýasydyr, wafer-wafer arasyndaky iň gysga aralyga ýetmek üçin, özara baglanyşyklygyň minimal ädimi täze tehnologiýa ýoluny üpjün edýär, ajaýyp elektrik, termal, mehaniki häsiýetlere eýedir, RF çipinde, ýokary derejeli MEMS datçiklerinde, ýokary dykyzlykly ulgam integrasiýasynda we özboluşly artykmaçlyklara eýe bolan beýleki ugurlarda, 5G-niň indiki nesli, 6G ýokary ýygylykly çip 3D bolup, ol indiki nesil 5G we 6G ýokary ýygylykly çipleriň 3D gaplamasy üçin ilkinji saýlawlaryň biridir.
TGV-niň galyplama prosesi, esasan, çäge üflemek, ultrasesli burawlamak, çygly aşyndyrma, çuň reaktiv ion aşyndyrma, fotosensitiw aşyndyrma, lazer aşyndyrmasy, lazer bilen induksiýa edilen çuňluk aşyndyrmasy we fokuslaýyş boşaltma deşiklerini emele getirmekden ybaratdyr.
Soňky ylmy-barlag we işläp taýýarlama netijeleri bu tehnologiýanyň 20:1 çuňluga ini gatnaşygy bilen deşiklerden we 5:1 görünmeýän deşiklerden taýýarlap bilýändigini we gowy morfologiýa eýedigini görkezýär. Lazer bilen induksiýa edilen çuňňur aşyndyrma, bu bolsa ýerüsti kiçi gödeklige getirýär, häzirki wagtda iň köp öwrenilen usuldyr. 1-nji suratda görkezilişi ýaly, adaty lazer burawlamasynyň töwereginde aýdyň ýaryklar bar, lazer bilen induksiýa edilen çuň aşyndyrmanyň daş-töweregi we gapdal diwarlary bolsa arassa we tekiz.
Gaýtadan işlemek prosesiTGVinterposer 2-nji suratda görkezilen. Umumy shema ilki bilen aýna substratda deşikleri burawlamakdan, soňra gapdal diwara we ýüze päsgelçilik gatlagyny we tohum gatlagyny goýmakdan ybarat. Howpsuzlyk gatlagy Cu-nyň aýna substrata ýaýramagynyň öňüni alýar, şol bir wagtyň özünde ikisiniň ýelmeşmegini artdyrýar, elbetde, käbir gözleglerde päsgelçilik gatlagynyň zerur däldigi hem anyklandy. Soňra Cu elektrokaplama arkaly goýulýar, soňra tawlanýar we Cu gatlagy CMP arkaly aýrylýar. Ahyrsoňy, RDL gaýtadan simlendirme gatlagy PVD örtük litografiýasy arkaly taýýarlanýar we ýelim aýrylandan soň passiwasiýa gatlagy emele gelýär.
(a) Plastinka taýýarlamak, (b) TGV emele getirmek, (c) iki taraplaýyn elektrokaplama – mis çökdürmek, (d) ýumşatmak we CMP himiki-mehaniki jylamak, ýüzleý mis gatlagyny aýyrmak, (e) PVD örtügi we litografiýa, (f) RDL gaýtadan sim gatlagyny ýerleşdirmek, (g) ýelmeşdirmek we Cu/Ti aşındyrmak, (h) passiwasiýa gatlagyny emele getirmek.
Jemläp aýtsak,aýna arkaly deşik (TGV)ulanylyş mümkinçilikleri giň we häzirki içerki bazar ösüş tapgyrynda, enjamlardan önüm dizaýnyna we ylmy-barlag işlerine çenli ösüş depgini dünýä ortaça derejesinden ýokary
Eger düzgün bozulma bolsa, aragatnaşygy pozuň
Ýerleşdirilen wagty: 2024-nji ýylyň 16-njy iýuly