Mazmuny
1. Süni intellekt çiplerinde ýylylyk ýaýramagynyň päsgelçilikleri we kremniý karbid materiallarynyň öňegidişligi
2. Kremniý karbid substratlarynyň häsiýetnamalary we tehniki artykmaçlyklary
3. NVIDIA we TSMC tarapyndan strategik meýilnamalar we bilelikdäki işlenip düzüliş
4.Amala aşyrmagyň ýoly we esasy tehniki kynçylyklar
5. Bazar mümkinçilikleri we kuwwatyň giňeldilmegi
6. Üpjünçilik zynjyryna we degişli kompaniýalaryň işine täsiri
7.Silikon karbidiniň giň ulanylyş ugurlary we umumy bazar ölçegleri
8.XKH-nyň özleşdirilen çözgütleri we önüm goldawy
Geljekki emeli intellekt çipleriniň ýylylyk ýaýramagy bilen baglanyşykly kynçylyklary kremniý karbidi (SiC) substrat materiallary çözüp bilýär.
Daşary ýurt metbugatynyň habarlaryna görä, NVIDIA täze nesil prosessorlarynyň CoWoS ösen gaplama prosesinde aralyk substrat materialyny kremniý karbidi bilen çalşyrmagy meýilleşdirýär. TSMC iri önüm öndürijileri SiC aralyk substratlary üçin önümçilik tehnologiýalaryny bilelikde işläp düzmäge çagyrdy.
Esasy sebäp, häzirki AI çipleriniň işiniň gowulanmagynyň fiziki çäklendirmelere duçar bolmagydyr. GPU-nyň güýji artdygyça, birnäçe çipi kremniý interposerlerine goşmak örän ýokary ýylylyk ýaýratma talaplaryny döredýär. Çipleriň içinde öndürilýän ýylylyk öz çägine golaýlaýar we däp bolan kremniý interposerleri bu meseläni netijeli çözüp bilmeýär.
NVIDIA prosessorlary ýylylyk paýlaýyş materiallaryny çalyşýar! Kremniý karbidiniň substratyna bolan isleg partlamaga taýýarlanýar! Kremniý karbidi giň zolakly ýarymgeçiriji bolup, onuň özboluşly fiziki häsiýetleri ýokary kuwwatly we ýokary ýylylyk akymy bolan ekstremal gurşawlarda uly artykmaçlyklary berýär. GPU ösen gaplamasynda ol iki esasy artykmaçlygy hödürleýär:
1. Ýylylyk paýlamak ukyby: Kremniý interposerlerini SiC interposerleri bilen çalşyrmak, ýylylyk garşylygyny tas 70% azaldyp biler.
2. Netijeli energiýa arhitekturasy: SiC has netijeli, kiçi naprýaženiýe regulýator modullaryny döretmäge mümkinçilik berýär, energiýa eltme ýollaryny ep-esli gysgaldyrýar, zynjyr ýitgilerini azaldýar we emeli intellekt hasaplama ýükleri üçin has çalt, has durnukly dinamiki tok jogaplaryny üpjün edýär.
Bu özgertme, ýokary öndürijilikli hasaplama çipleri üçin has netijeli çözgüt hödürläp, GPU kuwwatynyň yzygiderli artmagy sebäpli ýüze çykýan ýylylyk ýaýramagy bilen baglanyşykly kynçylyklary çözmegi maksat edinýär.
Kremniý karbidiniň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden 2-3 esse ýokary bolup, ýylylyk dolandyryş netijeliligini netijeli ýokarlandyrýar we ýokary kuwwatly çiplerde ýylylyk ýaýramagy bilen baglanyşykly meseleleri çözýär. Onuň ajaýyp ýylylyk öndürijiligi GPU çipleriniň birleşme temperaturasyny 20-30°C çenli azaldyp, ýokary kompýuterli senariýalarda durnuklylygy ep-esli ýokarlandyrýar.
Amala getirmek ýoly we kynçylyklary
Üpjünçilik zynjyrynyň çeşmelerine görä, NVIDIA bu material özgertmesini iki ädimde amala aşyrar:
•2025-2026: Birinji nesil Rubin GPU henizem kremniý interposerlerini ulanar. TSMC iri önüm öndürijileri SiC interposer öndürmek tehnologiýasyny bilelikde işläp düzmäge çagyrdy.
•2027: SiC interposerler resmi taýdan ösen gaplama prosesine goşular.
Şeýle-de bolsa, bu meýilnama, esasanam önümçilik proseslerinde köp kynçylyklar bilen ýüzbe-ýüz bolýar. Kremniý karbidiniň berkligi almazyňky bilen deňeşdirilip bilner, bu bolsa örän ýokary kesiş tehnologiýasyny talap edýär. Eger kesiş tehnologiýasy ýeterlik bolmasa, SiC ýüzi tolkunly bolup, ösen gaplama üçin ulanyp bolmajak ýagdaýa getirip biler. Ýaponiýanyň DISCO ýaly enjam öndürijileri bu kynçylygy çözmek üçin täze lazer kesiş enjamlaryny işläp düzmek üçin işleýärler.
Geljekki mümkinçilikler
Häzirki wagtda SiC interposer tehnologiýasy ilki bilen iň ösen AI çiplerinde ulanylar. TSMC 2027-nji ýylda has köp prosessorlary we ýatlary birleşdirmek üçin 7x retikully CoWoS-y işe girizmegi meýilleşdirýär, interposer meýdanyny 14,400 mm²-e çenli artdyrýar, bu bolsa substratlara bolan islegiň artmagyna sebäp bolar.
“Morgan Stanley” global aýlyk “CoWoS” gaplama kuwwatynyň 2024-nji ýylda 38,000 12 dýuýmly waferlerden 2025-nji ýylda 83,000-e we 2026-njy ýylda 112,000-e çenli ýokarlanjakdygyny çaklaýar. Bu ösüş SiC interposerlerine bolan islegi gönüden-göni artdyrar.
12 dýuýmlyk SiC substratlary häzirki wagtda gymmat bolsa-da, köpçülikleýin önümçiligiň giňelmegi we tehnologiýanyň kämilleşmegi bilen bahalaryň kem-kemden makul derejä düşmegine we giň möçberli ulanylyşlar üçin şertleriň döremegine garaşylýar.
SiC interposerleri diňe bir ýylylyk ýaýratma meselelerini çözmän, eýsem integrasiýa dykyzlygyny hem ep-esli gowulandyrýar. 12 dýuýmlyk SiC substratlarynyň meýdany 8 dýuýmlyk substratlaryň meýdanyndan tas 90% uly, bu bolsa bir interposeriň has köp Chiplet modullaryny integrasiýa etmegine mümkinçilik berýär we NVIDIA-nyň 7x retikully CoWoS gaplama talaplaryny gönüden-göni goldaýar.
TSMC, SiC interposer öndürmek tehnologiýasyny işläp düzmek üçin DISCO ýaly ýapon kompaniýalary bilen hyzmatdaşlyk edýär. Täze enjamlar ornaşdyrylandan soň, SiC interposer öndürmek has ýumşak dowam eder we öňdebaryjy gaplamalara iň irki giriş 2027-nji ýylda garaşylýar.
Bu habaryň täsiri bilen, SiC bilen baglanyşykly aksiýalar 5-nji sentýabrda güýçli görkezijilere eýe boldy we indeks 5,76% ýokarlandy. Tianyue Advanced, Luxshare Precision we Tiantong Co. ýaly kompaniýalar gündelik limitden geçdiler, Jingsheng Mechanical & Electrical we Yintang Intelligent Control bolsa 10% -den gowrak ýokarlandy.
“Daily Economic News” gazetiniň habaryna görä, öndürijiligi ýokarlandyrmak üçin NVIDIA “CoWoS” ösen gaplama prosesinde aralyk substrat materialyny indiki nesil “Rubin” prosessoryny işläp düzmek meýilnamasynda kremniý karbidi bilen çalşyrmagy meýilleşdirýär.
Köpçülige mälim bolan maglumatlar kremniý karbidiniň ajaýyp fiziki häsiýetlere eýedigini görkezýär. Kremniý enjamlary bilen deňeşdirilende, SiC enjamlary ýokary kuwwatlylyk dykyzlygy, pes kuwwatlylyk ýitgisi we ýokary temperaturada ajaýyp durnuklylyk ýaly artykmaçlyklary hödürleýär. "Tianfeng Securities" kompaniýasynyň maglumatlaryna görä, SiC senagat zynjyrynyň ýokarky akymy SiC substratlaryny we epitaksial waferleri taýýarlamagy öz içine alýar; ortaky akymy bolsa SiC kuwwatly enjamlarynyň we RF enjamlarynyň dizaýnyny, önümçiligini we gaplanyşyny/synagyny öz içine alýar.
Öňe gidýän bolsa, SiC ulanylyşlary giň gerimli bolup, täze energiýa ulaglary, fotowoltaika, senagat önümçiligi, ulag, aragatnaşyk baza stansiýalary we radar ýaly on sany pudagy öz içine alýar. Bularyň arasynda awtoulag senagaty SiC üçin esasy ulanylyş ugry bolar. "Aijian Securities" kompaniýasynyň maglumatlaryna görä, 2028-nji ýyla çenli awtoulag pudagy global energiýa SiC enjamlary bazarynyň 74% -ni düzer.
“Yole Intelligence” kompaniýasynyň maglumatlaryna görä, umumy bazaryň möçberi babatda 2022-nji ýylda global geçiriji we ýarym izolýasiýa ediji SiC substrat bazarynyň möçberi degişlilikde 512 million we 242 million boldy. 2026-njy ýyla çenli global SiC bazarynyň möçberiniň 2,053 milliarda ýetjekdigi, geçiriji we ýarym izolýasiýa ediji SiC substrat bazarlarynyň möçberiniň degişlilikde 1,62 milliard we 433 million dollara ýetjekdigi çaklanylýar. 2022-nji ýyldan 2026-njy ýyla çenli geçiriji we ýarym izolýasiýa ediji SiC substratlarynyň ýyllyk ösüş depgininiň (CAGR) degişlilikde 33,37% we 15,66% bolmagyna garaşylýar.
XKH kremniý karbidiniň (SiC) önümleriniň ýörite işlenip düzülmegine we global satuwyna ýöriteleşýär we geçiriji we ýarym izolýasiýa ediji kremniý karbidiniň substratlary üçin 2-den 12 dýuýma çenli doly ölçegli diapazony hödürleýär. Biz kristalyň ugry, garşylyk (10⁻³–10¹⁰ Ω·sm) we galyňlyk (350–2000μm) ýaly parametrleriň şahsylaşdyrylan özleşdirilmegini goldaýarys. Önümlerimiz täze energiýa ulaglary, fotowoltaik inwertorlar we senagat motorlary ýaly ýokary derejeli ugurlarda giňden ulanylýar. Berk üpjünçilik zynjyry ulgamyny we tehniki goldaw toparyny ulanyp, biz çalt jogap bermegi we takyk eltip bermegi üpjün edýäris, müşderilere enjamyň işini ýokarlandyrmaga we ulgamyň çykdajylaryny optimizirlemäge kömek edýäris.
Ýerleşdirilen wagty: 2025-nji ýylyň 12-nji sentýabry