12 dýuýmlyk kremniý karbidli wafer lazerli göteriji tehnologiýada uly üstünlik

Mazmuny

1. 12 dýuýmlyk kremniý karbidli wafer lazerli göteriji tehnologiýada uly üstünlik

2. SiC senagatynyň ösüşi üçin tehnologik öňegidişligiň köp sanly ähmiýeti

3. Geljekki mümkinçilikler: XKH-nyň toplumlaýyn ösüş we senagat hyzmatdaşlygy

Ýakynda ýerli ýarymgeçiriji enjamlaryň öňdebaryjy öndürijisi bolan “Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd.” kompaniýasy kremniý karbidini (SiC) gaýtadan işlemek tehnologiýasynda uly üstünlik gazandy. Kompaniýa özbaşdak işlenip düzülen lazerli aýyrma enjamlaryny ulanyp, 12 dýuýmlyk kremniý karbidi waferlerini üstünlikli aýyrdy. Bu üstünlik Hytaý üçin üçünji nesil ýarymgeçiriji esasy önümçilik enjamlary ulgamynda möhüm ädim bolup durýar we global kremniý karbidi senagatynda çykdajylary azaltmak we netijeliligi ýokarlandyrmak üçin täze çözgüt hödürleýär. Bu tehnologiýa ozal 6/8 dýuýmlyk kremniý karbidi ulgamynda köp sanly müşderiler tarapyndan tassyklanyldy we enjamlaryň öndürijiligi halkara derejede ösen derejä ýetdi.

Bu tehnologiki üstünlik kremniý karbidi senagatynyň ösüşi üçin köp sanly ähmiýete eýedir, şol sanda:

1. Önümçilik çykdajylarynyň ep-esli azaldylmagy:Esasy 6 dýuýmlyk kremniý karbid plitalary bilen deňeşdirilende, 12 dýuýmlyk kremniý karbid plitalary elýeterli meýdany takmynan dört esse artdyrýar we çip birliginiň çykdajylaryny 30%-40% azaldýar.

2. Senagatyň üpjünçilik kuwwatynyň ýokarlandyrylmagy:Ol iri göwrümli kremniý karbidi waferlerini gaýtadan işlemekdäki tehniki päsgelçilikleri çözýär we kremniý karbidiniň önümçilik kuwwatynyň global derejede giňeldilmegi üçin enjam goldawyny üpjün edýär.

3. Çaltlaşdyrylan Lokalizasiýany Çalşyrmak Prosesi:Ol uly göwrümli kremniý karbidini gaýtadan işleýän enjamlar ulgamynda daşary ýurt kompaniýalarynyň tehnologik monopoliýasyny bozýar we Hytaýyň ýarymgeçiriji enjamlarynyň awtonom we gözegçilikde saklanýan ösüşine möhüm goldaw berýär.

4. Aşakdaky programmalaryň meşhurlygyny öňe sürmek:Çykdajylaryň azaldylmagy kremniý karbid enjamlarynyň täze energiýa ulaglary we gaýtadan dikeldilýän energiýa ýaly esasy ugurlarda ulanylmagyny çaltlaşdyrar.

“Beijing Jingfei Semiconductor Technology Co., Ltd.” kompaniýasy Hytaý Ylymlar akademiýasynyň ýarymgeçirijiler institutynyň kärhanasy bolup, ýöriteleşdirilen ýarymgeçiriji enjamlaryny öwrenmek we işläp düzmek, öndürmek we satmak bilen meşgullanýar. Lazer ulanmak tehnologiýasyny öz içine alýan kompaniýa, esasy ýerli ýarymgeçiriji önümçilik müşderilerine hyzmat edip, garaşsyz intellektual eýeçilik hukuklaryna eýe bolan ýarymgeçiriji gaýtadan işleýän enjamlaryň toplumyny işläp düzdi.

“Jingfei Semiconductor” kompaniýasynyň baş direktory şeýle diýdi: “Biz senagat ösüşini öňe sürmek üçin hemişe tehnologik innowasiýalara eýerýäris. 12 dýuýmlyk kremniý karbid lazerli göteriji tehnologiýasynyň üstünlikli işlenip düzülmegi diňe bir kompaniýanyň tehniki mümkinçilikleriniň şöhlelenmesi däl, eýsem Pekin şäher Ylym we tehnologiýa komissiýasynyň, Hytaý Ylymlar akademiýasynyň ýarymgeçirijiler institutynyň we Pekin-Týanszin-Hebeý milli tehnologiýa innowasiýa merkezi tarapyndan gurnalan we durmuşa geçirilýän esasy ýörite “Bozujy tehnologik innowasiýa” taslamasynyň güýçli goldawyndan hem peýda görýäris. Geljekde müşderilere has ýokary hilli ýarymgeçiriji enjam çözgütlerini hödürlemek üçin ylmy-barlag we tejribe-konstruktorçylyk maýa goýumlaryny artdyrmagy dowam etdireris”.

Netije

Geljege seredip, XKH SiC senagatyndaky tehnologik ösüş we bazar üýtgeşmelerini işjeň çözmek üçin giňişleýin kremniý karbid substrat önüm portfelini (2-den 12 dýuýma çenli birleşdiriji we özleşdirilen gaýtadan işleme mümkinçilikleri bilen) we köp materially tehnologiýany (4H-N, 4H-SEMI, 4H-6H/P, 3C-N we ş.m. goşmak bilen) ulanar. Plastinka önümçiligini yzygiderli ýokarlandyrmak, önümçilik çykdajylaryny azaltmak we ýarymgeçiriji enjam öndürijileri we ahyrky müşderiler bilen hyzmatdaşlygy çuňlaşdyrmak arkaly XKH global täze energiýa, ýokary woltly elektronika we ýokary temperaturaly senagat ulanylyşlary üçin ýokary öndürijilikli we ýokary ygtybarly substrat çözgütlerini hödürlemäge borçlanýar. Biz müşderilere tehniki päsgelçilikleri ýeňip geçmäge we ölçeklenip bilinýän ornaşdyrmaga kömek etmäge, özümizi SiC gymmatlyk zynjyrynda ygtybarly esasy material hyzmatdaşy hökmünde görkezmäge çalyşýarys.