HPSI SiCOI wafer 4 6inch gidrofolik baglanyş

HPSI SiCOI wafer 4 6 dýuýmly gidrofolik baglanyşy Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Ýokary arassa ýarym izolýasiýaly (HPSI) 4H-SiCOI waferleri ösen birikdirme we inçelme tehnologiýalary ulanylyp işlenip düzülýär. Waferler 4H HPSI kremniý karbid substratlaryny termooksid gatlaklaryna iki esasy usul arkaly birikdirip öndürilýär: gidrofil (göni) birikdirme we ýüzleý aktiwleşdirilen birikdirme. Ikinjisi, birikdirme hilini gowulandyrmak we köpürjikleri azaltmak üçin, esasanam optiki ulanylyşlar üçin amatly bolan aralyk üýtgedilen gatlagy (amorf kremniý, alýumin oksidi ýa-da titan oksidi ýaly) girizýär. Kremniý karbid gatlagynyň galyňlygyny dolandyrmak ion implantasiýasyna esaslanýan SmartCut ýa-da üwmek we CMP jylamak prosesleri arkaly amala aşyrylýar. SmartCut ýokary takyklykly galyňlyk deňligini hödürleýär (±20nm deňligi bilen 50nm–900nm), ýöne ion implantasiýa sebäpli kiçi kristal zeperlenmesine sebäp bolup biler, bu bolsa optiki enjamyň işine täsir edýär. Üwmek we CMP jylamak material zeperlenmesiniň öňüni alýar we galyň plýonkalar (350nm–500µm) we kwant ýa-da PIC ulanylyşlary üçin has amatlydyr, ýöne galyňlyk deňligi az (±100nm). Standart 6 dýuýmlyk plitalar 675 µm Si substratlarynyň üstünde 3 µm SiO2 gatlagynda 1 µm ± 0.1 µm SiC gatlagyna eýe bolup, ajaýyp ýüz tekizligine (Rq < 0.2 nm) eýedir. Bu HPSI SiCOI plitalary ajaýyp material hiline we proses çeýeligine eýe bolup, MEMS, PIC, kwant we optiki enjam önümçiligine hyzmat edýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

SiCOI Wafer (izolyatordaky kremniý karbidi) häsiýetlerine umumy syn

SiCOI plitalary, elektrik elektronikasynda, RF-de we fotonika ulgamyndaky iş görkezijileri gowulandyrmak üçin kremniý karbidini (SiC) izolýasiýa gatlagy, köplenç SiO₂ ýa-da sapfir bilen birleşdirýän täze nesil ýarymgeçiriji substratdyr. Aşakda olaryň esasy bölümlere bölünen häsiýetleriniň jikme-jik syny berilýär:

Emläk	Beýany
Materialyň düzümi	Izolaýsiýa substratyna (adatça SiO₂ ýa-da sapfir) ýelmeşen kremniý karbidi (SiC) gatlagy
Kristal gurluşy	Adatça, ýokary kristal hili we birmeňzeşligi bilen tanalýan SiC-niň 4H ýa-da 6H politipleri
Elektrik häsiýetleri	Ýokary döwülme elektrik meýdany (~3 MV/sm), giň zolak aralygy (4H-SiC üçin ~3.26 eV), pes syzma togy
Termal geçirijilik	Ýokary ýylylyk geçirijiligi (~300 W/m·K), ýylylygyň netijeli ýaýramagyna mümkinçilik berýär
Dielektrik gatlak	Izolýasiýa gatlagy (SiO₂ ýa-da sapfir) elektrik izolýasiýasyny üpjün edýär we parazit kuwwatyny azaldýar
Mehaniki häsiýetler	Ýokary gatylyk (~9 Mohs şkalasy), ajaýyp mehaniki berklik we termal durnuklylyk
Ýüzleýiş	Adatça pes kemçilik dykyzlygy bilen ultra ýumşak, enjam öndürmek üçin amatly
Programmalar	Güýç elektronikasy, MEMS enjamlary, RF enjamlary, ýokary temperatura we naprýaženiýe çydamlylygyny talap edýän sensorlar

SiCOI waferleri (izolyatordaky kremniý karbidi) ösen ýarymgeçiriji substrat gurluşyny görkezýär, ol izolýasiýa gatlagyna, adatça kremniý dioksidine (SiO₂) ýa-da sapfire birikdirilen ýokary hilli inçe kremniý karbidiniň (SiC) gatlagyndan ybarat. Kremniý karbidi ýokary woltly we ýokary temperaturalara çydamlylygy, şeýle hem ajaýyp ýylylyk geçirijiligi we ýokary mehaniki gatylygy bilen tanalýan giň zolakly ýarymgeçiriji bolup, ony ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly elektron ulgamlary üçin ideal edýär.

SiCOI plitalaryndaky izolýasiýa gatlagy netijeli elektrik izolýasiýasyny üpjün edýär, enjamlar arasyndaky parazit kuwwatyny we syzma akymlaryny ep-esli azaldýar, şeýlelik bilen enjamyň umumy işini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar. Plastinanyň ýüzi mikro we nano ölçegli enjamlaryň öndürilişiniň berk talaplaryna laýyk gelýän minimal kemçilikler bilen ultra ýumşaklyga ýetmek üçin takyk jylaňlandyrylýar.

Bu material gurluşy diňe bir SiC enjamlarynyň elektrik häsiýetlerini gowulandyrman, eýsem termal dolandyryşy we mehaniki durnuklylygy hem ep-esli ýokarlandyrýar. Netijede, SiCOI plitalary elektrik elektronikasynda, radio ýygylykly (RF) komponentlerinde, mikroelektromehaniki ulgamlarda (MEMS) datçiklerde we ýokary temperaturaly elektronikada giňden ulanylýar. Umuman, SiCOI plitalary kremniý karbidiniň ajaýyp fiziki häsiýetlerini izolýator gatlagynyň elektrik izolýasiýa artykmaçlyklary bilen birleşdirip, ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji enjamlaryň indiki nesli üçin ideal binýady üpjün edýär.

SiCOI waferiniň ulanylyşy

Güýçli elektronika enjamlary

Ýokary woltly we ýokary kuwwatly açarlar, MOSFET-ler we diodlar

SiC-iň giň zolak aralygyndan, ýokary döwülme naprýaženiýesinden we termal durnuklylygyndan peýdalanyň

Elektrik energiýasyny öwürmek ulgamlarynda elektrik energiýasynyň ýitgileriniň azaldylmagy we netijeliligiň ýokarlandyrylmagy

Radio ýygylyk (RF) komponentleri

Ýokary ýygylykly tranzistorlar we güýçlendirijiler

Izolaýsiýa gatlagy sebäpli pes parazit kuwwaty RF işini ýokarlandyrýar

5G aragatnaşyk we radar ulgamlary üçin amatly

Mikroelektromehaniki ulgamlar (MEMS)

Agyr şertlerde işleýän sensorlar we aktuatorlar

Mehaniki berklik we himiki inertlik enjamyň ömrüni uzaldýar

Basym datçiklerini, akselerometrleri we giroskoplary öz içine alýar

Ýokary temperatura elektronikasy

Awtomobil, aerokosmik we senagat ulanylyşlary üçin elektronika

Kremniýiň ýetmezçilik edýän ýokary temperaturalarynda ygtybarly işleýär

Fotonik enjamlar

Izolýator substratlarynda optoelektron komponentleri bilen integrasiýa

Çipdäki fotonika bilen termal dolandyryşy gowulandyrýar

SiCOI waferiniň sorag-jogaplary

S:SiCOI wafer näme

A：SiCOI wafer kremniý karbidiniň izolýatordaky waferini aňladýar. Ol kremniý karbidiniň (SiC) inçe gatlagynyň izolýasiýa gatlagyna, adatça kremniý dioksidine (SiO₂) ýa-da käte sapfire birikdirilýän ýarymgeçiriji substratyň bir görnüşidir. Bu gurluş düşünjesi boýunça belli kremniý izolýatordaky (SOI) waferlerine meňzeýär, ýöne kremniýiň ýerine SiC ulanýar.