Ýarymgeçirijiler, fotonika optiki ulanylyşy üçin ýokary arassalykly erginleşdirilen kwarts plitalary 2″4″6″8″12″
Jikme-jik diagramma
Kwars aýnasyna umumy syn
Kwarts lamelleri häzirki zaman sanly dünýäsini herekete getirýän san-sajaksyz döwrebap enjamlaryň esasyny düzýär. Smartfonyňyzdaky nawigasiýadan 5G baza stansiýalarynyň esasyna çenli, kwarts ýokary öndürijilikli elektronikada we fotonikada talap edilýän durnuklylygy, arassalygy we takyklygy sessiz üpjün edýär. Çeýe elektrik zynjyrlaryny goldamak, MEMS sensorlaryny işletmek ýa-da kwantum hasaplamalarynyň esasyny döretmek bolsun, kwartsyň özboluşly aýratynlyklary ony pudaklarda aýrylmaz edýär.
“Ereýän kremniý” ýa-da “Ereýän kwarts”, kwarsyň (SiO2) amorf fazasy. Borosilikat aýna bilen deňeşdirilende, ereýän kremniýiň hiç hili goşundylar ýok; şonuň üçin ol arassa görnüşinde, SiO2-de bar. Ereýän kremniý adaty aýna bilen deňeşdirilende infragyzyl we ultramelewşe spektrde has ýokary geçirijilige eýedir. Ereýän kremniý ultra arassa SiO2-ni eredip we gaýtadan gatylaşdyrmak arkaly öndürilýär. Beýleki tarapdan, sintetiki ereýän kremniý SiCl4 ýaly kremniý baý himiki prekursorlardan ýasalýar, olar gazlaşdyrylýar we soňra H2 + O2 atmosferasynda oksidlenýär. Bu ýagdaýda emele gelen SiO2 tozany substratda kremniý dioksidine ereýär. Ereýän kremniý bloklary waferlere kesilýär, soňra waferler ahyrsoňy jylaňlanýar.
Kwarts aýna waferiniň esasy aýratynlyklary we artykmaçlyklary
-
Ultra ýokary arassalyk (≥99.99% SiO2)
Materiallaryň hapalanmagynyň iň pes derejede saklanmaly bolan örän arassa ýarymgeçiriji we fotonika prosesleri üçin ideal. -
Giň termal iş diapazony
Kriogen temperaturadan başlap, 1100°C-den ýokary temperatura çenli gurluş bitewüligini egrilmezden ýa-da zaýalanmazdan saklaýar. -
Ajaýyp UV we IR geçirijiligi
Çuňňur ultramelewşe (DUV) şöhlelerinden infragyzyl şöhlelere (NIR) çenli ajaýyp optiki aýdyňlygy üpjün edýär we takyk optiki ulanylyşlary goldaýar. -
Pes Termal Giňelme Koeffisiýenti
Temperatura üýtgemelerinde ölçeg durnuklylygyny güýçlendirýär, stresi azaldýar we prosesiň ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar. -
Ýokary himiki garşylyk
Kislotalaryň, alkalileriň we erginleriň köpüsine inert, şonuň üçin ol himiki taýdan agressiw gurşawlar üçin amatlydyr. -
Ýüziň örtük çeýeligi
Fotonika we MEMS talaplaryna laýyk gelýän, örän ýumşak, bir taraply ýa-da iki taraply jylaňlanan örtükler bilen elýeterlidir.
Kwars aýna waferiniň önümçilik prosesi
Eridilen kwarts waferleri birnäçe gözegçilikli we takyk ädimler arkaly öndürilýär:
-
Çig mal saýlamagy
Ýokary arassalykly tebigy kwarts ýa-da sintetiki SiO₂ çeşmeleriniň saýlanmagy. -
Ereme we Birleşme
Kwarts goşulmalary we köpürjikleri aradan aýyrmak üçin gözegçilik edilýän atmosferanyň aşagynda elektrik peçlerinde ~2000°C derejede eredilýär. -
Blok emele getirmek
Eriýän kremniý berk bloklara ýa-da külçelere sowadylýar. -
Wafer dilimlemek
Külçeleri wafer boşluklaryna kesmek üçin takyk almaz ýa-da simli arralar ulanylýar. -
Çaplama we jilolama
Iki ýüz hem optiki, galyňlyk we gödeklik talaplaryna laýyk gelmek üçin tekizlenýär we jylaňlanýar. -
Arassalamak we barlag
Waferler ISO 100/1000 klasy arassa otaglarynda arassalanýar we kemçilikleri we ölçegleriň laýyklygy üçin berk barlagdan geçirilýär.
Kwars Aýna Plastinkasynyň Häsiýetleri
| tehniki häsiýetnama | birlik | 4" | 6" | 8" | 10" | 12" |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Diametr / ölçeg (ýa-da kwadrat) | mm | 100 | 150 | 200 | 250 | 300 |
| Çydamlylyk (±) | mm | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 | 0.2 |
| Galyňlygy | mm | 0.10 ýa-da ondan köp | 0.30 ýa-da ondan köp | 0.40 ýa-da ondan köp | 0.50 ýa-da ondan köp | 0.50 ýa-da ondan köp |
| Esasy salgylanma tekizligi | mm | 32.5 | 57.5 | Ýarym çentik | Ýarym çentik | Ýarym çentik |
| LTV (5mm×5mm) | μm | < 0.5 | < 0.5 | < 0.5 | < 0.5 | < 0.5 |
| TTV | μm | < 2 | < 3 | < 3 | < 5 | < 5 |
| Ýaý | μm | ±20 | ±30 | ±40 | ±40 | ±40 |
| Warp | μm | ≤ 30 | ≤ 40 | ≤ 50 | ≤ 50 | ≤ 50 |
| PLTV (5mm×5mm) < 0.4μm | % | ≥95% | ≥95% | ≥95% | ≥95% | ≥95% |
| Gyralary tegeleklemek | mm | SEMI M1.2 standartyna laýyk / IEC62276-a serediň | ||||
| Ýüziň görnüşi | Bir tarapy jilalanan / Iki tarapy jilalanan | |||||
| Jilalanan tarapy Ra | nm | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ≤1 | ≤1 |
| Arka tarapyň kriteriýalary | μm | umumy 0.2-0.7 ýa-da özleşdirilen | ||||
Kwarts we beýleki açyk materiallar
| Emläk | Kwars Aýnasy | Borosilikat aýnasy | Sapfir | Standart aýna |
|---|---|---|---|---|
| Maksimum iş temperaturasy | ~1100°C | ~500°C | ~2000°C | ~200°C |
| UV geçirişi | Ajaýyp (JGS1) | Garyp | Gowy | Örän garyp |
| Himiki garşylyk | Ajaýyp | Ortaça | Ajaýyp | Garyp |
| Arassalyk | Örän ýokary | Pesden orta derejä çenli | Ýokary | Pes |
| Termal giňelme | Gaty pes | Ortaça | Pes | Ýokary |
| Bahasy | Ortadan ýokary | Pes | Ýokary | Gaty pes |
Kwars Aýna Wafer barada köp berilýän soraglar
S1: Ereýän kwarts bilen ereýän kremniýiň arasyndaky tapawut näme?
Ikisi hem SiO₂-nyň amorf görnüşleri bolsa-da, ereýän kwarts adatça tebigy kwarts çeşmelerinden gelip çykýar, ereýän kremniý bolsa sintetiki usulda öndürilýär. Funksional taýdan olar meňzeş öndürijiligi hödürleýär, ýöne ereýän kremniý birneme ýokary arassalyga we birmeňzeşlige eýe bolup biler.
S2: Eritilen kwarts waferlerini ýokary wakuum gurşawlarynda ulanyp bolýarmy?
Hawa. Gaz çykarmagyň pes häsiýetleri we ýokary termal garşylygy sebäpli, ereýän kwarts plitalary wakuum ulgamlary we awiakosmos ulgamlary üçin ajaýypdyr.
S3: Bu plastinalar çuňňur ultrafiolet lazer ulanylyşlary üçin amatlymy?
Elbetde. Ereýän kwartsyň ~185 nm-e çenli ýokary geçirijiligi bar, bu bolsa ony DUV optikasy, litografiýa maskalary we eksimer lazer ulgamlary üçin ideal edýär.
S4: Siz zakaz boýunça wafli ýasamagy goldaýarsyňyzmy?
Hawa. Siziň aýratyn ulanyş talaplaryňyza esaslanyp, diametri, galyňlygy, ýüz hili, tekizlikler/çekişler we lazer nagyşlary ýaly doly özleşdirme hyzmatlaryny hödürleýäris.
Biz barada
XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.
