4 дюйм 6 дюйм Si substratynyň üstünde galliý nitridi, ugur, garşylyk we N-tipli/P-tipli opsiýalar.
Aýratynlyklar
●Giň zolak aralygy:GaN (3.4 eV) adaty kremniý bilen deňeşdirilende ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly we ýokary temperatura öndürijiligini ep-esli gowulandyrýar, bu bolsa ony güýç enjamlary we RF güýçlendirijileri üçin ideal edýär.
●Sazlanyp bolýan Si substratynyň ugry:Enjamyň belli bir talaplaryna laýyk gelmek üçin <111>, <100> we beýlekiler ýaly dürli Si substrat ugurlaryndan saýlaň.
● Özleşdirilen garşylyk:Enjamyň işini optimizirlemek üçin Si üçin ýarym izolýasiýadan ýokary garşylykly we pes garşylykly dürli garşylyk wariantlarynyň arasyndan saýlaň.
●Doping görnüşi:Güýç enjamlarynyň, RF tranzistorlarynyň ýa-da LED-leriň talaplaryna laýyk gelmek üçin N-tipli ýa-da P-tipli lehimleme görnüşinde elýeterlidir.
●Ýokary döwülme woltažy:GaN-on-Si plitalary ýokary döwülme naprýaženiýesine eýedir (1200V çenli), bu bolsa olara ýokary naprýaženiýeli ulanyşlary dolandyrmaga mümkinçilik berýär.
●Has çalt geçiş tizlikleri:GaN kremniýden has ýokary elektron hereketliligine we kommutasiýa ýitgilerine eýedir, bu bolsa GaN-on-Si plastinalaryny ýokary tizlikli zynjyrlar üçin ideal edýär.
●Ýokary Termal Işjeňlik:Kremniýiň pes ýylylyk geçirijiligine garamazdan, GaN-on-Si adaty kremniý enjamlaryna garanyňda has gowy ýylylyk ýaýradyjylygy bilen has ýokary ýylylyk durnuklylygyny üpjün edýär.
Tehniki aýratynlyklar
| Parametr | Bahasy |
| Wafer ölçegi | 4 dýuým, 6 dýuým |
| Si substratynyň ugry | <111>, <100>, özleşdirilen |
| Si garşylygy | Ýokary garşylykly, Ýarym izolýasiýaly, Pes garşylykly |
| Doping görnüşi | N-tipli, P-tipli |
| GaN gatlagynyň galyňlygy | 100 nm – 5000 nm (özgertmek mümkin) |
| AlGaN Barýer Gatlagy | 24% – 28% Al (adaty 10-20 nm) |
| Buzulyş naprýaženiýesi | 600V – 1200V |
| Elektron hereketliligi | 2000 sm²/V·s |
| Geçiş ýygylygy | 18 GHz çenli |
| Wafer ýüzüniň gödekligi | RMS ~0.25 nm (AFM) |
| GaN list garşylygy | 437.9 Ω·sm² |
| Umumy Wafer Warp | < 25 µm (maksimum) |
| Termal geçirijilik | 1.3 – 2.1 W/sm·K |
Programmalar
Güýçli elektronikaGaN-on-Si gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda, elektrik awtoulaglarynda (EV) we senagat enjamlarynda ulanylýan güýç güýçlendirijileri, konwertorlar we inwertorlar ýaly güýç elektronikasy üçin idealdyr. Onuň ýokary döwülme naprýaženiýesi we pes garşylygy, hatda ýokary kuwwatly ulanylyşlarda hem, güýç konwersiýasynyň netijeli bolmagyny üpjün edýär.
RF we mikrotolkunly aragatnaşykGaN-on-Si waferleri ýokary ýygylykly mümkinçilikleri hödürleýär, bu bolsa olary RF güýç güýçlendirijileri, hemra aragatnaşygy, radar ulgamlary we 5G tehnologiýalary üçin ajaýyp edýär. Ýokary geçiş tizligi we ýokary ýygylyklarda işlemek ukyby bilen (... çenli)18 GHz), GaN enjamlary bu programmalarda has ýokary öndürijilik hödürleýär.
Awtomobil elektronikasyGaN-on-Si awtoulaglaryň energiýa ulgamlarynda, şol sandabortdaky zarýad berijiler (OBC)weDC-DC öwrüjileriOnuň ýokary temperaturada işlemegi we ýokary naprýaženiýe derejelerine çydap bilmegi, ony güýçli energiýa öwrülmegini talap edýän elektrik awtoulaglary üçin gowy laýyk gelýär.
LED we OptoelektronikaGaN saýlanan materialdyr gök we ak LED-lerGaN-on-Si plitalary ýokary netijeli LED yşyklandyryş ulgamlaryny öndürmek üçin ulanylýar we yşyklandyryşda, displeý tehnologiýalarynda we optiki aragatnaşykda ajaýyp öndürijilik üpjün edýär.
Sorag-jogap
S1: Elektron enjamlarda GaN-yň kremniýden artykmaçlygy näme?
A1:GaN-yň birhas giň zolak aralygy (3.4 eV)kremniýden (1.1 eV) has ýokary naprýaženiýelere we temperaturalara çydap bilmäge mümkinçilik berýär. Bu häsiýet GaN-a ýokary kuwwatly programmalary has netijeli dolandyrmaga mümkinçilik berýär, energiýa ýitgisini azaldýar we ulgamyň işini ýokarlandyrýar. GaN şeýle hem RF güýçlendirijileri we güýç öwrüjileri ýaly ýokary ýygylykly enjamlar üçin möhüm bolan has çalt geçiş tizligini hödürleýär.
S2: Si substratynyň ugruny ulanylyşym üçin sazlap bilerinmi?
A2:Hawa, biz hödürleýärisözelleştirilip bolýan Si substrat ugurlaryýaly<111>, <100>, we enjamyňyzyň talaplaryna baglylykda beýleki ugurlar. Si substratynyň ugry enjamyň işinde, şol sanda elektrik häsiýetnamalarynda, termal häsiýetde we mehaniki durnuklylykda möhüm rol oýnaýar.
S3: GaN-on-Si plitalaryny ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin ulanmagyň peýdalary nämeler?
A3:GaN-on-Si waferleri has gowy teklip edýärtizlikleri üýtgetmekkremniý bilen deňeşdirilende has ýokary ýygylyklarda has çalt işlemegi üpjün edýär. Bu bolsa olary iň amatly edýärRFwemikrotolkunlyulanylyşlar, şeýle hem ýokary ýygylyklygüýç enjamlaryýalyHEMT-ler(Ýokary elektron hereketlilik tranzistorlary) weRF güýçlendirijileriGaN-yň ýokary elektron hereketliligi kommutasiýa ýitgileriniň azalmagyna we netijeliligiň ýokarlanmagyna getirýär.
S4: GaN-on-Si waferleri üçin nähili doping mümkinçilikleri bar?
A4:Biz ikisini hem hödürleýärisN-tipweP-tipidürli görnüşli ýarymgeçiriji enjamlar üçin giňden ulanylýan doping opsiýalary.N-tipli dopingüçin idealdyrgüýç tranzistorlaryweRF güýçlendirijilerişol bir wagtyň özündeP-tipli dopingköplenç LED ýaly optoelektron enjamlar üçin ulanylýar.
Netije
Biz tarapyndan taýýarlanan kremniýdäki galliý nitridi (GaN-on-Si) plitalary ýokary ýygylykly, ýokary kuwwatly we ýokary temperaturaly ulanyşlar üçin ideal çözgüt hödürleýär. Özboluşly Si substrat ugurlary, garşylygy we N-tipli/P-tipli lehimleme bilen bu plitalar elektrik elektronikasyndan we awtoulag ulgamlaryndan başlap, RF aragatnaşyk we LED tehnologiýalaryna çenli pudaklaryň aýratyn zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin niýetlenendir. GaN-yň ajaýyp häsiýetlerinden we kremniýiň ölçekleniş mümkinçiliginden peýdalanyp, bu plitalar indiki nesil enjamlar üçin ýokary öndürijilik, netijelilik we geljegiň üpjün edilişini hödürleýär.
Jikme-jik diagramma
