1600℃ temperaturada kremniý karbidi sintez peçinde ýokary arassalykdaky SiC çig mallaryny öndürmek üçin CVD usuly

1600℃ temperaturada kremniý karbidiniň sintez peçinde ýokary arassalykdaky SiC çig mallaryny öndürmek üçin CVD usuly. Görkezilen surat.

Gysgaça düşündiriş:

Kremniý karbidi (SiC) sintez peçi (CVD). Ol ₄ gaz görnüşli kremniý çeşmelerini (meselem, SiH₄, SiCl₄) ýokary temperaturaly gurşawda, olaryň uglerod çeşmelerine (meselem, C₃H₈, CH₄) reaksiýa berýän ýerinde öndürmek üçin himiki bug çökündisi (CVD) tehnologiýasyny ulanýar. Substratda (grafit ýa-da SiC tohumy) ýokary arassa kremniý karbidi kristallaryny ösdürip ýetişdirmek üçin esasy enjam. Bu tehnologiýa, esasan, güýç ýarymgeçirijilerini (meselem, MOSFET, SBD) öndürmek üçin esasy proses enjamy bolan SiC bir kristal substratyny (4H/6H-SiC) taýýarlamak üçin ulanylýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Iş prinsipi:

1. Öňünden üpjünçilik. Kremniý çeşmesi (meselem, SiH₄) we uglerod çeşmesi (meselem, C₃H₈) gazlary deň derejede garyşdyrylýar we reaksiýa kamerasyna berilýär.

2. Ýokary temperaturada parçalanma: 1500 ~ 2300℃ ýokary temperaturada gaz parçalanmasy Si we C aktiw atomlaryny döredýär.

3. Ýüzleý reaksiýa: Si we C atomlary substratyň ýüzüne ýerleşdirilip, SiC kristal gatlagyny emele getirýär.

4. Kristallaryň ösüşi: Temperatura gradientini, gaz akymyny we basyşyny dolandyrmak arkaly, c okunyň ýa-da a okunyň ugrunda ugurly ösüşe ýetmek.

Esasy parametrler:

· Temperatura: 1600~2200℃ (4H-SiC üçin >2000℃)

· Basyş: 50~200mbar (gazyň ýadrolanmagyny azaltmak üçin pes basyş)

· Gaz gatnaşygy: Si/C≈1.0~1.2 (Si ýa-da C baýlaşdyryş kemçilikleriniň öňüni almak üçin)

Esasy aýratynlyklar:

(1) Kristal hili
Pes kemçilik dykyzlygy: mikrotubula dykyzlygy < 0.5sm ⁻², dislokasiýa dykyzlygy <10⁴sm⁻².

Polikristal görnüşini dolandyrmak: 4H-SiC (esasy akym), 6H-SiC, 3C-SiC we beýleki kristal görnüşlerini ösdürip bilýär.

(2) Enjamyň işleýşi
Ýokary temperatura durnuklylygy: grafit induksiýa gyzdyrmasy ýa-da garşylykly gyzdyrma, temperatura > 2300℃.

Birmeňzeşlik gözegçiligi: temperatura üýtgemesi ±5℃, ösüş tizligi 10~50μm/sagat.

Gaz ulgamy: Ýokary takyklykly massa akym ölçeýjisi (MFC), gazyň arassalygy ≥99.999%.

(3) Tehnologiki artykmaçlyklar
Ýokary arassalyk: Fon hapalygynyň konsentrasiýasy <10¹⁶ sm⁻³ (N, B we ş.m.).

Uly ölçeg: 6 "/8" SiC substratynyň ösüşini goldaýar.

(4) Energiýa sarp edilişi we bahasy
Ýokary energiýa sarp edilişi (her peç üçin 200 ~ 500kW·s), SiC substratynyň önümçilik çykdajylarynyň 30% ~ 50% -ni düzýär.

Esasy ulanylyşlar:

1. Güýçli ýarymgeçiriji substrat: elektrik awtoulaglaryny we fotowoltaik inwertorlary öndürmek üçin SiC MOSFET-leri.

2. Rf enjamy: 5G baza stansiýasy GaN-on-SiC epitaksial substrat.

3. Ekstremal gurşaw enjamlary: aerokosmik we ýadro elektrik stansiýalary üçin ýokary temperatura datçikleri.

Tehniki häsiýetnamalar：

Spesifikasiýa	Jikme-jiklikler
Ölçegler (Uzynlyk × Giňlik × Beýiklik)	4000 x 3400 x 4300 mm ýa-da öz islegiňiz boýunça düzediň
Peç kamerasynyň diametri	1100 mm
Ýüklemek ukyby	50 kg
Limit wakuum derejesi	10-2Pa (molekulýar nasos işe başlandan 2 sagat soň)
Kamera basyşynyň ýokarlanma tizligi	≤10Pa/s (kalsinasiýadan soň)
Peçiň aşaky gapagyny götermek urşy	1500 mm
Gyzdyrmak usuly	Induksiýa gyzdyryş
Peçdäki iň ýokary temperatura	2400°C
Ýyladyş elektrik üpjünçiligi	2X40kW
Temperaturany ölçemek	Iki reňkli infragyzyl temperatura ölçegi
Temperatura aralygy	900~3000℃
Temperaturany gözegçilik etmegiň takyklygy	±1°C
Başgalyk basyş aralygyny gözegçilikde saklamak	1~700mbar
Basyş gözegçiliginiň takyklygy	1~5mbar ±0.1mbar; 5~100mbar ±0.2mbar; 100~700mbar ±0.5mbar
Ýükleme usuly	Pes ýüklenme;
Goşmaça konfigurasiýa	Iki gezek temperatura ölçeýiş nokady, ýük göterijini düşürýär.

XXKH hyzmatlary:

XKH kremniý karbidli CVD peçleri üçin doly siklli hyzmatlary hödürleýär, şol sanda enjamlary sazlamak (temperatura zolagynyň dizaýny, gaz ulgamynyň konfigurasiýasy), prosesleri işläp düzmek (kristal gözegçiligi, kemçilikleri optimizirlemek), tehniki okuwlar (işlediş we tehniki hyzmat) we satuwdan soňky goldaw (esasy bölekleriň ätiýaçlyk şaýlary bilen üpjün etmek, uzakdan diagnoz goýmak) hyzmatlary. Şeýle hem, kristallaryň önümçiligini we ösüş netijeliligini yzygiderli ýokarlandyrmak üçin prosesleri täzelemek hyzmatlaryny hödürleýär.