6 dýuým geçiriji SiC kompozit substrat 4H diametri 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm

6 dýuým geçiriji SiC kompozit substrat 4H diametr 150mm Ra≤0.2nm Warp≤35μm Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Ýarymgeçirijiler senagatynyň ýokary öndürijilik we arzan baha üçin çalyşmagy netijesinde, 6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substraty peýda boldy. Innowasion material kompozit tehnologiýasy arkaly bu 6 dýuýmlyk plastinka däp bolan 8 dýuýmlyk plastinkalaryň öndürijiliginiň 85% -ni gazanýar, şol bir wagtyň özünde diňe 60% gymmat. Täze energiýa ulaglarynyň zarýad beriş stansiýalary, 5G baza stansiýasynyň güýç modullary we hatda ýokary hilli öý enjamlarynyň üýtgeýän ýygylykly hereketlendirijileri ýaly gündelik ulanylyşdaky güýç enjamlary eýýäm şu görnüşli substratlary ulanýan bolmagy mümkin. Patentlenen köp gatlakly epitaksial ösüş tehnologiýamyz SiC bazalarynda atom derejesindäki tekiz kompozit interfeýsleri ulanmaga mümkinçilik berýär, interfeýs ýagdaýynyň dykyzlygy 1 × 10¹¹/sm²·eV-den aşak - bu tehniki häsiýetnama halkara derejesinde öňdebaryjy derejelere ýetdi.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Tehniki parametrler

Äzajylar	Önümçilikdereje	Manýakadereje
Diametr	6-8 dýuým	6-8 dýuým
Galyňlygy	350/500±25.0 μm	350/500±25.0 μm
Köptip	4H	4H
Garşylyklylyk	0.015-0.025 ohm·sm	0.015-0.025 ohm·sm
TTV	≤5 μm	≤20 μm
Warp	≤35 μm	≤55 μm
Öň tarapdaky (Si-ýüz) gödeklik	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)

Esasy aýratynlyklar

1. Bahasynyň artykmaçlygy: Biziň 6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substratymyz ajaýyp elektrik işini saklap galmak bilen çig malyň çykdajylaryny 38% azaltmak üçin material düzümini optimizirleýän hususy "derejelenen bufer gatlagy" tehnologiýasyny ulanýar. Hakyky ölçegler bu substraty ulanýan 650V MOSFET enjamlarynyň adaty çözgütlere garanyňda birlik meýdan üçin çykdajylary 42% azaltýandygyny görkezýär, bu bolsa sarp ediji elektronikasynda SiC enjamlarynyň ornaşdyrylmagyny höweslendirmek üçin möhümdir.
2. Ajaýyp geçirijilik häsiýetleri: Azot lehimlemesiniň takyk gözegçilik prosesleri arkaly, biziň 6 dýuýmlyk geçirijilikli SiC kompozit substratymyz ±5% aralygynda üýtgeşiklik bilen 0,012-0,022Ω·sm örän pes garşylyga ýetýär. Belli bir zat, biz hatda waferiň 5 mm gyra sebitinde hem garşylyk deňligini saklaýarys we senagatda uzak wagtlap dowam edýän gyra täsiri meselesini çözýäris.
3. Termal Işleýiş: Substratymyzy ulanyp işlenip düzülen 1200V/50A moduly doly ýüklenen işde daşky gurşawyň temperaturasyndan diňe 45℃ ýokary geçiş temperaturasyny görkezýär - bu deňeşdirip boljak kremniý esasly enjamlardan 65℃ pes. Bu biziň "3D termal kanal" kompozit gurluşymyz arkaly üpjün edilýär, ol gapdal termal geçirijiligi 380W/m·K çenli we dik termal geçirijiligi 290W/m·K çenli ýokarlandyrýar.
4. Prosesleriň utgaşyklylygy: 6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substratlarynyň özboluşly gurluşy üçin, biz 0.3μm-den aşak gyralaryň ýarylmagyny gözegçilikde saklap, 200mm/s kesiş tizligine ýetýän gabat gelýän gizlin lazer bilen kesiş prosesini işläp düzdik. Mundan başga-da, biz müşderilere iki proses ädimini tygşytlap, göni galyp birikdirmäge mümkinçilik berýän öňünden nikel bilen örtülen substrat opsiýalaryny hödürleýäris.

Esasy ulanylyşlar

Akylly tor enjamlarynyň möhüm görnüşleri:

±800kV-da işleýän ultra ýokary woltly göni tok (UHVDC) geçirijilik ulgamlarynda, 6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substratlarymyzy ulanýan IGCT enjamlary ajaýyp öndürijilik ösüşlerini görkezýär. Bu enjamlar kommutasiýa proseslerinde kommutasiýa ýitgilerini 55% azaltmaga, şol bir wagtyň özünde umumy ulgamyň netijeliligini 99,2% -den geçmäge mümkinçilik berýär. Substratlaryň ýokary ýylylyk geçirijiligi (380W/m·K) adaty kremniý esasly çözgütlere garanyňda podstansiýanyň yzyny 25% azaltmaga mümkinçilik berýän ykjam konwertor dizaýnlaryny döretmäge mümkinçilik berýär.

Täze energiýa ulaglarynyň hereketlendirijileri:

6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substratlarymyzy öz içine alýan hereketlendiriji ulgamy 45 kW/L inwertor kuwwatlylygynyň dykyzlygyna ýetýär - bu olaryň öňki 400V kremniý esasly dizaýnyndan 60% ösüşdir. Iň täsirlisi, ulgam -40℃-den +175℃-e çenli ähli iş temperatura aralygynda 98% netijeliligi saklaýar we demirgazyk howa şertlerinde elektrik awtoulaglarynyň ulanylmagyna päsgel berýän sowuk howa şertlerinde işläýän kynçylyklary çözýär. Hakyky dünýä synaglary bu tehnologiýa bilen enjamlaşdyrylan awtoulaglar üçin gyşky aralygyň 7,5% artandygyny görkezýär.

Senagat üýtgeýän ýygylykly hereketlendirijiler:

Senagat serwo ulgamlary üçin intellektual güýç modullarynda (IPM) substratlarymyzyň ulanylmagy önümçiligi awtomatlaşdyrmagy özgerdýär. CNC işläp bejeriş merkezlerinde bu modullar elektromagnit şowhunyny 15dB-den 65dB(A)-a çenli azaldyp, motoryň jogabyny 40% çaltlaşdyrýar (tizlenme wagtyny 50ms-den 30ms-e çenli azaldýar).

Sarp ediji elektronikasy:

Sarp ediji elektronikasy rewolýusiýasy biziň substratlarymyz bilen dowam edýär, täze nesil 65W GaN çalt zarýad berijilerini ulanmaga mümkinçilik berýär. Bu ykjam güýç adapterleri SiC esasly dizaýnlaryň ajaýyp geçiş aýratynlyklary sebäpli doly güýç çykaryşyny saklap, göwrümi 30% azaltmaga (45 sm³ çenli) ýetýär. Termal suratlandyrma üznüksiz işleýän wagtynda iň ýokary temperatura diňe 68°C görkezýär - adaty dizaýnlardan 22°C sowuk - önümiň ömrüni we howpsuzlygyny ep-esli gowulandyrýar.

XKH Özelleşdirme Hyzmatlary

XKH 6 dýuýmlyk geçiriji SiC kompozit substratlary üçin toplumlaýyn özelleşdirme goldawyny hödürleýär:

Galyňlygy sazlamak: 200μm, 300μm we 350μm aýratynlyklary öz içine alýan wariantlar
2. Garşylyk gözegçiligi: n-tipli doping konsentrasiýasyny 1×10¹⁸-dan 5×10¹⁸ sm⁻³-a çenli sazlap bolýar

3. Kristal ugry: (0001) okdan daşary 4° ýa-da 8° ýaly köp ugur üçin goldaw

4. Synag hyzmatlary: Wafer derejesindäki parametrleriň doly synag hasabatlary

Prototiplerden köpçülikleýin önümçilige çenli häzirki wagtda biziň işläp düzýän wagtymyz 8 hepde çenli gysga bolup biler. Strategik müşderiler üçin enjamyň talaplaryna doly laýyk gelmegini üpjün etmek üçin ýörite proses işläp düzmek hyzmatlaryny hödürleýäris.