6 dýuým 4H SEMI görnüşli SiC kompozit substrat Galyňlygy 500μm TTV≤5μm MOS derejesi

6 dýuým 4H ÝARYM Type SiC kompozit substrat Galyňlygy 500μm TTV≤5μm MOS derejeli Surat

Gysgaça düşündiriş:

5G aragatnaşyk we radar tehnologiýasynyň çalt ösmegi bilen, 6 dýuýmlyk ýarym izolýasiýaly SiC kompozit substraty ýokary ýygylykly enjam öndürmek üçin esasy materiala öwrüldi. Adaty GaAs substratlary bilen deňeşdirilende, bu substrat ýokary garşylygy (>10⁸ Ω·sm) saklaýar we ýylylyk geçirijiligini 5 esseden gowrak gowulandyrýar, millimetr tolkunly enjamlardaky ýylylyk ýaýramagy bilen baglanyşykly meseleleri netijeli çözýär. 5G smartfonlary we hemra aragatnaşyk terminallary ýaly gündelik enjamlaryň içindäki güýç güýçlendirijileri, ähtimal, şu substratda gurlandyr. Biziň hususy "bufer gatlagyny goşmagyň kompensasiýa" tehnologiýamyzy ulanyp, biz mikrotrubalaryň dykyzlygyny 0,5/sm²-den aşak düşürdik we 0,05 dB/mm örän pes mikrotolkun ýitgisini gazandyk.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Tehniki parametrler

Äzajylar	Spesifikasiýa	Äzajylar	Spesifikasiýa
Diametr	150±0.2 mm	Öň tarapdaky (Si-ýüz) gödeklik	Ra≤0.2 nm (5μm×5μm)
Köptip	4H	Gyralaryň gyrasy, çyzyk, çatlak (görsel barlag)	Hiç hili
Garşylyklylyk	≥1E8 Ω·sm	TTV	≤5 μm
Geçiriji gatlagyň galyňlygy	≥0.4 μm	Warp	≤35 μm
Boşluk (2mm>D>0.5mm)	≤5 ea/wafer	Galyňlygy	500±25 μm

Esasy aýratynlyklar

1. Ajaýyp ýokary ýygylykly iş görkezijisi
6 dýuýmlyk ýarym izolýasiýaly SiC kompozit substraty dizaýnlaşdyrylan dielektrik gatlak dizaýnyny ulanýar, bu bolsa Ka-zonasynda (26,5-40 GHz) dielektrik hemişelik üýtgemeleriň <2% bolmagyny üpjün edýär we faza yzygiderliligini 40% gowulandyrýar. Bu substraty ulanýan T/R modullarynda netijeliligiň 15% ýokarlanmagy we energiýa sarp edilişiniň 20% azalmagy.

2. Termal dolandyryşyň öňdebaryjylygy
Özboluşly "termal köprü" kompozit gurluşy 400 W/m·K gapdal termal geçirijiligini üpjün edýär. 28 GHz 5G baza stansiýasynyň PA modullarynda, 24 sagat üznüksiz işläninden soň, birleşýän ýeriň temperaturasy diňe 28°C ýokarlanýar — bu bolsa adaty erginlerden 50°C pes.

3. Waferiň ýokary hilliligi
Optimallaşdyrylan Fiziki Bug Daşamak (PVT) usuly arkaly biz dislokasiýa dykyzlygyny <500/sm² we Umumy Galyňlygyň Üýtgemegini (TTV) <3 μm gazanýarys.
4. Önümçilige amatly gaýtadan işlemek
6 dýuýmlyk ýarym izolýasiýaly SiC kompozit substrat üçin ýörite işlenip düzülen lazer bilen ýumşatmak prosesimiz epitaksiýadan öň ýüz ýagdaýynyň dykyzlygyny iki esse azaldýar.

Esasy ulanylyşlar

1. 5G Baza Stansiýasynyň Esasy Komponentleri
Massive MIMO antenna massiwlerinde, 6 dýuýmlyk ýarym izolýasiýaly SiC kompozit substratlarynda ýerleşýän GaN HEMT enjamlary 200W çykyş kuwwatyna we >65% netijelilige ýetýär. 3,5 GHz-de geçirilen meýdan synaglary örtük radiusynyň 30% artandygyny görkezdi.

2. Hemra aragatnaşyk ulgamlary
Bu substraty ulanýan pes ýer orbitaly (LEO) hemra ötüriji-ötürijileri Q-diapazonynda (40 GHz) 8 dB ýokary EIRP görkezýär we agramyny 40% azaldýar. SpaceX Starlink terminallary ony köpçülikleýin önümçilik üçin kabul etdiler.

3. Harby radar ulgamlary
Bu substratdaky fazaly massiwli radar T/R modullary 6-18 GHz geçirijilik ukybyna we 1,2 dB çenli iň pes şowhuna ýetýär, irki duýduryş radar ulgamlarynda anyklaýyş aralygyny 50 km uzaldýar.

4. Awtomobil üçin millimetr tolkunly radar
Bu substraty ulanýan 79 GHz awtoulag radar çipleri burç çözgüdini 0,5° -e çenli ýokarlandyrýar we L4 awtonom sürüş talaplaryna laýyk gelýär.

Biz 6 dýuýmlyk ýarym izolýasiýaly SiC kompozit substratlar üçin toplumlaýyn özleşdirilen hyzmat çözgüdini hödürleýäris. Material parametrlerini özleşdirmek babatda, biz 10⁶-10¹⁰ Ω·sm aralygynda garşylygyň takyk düzgünleşdirilmegini goldaýarys. Esasan hem harby maksatlar üçin, biz >10⁹ Ω·sm örän ýokary garşylyk opsiýasyny hödürläp bileris. Ol bir wagtyň özünde 200μm, 350μm we 500μm üç galyňlyk aýratynlyklaryny hödürleýär, çydamlylyk ±10μm aralygynda berk gözegçilik edilýär we ýokary ýygylykly enjamlardan ýokary kuwwatly ulanylyşlara çenli dürli talaplara laýyk gelýär.

Ýüzleýiş prosesleri babatda biz iki sany professional çözgüt hödürleýäris: Himiki mehaniki jylaňlama (HMJ) Ra<0.15nm bilen atom derejesindäki ýüzleýi tekizlige ýetirip, iň talap edilýän epitaksial ösüş talaplaryny kanagatlandyryp biler; Çalt önümçilik talaplary üçin epitaksial taýýar ýüzleýiş tehnologiýasy Sq<0.3nm we galyndy oksid galyňlygy <1nm bolan örän tekiz ýüzleri üpjün edip biler, bu bolsa müşderiniň öňünden işlemegini ep-esli ýeňilleşdirýär.

XKH 6 dýuýmlyk ýarym izolýasiýaly SiC kompozit substratlar üçin toplumlaýyn özleşdirilen çözgütleri hödürleýär

1. Material Parametrlerini Özleşdirmek
Biz harby/howakosmos ulgamlary üçin ýöriteleşdirilen >10⁹ Ω·sm ultra ýokary garşylyk opsiýalary bilen 10⁶-10¹⁰ Ω·sm aralygynda takyk garşylyk sazlamalaryny hödürleýäris.

2. Galyňlygyň aýratynlyklary
Üç standartlaşdyrylan galyňlyk warianty:

· 200μm (ýokary ýygylykly enjamlar üçin optimizirlenen)

· 350μm (standart spesifikasiýa)

· 500μm (ýokary kuwwatly ulanyşlar üçin niýetlenen)
· Ähli görnüşler ±10μm berk galyňlyk çydamlylygyny saklaýar.

3. Ýüzi işläp bejeriş tehnologiýalary

Himiki mehaniki jylaňlama (CMP): Ra <0.15nm bilen atom derejesindäki ýüz tekizligini gazanýar, RF we güýç enjamlary üçin berk epitaksial ösüş talaplaryna laýyk gelýär.

4. Epi-Ready ýüzleý işläp taýýarlamak

· Sq <0.3nm gödeklik bilen örän tekiz ýüzleri üpjün edýär

· Asyl oksidiň galyňlygyny <1nm çenli gözegçilikde saklaýar

· Müşderi edaralarynda 3-e çenli öňünden işleme ädimlerini aradan aýyrýar