CVD prosesi üçin 4 дюйм 6 дюйм 8 дюйм SiC kristal ösüş peçi

CVD prosesi üçin 4 dýuýmly 6 dýuýmly 8 dýuýmly SiC kristal ösüş peçi Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

XKH-nyň SiC Kristal Ösüş Peçiniň CVD Himiki Bug Çökdürme ulgamy dünýäde öňdebaryjy himiki bug çökdürme tehnologiýasyny ulanýar, ol ýokary hilli SiC bir kristally ösüş üçin ýörite işlenip düzüldi. Gaz akymy, temperatura we basyş ýaly proses parametrleriniň takyk gözegçiligi arkaly, ol 4-8 dýuýmlyk substratlarda SiC kristallarynyň ösüşini gözegçilikde saklamaga mümkinçilik berýär. Bu CVD ulgamy 4H/6H-N görnüşli we 4H/6H-SEMI izolýasiýa görnüşli dürli SiC kristal görnüşlerini öndürip, enjamlardan proseslere çenli doly çözgütleri hödürläp bilýär. Ulgam 2-12 dýuýmlyk waferler üçin ösüş talaplaryny goldaýar, bu bolsa ony elektrik elektronikasynyň we RF enjamlarynyň köpçülikleýin önümçiligi üçin has amatly edýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Iş prinsipi

CVD ulgamymyzyň esasy prinsipi kremniý saklaýan (meselem, SiH4) we uglerod saklaýan (meselem, C3H8) öňki gazlaryň ýokary temperaturada (adatça 1500-2000°C) termal parçalanmagyny, gaz fazaly himiki reaksiýalar arkaly substratlara SiC monokristallaryny çökdürmegi öz içine alýar. Bu tehnologiýa, esasanam, elektrik elektronikasy we RF enjamlary üçin berk material talaplaryna laýyk gelýän, pes kemçilik dykyzlygy (<1000/sm²) bolan ýokary arassalykly (>99.9995%) 4H/6H-SiC monokristallaryny öndürmek üçin amatlydyr. Gaz düzüminiň, akym tizliginiň we temperatura gradientiniň takyk gözegçiligi arkaly ulgam kristal geçirijilik görnüşiniň (N/P görnüşi) we garşylygynyň takyk düzgünleşdirilmegine mümkinçilik berýär.

Sistemanyň görnüşleri we tehniki parametrleri

Sistemanyň görnüşi	Temperatura aralygy	Esasy aýratynlyklar	Programmalar
Ýokary temperaturaly ýürek-damar keselleri	1500-2300°C	Grafit induksiýa gyzdyrmasy, ±5°C temperatura deňligi	Köp mukdarda SiC kristallarynyň ösüşi
Gyzgyn-Filamentli CVD	800-1400°C	Volfram filamentli gyzdyryş, 10-50μm/s çökme tizligi	SiC galyň epitaksiýasy
VPE CVD	1200-1800°C	Köp zolakly temperatura gözegçiligi, >80% gaz ulanylyş	Köpçülikleýin epi-wafli önümçiligi
PECVD	400-800°C	Plazma güýçlendirilen, 1-10μm/s çökündi tizligi	Pes temperaturaly SiC inçe plýonkalary

Esasy tehniki häsiýetler

1. Ösen temperatura gözegçilik ulgamy
Peçde tutuş ösüş kamerasynda ±1°C deňlik bilen 2300°C çenli temperaturany saklamaga ukyply köp zonaly garşylykly gyzdyryjy ulgam bar. Bu takyk termal dolandyryş aşakdakylar arkaly amala aşyrylýar:
12 sany garaşsyz dolandyrylýan ýyladyş zolagy.
Artyk termopar gözegçiligi (C W-Re görnüşi).
Real wagt termal profilini sazlamak algoritmleri.
Termal gradienti dolandyrmak üçin suw bilen sowadylýan kamera diwarlary.

2. Gazy eltmek we garyşdyrmak tehnologiýasy
Biziň hususy gaz paýlaýyş ulgamymyz iň gowy prekursor garyşdyrmasyny we deň derejede eltip bermegi üpjün edýär:
±0.05sccm takyklykly massa akymynyň kontrollerleri.
Köp nokatly gaz injeksiýa kollektory.
Ýerinde gaz düzüminiň gözegçiligi (FTIR spektroskopiýasy).
Ösüş sikllerinde awtomatiki akym kompensasiýa.

3. Kristallaryň hilini ýokarlandyrmak
Kristallaryň hilini gowulandyrmak üçin ulgam birnäçe täzelikleri öz içine alýar:
Aýlanýan substrat saklaýjysy (0-100rpm programmalanyp bilner).
Öňdebaryjy serhet gatlagyny dolandyrmak tehnologiýasy.
Ýerinde kemçilikleri gözegçilik etmek ulgamy (UV lazer saçramagy).
Ösüş döwründe awtomatiki stress kompensasiýa.

4. Prosesleriň awtomatlaşdyrylmagy we dolandyrylyşy
Doly awtomatlaşdyrylan resept ýerine ýetirilişi.
Real wagt režiminde ösüş parametrlerini optimizirlemek üçin emeli intellekt.
Uzakdan gözegçilik we diagnostika.
1000+ parametr maglumatlarynyň ýazgysy (5 ýyl saklanýar).

5. Howpsuzlyk we ygtybarlylyk aýratynlyklary
Üç esse artykmaç temperaturadan gorag.
Awtomatiki adatdan daşary ýagdaýlarda arassalamak ulgamy.
Seýsmiki taýdan ygtybarly gurluş dizaýny.
98.5% iş wagtynyň kepilligi.

6. Ölçeglenip bilýän arhitektura
Modul dizaýn kuwwatyň ýokarlandyrylmagyna mümkinçilik berýär.
100 mm-den 200 mm-e çenli wafer ölçegleri bilen gabat gelýär.
Dik we gorizontal konfigurasiýalaryň ikisini hem goldaýar.
Tehniki hyzmat üçin çalt çalşyrylýan bölekler.

7. Energiýa netijeliligi
Deňeşdirilýän ulgamlara garanyňda 30% az energiýa sarp edilişi.
Ýylylygy dikeltmek ulgamy galyndylaryň 60% -ni özüne çekýär.
Gaz sarp edilişiniň optimallaşdyrylan algoritmleri.
LEED-e laýyk gelýän desganyň talaplary.

8. Materiallaryň köpugurlylygy
Ähli esasy SiC politiplerini (4H, 6H, 3C) ösdürýär.
Geçiriji we ýarym izolýasiýa görnüşleriniň ikisini hem goldaýar.
Dürli doping shemalaryny (N-tipli, P-tipli) kabul edýär.
Alternatiw prekursorlar (meselem, TMS, TES) bilen utgaşykly.

9. Wakuum ulgamynyň işleýşi
Esasy basyş: <1×10⁻⁶ Torr
Syzyk tizligi: <1×10⁻⁹ Torr·L/sek
Nasoslama tizligi: 5000L/s (SiH₄ üçin)

Ösüş sikllerinde awtomatiki basyş gözegçiligi
Bu giňişleýin tehniki häsiýetnama biziň ulgamymyzyň senagatda öňdebaryjy yzygiderlilik we önümli ylmy derejeli we önümçilik hilindäki SiC kristallaryny öndürmek ukybyny görkezýär. Takyk gözegçiligiň, ösen gözegçiligiň we ygtybarly inženerçiligiň utgaşmasy bu CVD ulgamyny güýç elektronikasynda, RF enjamlarynda we beýleki ösen ýarymgeçiriji ulanylyşlarynda ylmy-barlag we tejribe-konstruktorçylyk işleri we göwrümli önümçilik ulanylyşlary üçin iň gowy saýlawa öwürýär.

Esasy artykmaçlyklar

1. Ýokary hilli kristallaryň ösüşi
• Defektleriň dykyzlygy <1000/sm² (4H-SiC) çenli pes
• Doping deňligi <5% (6 dýuýmlyk waferler)
• Kristal arassalygy >99.9995%

2. Uly göwrümli önümçilik mümkinçiligi
• 8 dýuýma çenli wafer ösüşini goldaýar
• Diametriň deňligi >99%
• Galyňlygyň üýtgemegi <±2%

3. Prosesleriň takyk gözegçiligi
• Temperaturany gözegçilikde saklamak takyklygy ±1°C
• Gaz akymynyň düzgünleşdirilişiniň takyklygy ±0.1sm³
• Basyşyň düzgünleşdirilişiniň takyklygy ±0.1Torr

4. Energiýa netijeliligi
• Adaty usullara garanyňda 30% has energiýa tygşytly
• Ösüş tizligi sagatda 50-200μm çenli
• Enjamlaryň iş wagty >95%

Esasy programmalar

1. Güýçli elektron enjamlar
1200V+ MOSFET/diodlar üçin 6 dýuýmlyk 4H-SiC substratlary, kommutasiýa ýitgilerini 50% azaldýar.

2. 5G Aragatnaşyk
10GHz-den ýokary derejede goşulyş ýitgisi <0.3dB bolan esasy stansiýa PA-lary üçin ýarym izolýasiýa ediji SiC substratlary (garşylyk >10⁸Ω·cm).

3. Täze energiýa ulaglary
Awtomobil derejesindäki SiC güýç modullary elektromobilleriň hereket aralygyny 5-8% giňeldýär we zarýad beriş wagtyny 30% azaldýar.

4. Gün şöhlesi inwertorlary
Pes kemçilikli substratlar konwersiýanyň netijeliligini 99% -den gowrak ýokarlandyrýar we ulgamyň ölçegini 40% azaldýar.

XKH-nyň hyzmatlary

1. Özleşdiriş hyzmatlary
4-8 dýuýmlyk CVD ulgamlaryna laýyk gelýär.
4H/6H-N görnüşli, 4H/6H-ÝARYM izolýasiýa görnüşli we ş.m. önümleriň ösüşini goldaýar.

2. Tehniki goldaw
Işleýiş we prosesleri optimizirlemek boýunça giňişleýin okuw.
24/7 tehniki jogap.

3. Taýýar çözgütler
Gurnamadan başlap, prosesiň tassyklanmagyna çenli başdan-aýak hyzmatlar.

4. Material üpjünçiligi
2-12 dýuýmlyk SiC substratlary/epi-waferler elýeterli.
4H/6H/3C politiplerini goldaýar.

Esasy tapawutlandyryjylar:
8 dýuýma çenli kristal ösüş ukyby.
Senagatyň ortaça ösüş depgininden 20% has ýokary.
Sistemanyň ygtybarlylygy 98%.
Doly akylly dolandyryş ulgamynyň toplumy.