Ultra ýokary woltly MOSFET-ler üçin 4H-SiC epitaksial plitalary (100–500 μm, 6 dýuým)

Gysgaça düşündiriş:

Elektrik awtoulaglarynyň, akylly elektrik ulgamlarynyň, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynyň we ýokary kuwwatly senagat enjamlarynyň çalt ösüşi ýokary woltlylygy, ýokary kuwwatlylyk dykyzlygyny we has ýokary netijeliligi dolandyryp bilýän ýarymgeçiriji enjamlara gyssagly zerurlyk döretdi. Giň zolakly ýarymgeçirijileriň arasynda,kremniý karbidi (SiC)giň zolak aralygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary derejeli elektrik meýdanynyň güýji bilen tapawutlanýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Jikme-jik diagramma

Önümiň umumy syny

Biziň4H-SiC epitaksial waferlerüçin ýörite işlenip taýýarlanyldyultra ýokary woltly MOSFET ulanylyşlaryEpitaksial gatlaklar bilen100 μm-den 500 μm-e çenli on 6 dýuýmlyk (150 mm) substratlar, bu plastinkalar kV-klassly enjamlar üçin zerur bolan giňeldilen sürüş sebitlerini üpjün edýär, şol bir wagtyň özünde kristallaryň ajaýyp hilini we ölçekleniş mümkinçiligini saklaýar. Standart galyňlyklar 100 μm, 200 μm we 300 μm bolup, olary öz islegiňize görä sazlamak mümkin.

Epitaksial gatlagyň galyňlygy

Epitaksial gatlak MOSFET-iň işini, esasanam arasyndaky deňagramlylygy kesgitlemekde aýgytly rol oýnaýardöwülme naprýaženiýesiwegarşylyk görkezmek.

100–200 μmOrta we ýokary woltly MOSFET-ler üçin optimizirlenen, geçirijilik netijeliliginiň we blokirleme güýjüniň ajaýyp deňagramlylygyny hödürleýär.
200–500 μm: Ultra ýokary woltly enjamlar (10 kV+) üçin amatly, bu bolsa uzak aralykda hereket edýän sebitlerde berk döwülme häsiýetlerini üpjün edýär.

Bütin diapazon boýunça,galyňlygyň deňligi ±2% aralygynda gözegçilik edilýär, waferden wafere we tapgyrdan tapgyra yzygiderliligi üpjün edýär. Bu çeýelik dizaýnerlere köpçülikleýin önümçilikde gaýtalanmagy saklap galmak bilen, maksatly naprýaženiýe synplary üçin enjamyň işini kämilleşdirmäge mümkinçilik berýär.

Önümçilik prosesi

Biziň waflilerimiz şu aşakdakylar arkaly ýasalýariň täze CVD (himiki bug çökündisi) epitaksiýasy, bu bolsa hatda örän galyň gatlaklar üçin hem galyňlygyň, lehimlenmäniň we kristal hiliniň takyk gözegçiligini üpjün edýär.

Ýürek-damar keseliniň epitaksiýasy– Ýokary arassa gazlar we optimizirlenen şertler tekiz ýüzleri we pes kemçilik dykyzlygyny üpjün edýär.
Galyň gatlak ösüşi– Hususy proses reseptleri epitaksial galyňlyga çenli mümkinçilik berýär500 μmajaýyp birmeňzeşlik bilen.
Doping gözegçiligi– Arasynda sazlanyp bilýän konsentrasiýa1×10¹⁴ – 1×10¹⁶ sm⁻³, deňligi ±5% -den gowy.
Ýüzi taýýarlamak– Waferler başdan geçirýärlerCMP jylaňlamawe berk barlag, derweze oksidlenmesi, fotolitografiýa we metallaşdyrma ýaly ösen prosesler bilen utgaşyklylygy üpjün etmek.

Esasy artykmaçlyklar

Ultra ýokary woltly mümkinçilik– Galyň epitaksial gatlaklar (100–500 μm) kV-klassly MOSFET dizaýnlaryny goldaýar.
Ajaýyp Kristal Hili– Pes dislokasiýa we esasy tekizlikdäki kemçilikleriň dykyzlygy ygtybarlylygy üpjün edýär we syzmalary azaltýar.
6 dýuýmlyk uly substratlar– Ýokary möçberde önümçiligi goldamak, enjam üçin arzanladyş we ajaýyp utgaşyklyk.
Ýokary derejeli termal häsiýetler– Ýokary ýylylyk geçirijiligi we giň zolak aralygy ýokary güýçde we temperaturada netijeli işlemegi üpjün edýär.
Özleşdirip bolýan parametrler– Galyňlygy, goşulyşy, ugry we ýüzleýiň abatlaýyşy belli bir talaplara laýyklykda sazlanyp bilner.

Tipiki tehniki häsiýetnamalar

Parametr	Spesifikasiýa
Geçirijilik görnüşi	N-tipi (Azot bilen lehimlenen)
Garşylyklylyk	Islendik
Okdan daşary burç	4° ± 0.5° ([11-20] tarap)
Kristal ugry	(0001) Si-ýüz
Galyňlygy	200–300 μm (100–500 μm sazlanyp bilner)
Ýüzleýiş	Öň tarapy: CMP jilalanan (epi-taýýar) Yzky tarapy: jilalanan ýa-da jilalanan
TTV	≤ 10 μm
Ýaý/Warp	≤ 20 μm

Ulanylyş ugurlary

4H-SiC epitaksial waferler iň amatlydyrUltra ýokary woltly ulgamlardaky MOSFET-ler, şol sanda:

Elektrik awtoulaglarynyň çekiş inwertorlary we ýokary woltly zarýad beriji modullar
Akylly elektrik geçiriji we paýlaýjy enjamlar
Gaýtadan dikeldilýän energiýa inwertorlary (gün, ýel, saklaýyş)
Ýokary kuwwatly senagat üpjünçiligi we kommutasiýa ulgamlary

Köp soralýan soraglar

S1: Geçirijiligiň görnüşi näme?
A1: N-tipli, azot bilen lehimlenen — MOSFET-ler we beýleki güýç enjamlary üçin senagat standarty.

S2: Epitaksial galyňlyklaryň nähili görnüşleri bar?
A2: 100–500 μm, standart wariantlar 100 μm, 200 μm we 300 μm. Isleg boýunça öz islegiňize görä galyňlyklar elýeterlidir.

S3: Plitanyň ugry we okdan daşary burçy näme?
A3: (0001) Si-ýüzi, [11-20] ugry boýunça okundan 4° ± 0.5° daşarda.

Biz barada

XKH ýokary tehnologiýaly optik aýna we täze kristal materiallarynyň işlenip düzülmegine, öndürilmegine we satylmagyna ýöriteleşýär. Önümlerimiz optik elektronika, sarp ediş elektronikasy we harby ulgamlara hyzmat edýär. Biz Safir optiki böleklerini, ykjam telefon linzalarynyň örtüklerini, keramika, LT, kremniý karbidi SIC, kwars we ýarymgeçiriji kristall plitalaryny hödürleýäris. Hünärmen tejribe we iň täze enjamlar bilen biz standart däl önümleri gaýtadan işlemekde üstünlik gazanýarys we öňdebaryjy optoelektron materiallary ýokary tehnologiýaly kärhana bolmagy maksat edinýäris.