3 дюйм Ýokary arassalykly ýarym izolýasiýaly （HPSI）SiC wafer 350um Dummy derejeli Esasy derejeli
Programma
HPSI SiC plitalary dürli ýokary öndürijilikli ulanylyşlarda ulanylýan täze nesil elektrik enjamlaryny döretmekde möhüm ähmiýete eýedir:
Kuwwaty özgertmek ulgamlary: SiC plitalary elektrik zynjyrlarynda netijeli kuwwaty özgertmek üçin möhüm bolan kuwwat MOSFET-leri, diodlar we IGBT-ler ýaly kuwwat enjamlary üçin esasy material bolup hyzmat edýär. Bu komponentler ýokary netijeli kuwwat çeşmelerinde, motor sürüjilerinde we senagat inwertorlarynda bar.
Elektrikli ulaglar (EU):Elektrik ulaglaryna bolan artýan isleg has netijeli elektrik elektronikasyny ulanmagy zerur edýär we SiC waferleri bu özgerişiň öň hatarynda durýar. Elektrik ulaglarynyň güýç geçirijilerinde bu waferler ýokary netijeliligi we çalt geçiş mümkinçiliklerini üpjün edýär, bu bolsa has çalt zarýad beriş wagtyny, has uzak aralygy we ulagyň umumy işini ýokarlandyrmaga goşant goşýar.
Gaýtadan dikeldilýän energiýa:Gün we ýel energiýasy ýaly gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda SiC plastinkalary energiýany has netijeli toplamaga we paýlamaga mümkinçilik berýän inwertorlarda we konwertorlarda ulanylýar. SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary derejede dargama naprýaženiýesi bu ulgamlaryň hatda daşky gurşawyň adatdan daşary şertlerinde hem ygtybarly işlemegini üpjün edýär.
Senagat awtomatlaşdyrmasy we robototehnika:Senagat awtomatlaşdyrma ulgamlarynda we robot tehnikasynda ýokary öndürijilikli elektrik elektronikasy çalt geçiş edip bilýän, uly güýç ýüklerini dolandyryp bilýän we ýokary stres astynda işleýän enjamlary talap edýär. SiC esasly ýarymgeçirijiler, hatda kyn iş şertlerinde hem ýokary netijeliligi we berkligi üpjün etmek arkaly bu talaplara laýyk gelýär.
Telekommunikasiýa ulgamlary:Ýokary ygtybarlylygyň we netijeli energiýa öwrülmeginiň möhüm bolan telekommunikasiýa infrastrukturasynda SiC plitalary energiýa çeşmelerinde we DC-DC öwrüjilerinde ulanylýar. SiC enjamlary maglumat merkezlerinde we aragatnaşyk ulgamlarynda energiýa sarp edilişini azaltmaga we ulgamyň işini ýokarlandyrmaga kömek edýär.
Ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin berk binýady üpjün etmek bilen, HPSI SiC plastinkasy energiýa tygşytlaýjy enjamlary işläp düzmäge mümkinçilik berýär we senagatyň has ýaşyl we has durnukly çözgütlere geçmegine kömek edýär.
Emläkler
| operasiýa | Önümçilik derejesi | Ylmy dereje | Ýalan derejeli |
| Diametr | 75.0 mm ± 0.5 mm | 75.0 mm ± 0.5 mm | 75.0 mm ± 0.5 mm |
| Galyňlygy | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm | 350 µm ± 25 µm |
| Wafer ugry | Ok boýunça: <0001> ± 0.5° | Ok boýunça: <0001> ± 2.0° | Ok boýunça: <0001> ± 2.0° |
| Waferleriň 95% -i üçin mikrotrubalaryň dykyzlygy (MPD) | ≤ 1 sm⁻² | ≤ 5 sm⁻² | ≤ 15 sm⁻² |
| Elektrik garşylygy | ≥ 1E7 Ω·sm | ≥ 1E6 Ω·sm | ≥ 1E5 Ω·sm |
| Dopant | Dopingsiz | Dopingsiz | Dopingsiz |
| Esasy Tekizlik Ugury | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° | {11-20} ± 5.0° |
| Esasy tekiz uzynlyk | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm | 32,5 mm ± 3,0 mm |
| Ikinji derejeli tekiz uzynlyk | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm | 18.0 mm ± 2.0 mm |
| Ikinji derejeli tekizlik ugry | Si ýüzüni ýokaryk galdyryň: esasy tekizlikden 90° CW ± 5.0° | Si ýüzüni ýokaryk galdyryň: esasy tekizlikden 90° CW ± 5.0° | Si ýüzüni ýokaryk galdyryň: esasy tekizlikden 90° CW ± 5.0° |
| Gyra çykarylyşy | 3 mm | 3 mm | 3 mm |
| LTV/TTV/Bow/Warp | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 3 µm / 10 µm / ± 30 µm / 40 µm | 5 µm / 15 µm / ± 40 µm / 45 µm |
| Ýüziň gödekligi | C-ýüz: Jilalanan, Si-ýüz: CMP | C-ýüz: Jilalanan, Si-ýüz: CMP | C-ýüz: Jilalanan, Si-ýüz: CMP |
| Ýaryklar (ýokary intensiwlikli çyra bilen barlanyldy) | Hiç hili | Hiç hili | Hiç hili |
| Altyburçluk plitalar (ýokary intensiwlikli çyra bilen barlanýar) | Hiç hili | Hiç hili | Umumy meýdan 10% |
| Köp görnüşli meýdanlar (ýokary intensiwli ýagtylyk bilen barlanýar) | Umumy meýdan 5% | Umumy meýdan 5% | Umumy meýdan 10% |
| Çyzgylar (ýokary intensiwlikli ýagtylyk bilen barlanýar) | ≤ 5 çyzyk, umumy uzynlyk ≤ 150 mm | ≤ 10 çyzyk, umumy uzynlyk ≤ 200 mm | ≤ 10 çyzyk, umumy uzynlyk ≤ 200 mm |
| Gyralary gyralamak | Rugsat berilmeýär ≥ 0,5 mm ini we çuňlugy | 2 rugsat berilýär, ≤ 1 mm giňlik we çuňluk | 5 rugsat berilýär, ≤ 5 mm giňlik we çuňluk |
| Ýüziň hapalanmagy (ýokary intensiwli ýagtylyk bilen barlanýar) | Hiç hili | Hiç hili | Hiç hili |
Esasy artykmaçlyklar
Ýokary derejeli ýylylyk öndürijiligi: SiC-iň ýokary ýylylyk geçirijiligi elektrik enjamlarynda ýylylygyň netijeli ýaýramagyny üpjün edýär, bu bolsa olaryň has ýokary güýç derejelerinde we ýygylyklarda gyzdyrmazdan işlemegine mümkinçilik berýär. Bu bolsa kiçi, has netijeli ulgamlara we has uzak iş ömrüne getirýär.
Ýokary döwülme wolty: Kremniý bilen deňeşdirilende has giň zolak aralygy bolan SiC plitalary ýokary woltly ulanylyşlary goldaýar, bu bolsa olary elektrik awtoulaglarynda, elektrik ulgamlarynda we gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlarynda ýokary döwülme woltylaryna çydamly bolmaly güýçli elektron komponentler üçin ideal edýär.
Kuwwat ýitgileriniň azaldylmagy: SiC enjamlarynyň pes garşylykly we çalt geçiş tizligi iş wagtynda energiýa ýitgileriniň azalmagyna getirýär. Bu diňe bir netijeliligi ýokarlandyrman, eýsem olaryň ýerleşýän ulgamlarynyň umumy energiýa tygşytlanmagyny hem ýokarlandyrýar.
Gaty güýçli gurşawlarda ygtybarlylygyň ýokarlanmagy: SiC-niň berk material häsiýetleri oňa ýokary temperatura (600°C çenli), ýokary woltly we ýokary ýygylyklar ýaly ekstremal şertlerde işlemegine mümkinçilik berýär. Bu bolsa SiC plitalaryny senagat, awtoulag we energiýa ulgamlarynda zerur bolan maksatlar üçin amatly edýär.
Energiýa netijeliligi: SiC enjamlary däp bolan kremniý esasly enjamlara garanyňda has ýokary energiýa dykyzlygyny hödürleýär, bu bolsa elektrikli elektron ulgamlarynyň ölçeglerini we agramyny azaldýar we olaryň umumy netijeliligini ýokarlandyrýar. Bu bolsa gaýtadan dikeldilýän energiýa we elektrik awtoulaglary ýaly ulanylyşlarda çykdajylary tygşytlamaga we daşky gurşawa täsirini azaltmaga getirýär.
Ölçegleniş mümkinçiligi: HPSI SiC plastinkasynyň 3 dýuým diametri we takyk önümçilik çydamlylygy, onuň köpçülikleýin önümçilik üçin ölçekleniş mümkinçiligini üpjün edýär we ylmy-barlag we täjirçilik önümçilik talaplaryna laýyk gelýär.
Netije
3 dýuým diametri we 350 µm ± 25 µm galyňlygy bilen HPSI SiC plastinkasy ýokary öndürijilikli elektrik elektron enjamlarynyň indiki nesli üçin iň amatly materialdyr. Onuň ýylylyk geçirijiliginiň, ýokary döwülme naprýaženiýesiniň, pes energiýa ýitgisiniň we ekstremal şertlerde ygtybarlylygyň özboluşly utgaşmasy ony energiýany özgertmekde, gaýtadan dikeldilýän energiýada, elektrik awtoulaglarynda, senagat ulgamlarynda we telekommunikasiýada dürli ulanylyşlar üçin möhüm bölek edýär.
Bu SiC plastinka, has ýokary netijelilige, energiýa tygşytlamaga we ulgamyň ygtybarlylygyny ýokarlandyrmaga çalyşýan pudaklar üçin has amatlydyr. Elektrik elektronikasy tehnologiýasy ösmegini dowam etdirýän mahaly, HPSI SiC plastinkasy has durnukly, az uglerodly geljege geçmegi öňe sürýän, täze nesil energiýa tygşytlaýjy çözgütleriň işlenip düzülmegi üçin esas döredýär.
Jikme-jik diagramma
