3 дюйм 76.2 mm 4H-Ýarym SiC substrat waferi Silikon Karbid Ýarym kemsidiji SiC waferleri

3 dýuýmly 4H ýarym izolýasiýaly SiC (kremniý karbidi) substrat plitalary giňden ulanylýan ýarymgeçiriji materialdyr. 4H tetraheksaedr kristal gurluşyny görkezýär. Ýarym izolýasiýa substratyň ýokary garşylyk häsiýetlerine eýedigini we tok akymyndan belli bir derejede izolýasiýa edilip bilinjekdigini aňladýar.

Şeýle substrat plitalary aşakdaky häsiýetlere eýedir: ýokary ýylylyk geçirijiligi, pes geçirijilik ýitgisi, ajaýyp ýokary temperatura garşylygy we ajaýyp mehaniki we himiki durnuklylyk. Kremniý karbidiniň giň energiýa aralygy bolandygy we ýokary temperatura we ýokary elektrik meýdany şertlerine çydap bilýändigi sebäpli, 4H-SiC ýarym izolýasiýaly plitalar elektrik elektronikasynda we radio ýygylykly (RF) enjamlarda giňden ulanylýar.

4H-SiC ýarym izolýasiýaly plitalaryň esasy ulanylyş ugurlary:

1--Güýç elektronikasy: 4H-SiC plitalary MOSFET (Metall Oksid Ýarymgeçiriji Meýdan Effektli Tranzistorlar), IGBT (Izolýasiýaly Derweze Bipolýar Tranzistorlar) we Şottki diodlary ýaly güýç geçiş enjamlaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner. Bu enjamlar ýokary woltly we ýokary temperaturaly gurşawlarda geçirijilik we geçiş ýitgilerini has pes derejede görkezýär we has ýokary netijeliligi we ygtybarlylygy üpjün edýär.

2--Radio ýygylykly (RF) enjamlar: 4H-SiC ýarym izolýasiýaly plastinkalar ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly RF güýç güýçlendirijilerini, çip rezistorlaryny, süzgüçleri we beýleki enjamlary öndürmek üçin ulanylyp bilner. Kremniý karbidi elektron doýgunlygynyň ýokary sürüş tizligi we ýokary ýylylyk geçirijiligi sebäpli has gowy ýokary ýygylykly iş görkezijisine we ýylylyk durnuklylygyna eýedir.

3--Optoelektron enjamlar: 4H-SiC ýarym izolýasiýaly plastinkalar ýokary kuwwatly lazer diodlaryny, UV şöhle detektorlaryny we optoelektron integral mikrosxemalaryny öndürmek üçin ulanylyp bilner.

Bazar ugry babatda, 4H-SiC ýarym izolýasiýaly waferlere bolan isleg elektrik elektronikasynyň, RF we optoelektronikanyň ösýän ugurlary bilen artýar. Bu kremniý karbidiniň energiýa netijeliligi, elektrik ulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa we aragatnaşyk ýaly giň ulanylyş ugurlaryna eýe bolmagy bilen baglanyşyklydyr. Geljekde 4H-SiC ýarym izolýasiýaly waferleriň bazary örän geljegi uly bolmagynda galýar we dürli ulanylyşlarda adaty kremniý materiallarynyň ornuny tutar diýlip garaşylýar.