12 dýuýmlyk SIC substrat kremniý karbidi esasy derejeli diametri 300 mm uly ölçegli 4H-N Ýokary kuwwatly enjamyň ýylylyk ýaýramagy üçin amatly

Gysgaça düşündiriş:

12 dýuýmlyk kremniý karbidi substraty (SiC substraty) kremniý karbidiniň bir kristalyndan ýasalan uly ölçegli, ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji material substratydyr. Kremniý karbidi (SiC) ajaýyp elektrik, termiki we mehaniki häsiýetlere eýe bolan giň zolakly ýarymgeçiriji materialdyr, ol ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly gurşawlarda elektron enjamlaryň önümçiliginde giňden ulanylýar. 12 dýuýmlyk (300 mm) substrat kremniý karbidi tehnologiýasynyň häzirki ösen spesifikasiýadyr, ol önümçiligiň netijeliligini ep-esli ýokarlandyryp we çykdajylary azaldyp biler.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Önümiň häsiýetnamalary

1. Ýokary ýylylyk geçirijiligi: kremniý karbidiniň ýylylyk geçirijiligi kremniýiňkiden 3 esse köp, bu bolsa ýokary kuwwatly enjamyň ýylylyk ýaýramagy üçin amatlydyr.

2. Ýokary dargama meýdanynyň güýji: Dargama meýdanynyň güýji kremniýiňkiden 10 esse ýokary, ýokary basyşly ulanyşlar üçin amatly.

3. Giň zolak aralygy: Zolak aralygy 3.26eV (4H-SiC) bolup, ýokary temperatura we ýokary ýygylykly ulanyşlar üçin amatlydyr.

4. Ýokary gatylyk: Mohs gatylygy 9.2, diňe almazdan soň ikinji orunda durýar, ajaýyp aşynma garşylygy we mehaniki berkligi bilen tapawutlanýar.

5. Himiki durnuklylyk: güýçli korroziýa garşylygy, ýokary temperaturada we berk gurşawda durnukly iş.

6. Uly ölçeg: 12 dýuým (300 mm) substrat, önümçiligiň netijeliligini ýokarlandyrýar, birligiň bahasyny azaldýar.

7. Pes kemçilik dykyzlygy: pes kemçilik dykyzlygyny we ýokary yzygiderliligi üpjün etmek üçin ýokary hilli monokristal ösüş tehnologiýasy.

Önümiň esasy ulanylyş ugry

1. Güýçli elektronika:

Mosfetler: Elektrik awtoulaglarynda, senagat motorlarynyň hereketlendirijilerinde we güýç öwrümlerinde ulanylýar.

Diodlar: Şottki diodlary (SBD) ýaly, netijeli rektifikatsiya we kommutasiýa üçin ulanylýan güýç çeşmeleri.

2. RF enjamlary:

Rf güýç güýçlendirijisi: 5G aragatnaşyk baza stansiýalarynda we hemra aragatnaşygynda ulanylýar.

Mikrotolkunly enjamlar: Radar we simsiz aragatnaşyk ulgamlary üçin amatly.

3. Täze energiýa ulaglary:

Elektrik hereketlendiriji ulgamlary: elektrik ulaglary üçin motor kontrollerleri we inwertorlar.

Zarýad beriji üýşük: Çalt zarýad beriji enjamlar üçin güýç moduly.

4. Senagat ulanylyşlary:

Ýokary woltly inwertor: senagat motoryny dolandyrmak we energiýany dolandyrmak üçin.

Akylly tor: HVDC geçirijiligi we güýç elektronikasy transformatorlary üçin.

5. Aerokosmos:

Ýokary temperaturaly elektronika: aerokosmik enjamlaryň ýokary temperaturaly gurşawy üçin amatly.

6. Ylmy-barlag ugry:

Giň zolakly ýarymgeçirijileriň barlaglary: täze ýarymgeçiriji materiallary we enjamlary işläp düzmek üçin.

12 dýuýmlyk kremniý karbid substraty ýokary ýylylyk geçirijiligi, ýokary dargama meýdanynyň güýji we giň zolak aralygy ýaly ajaýyp häsiýetlere eýe bolan ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji material substratynyň bir görnüşidir. Ol elektrik elektronikasynda, radio ýygylykly enjamlarda, täze energiýa ulaglarynda, senagat dolandyryşynda we awiakosmosda giňden ulanylýar we netijeli we ýokary kuwwatly elektron enjamlaryň geljekki nesliniň ösüşini höweslendirmek üçin esasy materialdyr.

Häzirki wagtda kremniý karbid substratlarynyň AR gözlükleri ýaly sarp ediji elektronikasynda gönüden-göni ulanylyşlary az bolsa-da, olaryň netijeli energiýa dolandyryşyndaky we kiçi elektronikadaky mümkinçilikleri geljekki AR/VR enjamlary üçin ýeňil, ýokary öndürijilikli energiýa üpjünçiligi çözgütlerini goldap biler. Häzirki wagtda kremniý karbid substratynyň esasy ösüşi täze energiýa ulaglary, aragatnaşyk infrastrukturasy we senagat awtomatlaşdyrmasy ýaly senagat pudaklarynda jemlenendir we ýarymgeçirijiler senagatynyň has netijeli we ygtybarly ugurda ösmegine ýardam edýär.

XKH ýokary hilli 12 "SIC substratlaryny toplumlaýyn tehniki goldaw we hyzmatlar bilen üpjün etmäge borçlanýar, şol sanda:

1. Özleşdirilen önümçilik: Müşderiniň zerurlyklaryna görä dürli garşylyk, kristal ugry we ýüzleý işleme substratyny üpjün etmek.

2. Prosesleri optimizirlemek: Müşderilere önümiň işini gowulandyrmak üçin epitaksial ösüş, enjam önümçiligi we beýleki prosesler boýunça tehniki goldaw bermek.

3. Synag we sertifikatlaşdyrmak: Substratyň senagat standartlaryna laýyk gelýändigini üpjün etmek üçin berk kemçilikleri anyklamak we hil sertifikatyny bermek.

4. Ylmy-barlag we işläp çykarmak hyzmatdaşlygy: Tehnologik innowasiýalary ösdürmek üçin müşderiler bilen bilelikde täze kremniý karbid enjamlaryny işläp düzmek.

Maglumat diagrammasy

1 2 dýuýmlyk kremniý karbidi (SiC) substratynyň aýratynlyklary
Dereje		ZeroMPD önümçiligi Dereje (Z Dereje)	Standart önümçilik Dereje (P Dereje)		Ýalan derejeli (D derejeli)
Diametr		3 0 0 mm ~ 305 mm
Galyňlygy	4H-N	750μm±15 µm	750μm±25 µm
	4H-SI	750μm±15 µm	750μm±25 µm
Wafer ugry		Okdan daşary: 4H-N üçin <1120 >±0.5° tarap 4.0°, Okda: 4H-SI üçin <0001>±0.5°
Mikrotrubanyň dykyzlygy	4H-N	≤0.4sm-2	≤4 sm-2		≤25sm-2
	4H-SI	≤5 sm-2	≤10 sm-2		≤25sm-2
Garşylyklylyk	4H-N	0.015~0.024 Ω·sm			0.015~0.028 Ω·sm
	4H-SI	≥1E10 Ω·sm			≥1E5 Ω·sm
Esasy Tekizlik Ugury		{10-10} ±5.0°
Esasy tekiz uzynlyk	4H-N	Ýok
	4H-SI	Notch
Gyra çykarylyşy		3 mm
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Göwünsizlik		Polşa Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary Wizual uglerod goşulmalary Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň		Hiç hili Jemi meýdan ≤0.05% Hiç hili Jemi meýdan ≤0.05% Hiç hili			Jemi uzynlyk ≤ 20 mm, ýeke uzynlyk ≤ 2 mm Jemi meýdan ≤0.1% Jemi meýdan ≤3% Jemi meýdan ≤3% Jemi uzynlyk ≤1 × wafer diametri
Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri		≥0.2 mm giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär			7 rugsat berilýär, her biri ≤1 mm
(TSD) Rişli wintiň çykyşy		≤500 sm-2		Ýok
(BPD) Esasy tekizligiň dislokasiýa		≤1000 sm-2		Ýok
Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy		Hiç hili
Gaplama		Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap
Bellikler:
1 Kemçilikleriň çäkleri gyralaryň aýrylýan meýdanyndan başga, plastilin ýüzüniň tutuşyna degişlidir. 2Çyzyklary diňe Si ýüzünde barlamak gerek. 3 Dislokasiýa maglumatlary diňe KOH bilen oýulan waferlerden alnan.

XKH uly ölçegli, pes kemçilikli we ýokary konsistensiýaly 12 dýuýmlyk kremniý karbid substratlarynyň açylmagyny höweslendirmek üçin ylmy-barlag işlerine we işläp düzmelere maýa goýmagyny dowam etdirer, XKH bolsa sarp ediji elektronikasy (AR/VR enjamlary üçin güýç modullary ýaly) we kwantum hasaplamalary ýaly täze ösýän ugurlarda ulanylyşyny öwrenýär. Çykdajylary azaltmak we kuwwaty artdyrmak arkaly XKH ýarymgeçirijiler senagatyna gülläp ösüş getirer.