12 dýuýmlyk SiC substrat N görnüşli uly ölçegli ýokary öndürijilikli RF ulanylyşlary

Gysgaça düşündiriş:

12 dýuýmlyk SiC substraty ýarymgeçiriji materiallar tehnologiýasynda täze bir öňegidişligi görkezýär we güýç elektronikasy we ýokary ýygylykly ulanylyşlar üçin özgerdiji artykmaçlyklary hödürleýär. Senagatda iň uly täjirçilik taýdan elýeterli kremniý karbid plastinka formaty hökmünde, 12 dýuýmlyk SiC substraty materialyň giň zolak aýratynlyklary we ajaýyp termal häsiýetleri ýaly özboluşly artykmaçlyklaryny saklap galmak bilen, deňsiz-taýsyz möçber ykdysadyýetini üpjün edýär. Adaty 6 dýuýmlyk ýa-da ondan kiçi SiC plastinkalary bilen deňeşdirilende, 12 dýuýmlyk platforma plastinka üçin 300% -den gowrak ulanylyş meýdanyny üpjün edýär, bu bolsa galyp çykaryjylygyny ep-esli ýokarlandyrýar we güýç enjamlary üçin önümçilik çykdajylaryny azaldýar. Bu ölçeg geçişi kremniý plastinkalarynyň taryhy ewolýusiýasyny görkezýär, bu ýerde diametriň her bir artmagy çykdajylaryň ep-esli azalmagyna we öndürijiligiň gowulanmagyna getirdi. 12 dýuýmlyk SiC substratynyň ýokary ýylylyk geçirijiligi (kremniýiňkiden tas 3 esse) we ýokary kritiki döwülme meýdanynyň güýji ony has ykjam we netijeli güýç modullaryny üpjün edýän indiki nesil 800V elektrik ulag ulgamlary üçin has gymmatly edýär. 5G infrastrukturasynda materialyň ýokary elektron doýgunlyk tizligi RF enjamlaryna has pes ýitgiler bilen ýokary ýygylyklarda işlemäge mümkinçilik berýär. Substratyň modifisirlenen kremniý önümçilik enjamlary bilen utgaşyklylygy, SiC-iň örän berkligi (9,5 Mohs) sebäpli ýöriteleşdirilen işleme talap edilýän bolsa-da, bar bolan zawodlar tarapyndan has ýeňil kabul edilmegine ýardam edýär. Önümçilik möçberleri artdygyça, 12 dýuýmlyk SiC substratynyň ýokary kuwwatly ulanylyşlar üçin senagat standartyna öwrülmegine we awtoulag, gaýtadan dikeldilýän energiýa we senagat energiýasyny özgertmek ulgamlarynda innowasiýalary öňe sürmegine garaşylýar.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Tehniki parametrler

12 dýuýmlyk kremniý karbidi (SiC) substratynyň aýratynlyklary
Dereje		ZeroMPD önümçiligi Dereje (Z Dereje)	Standart önümçilik Dereje (P Dereje)		Ýalan derejeli (D derejeli)
Diametr		3 0 0 mm ~ 1305 mm
Galyňlygy	4H-N	750μm±15 µm	750μm±25 µm
	4H-SI	750μm±15 µm	750μm±25 µm
Wafer ugry		Okdan daşary: 4H-N üçin <1120 >±0.5° tarap 4.0°, Okda: 4H-SI üçin <0001>±0.5°
Mikrotrubanyň dykyzlygy	4H-N	≤0.4sm-2	≤4 sm-2		≤25sm-2
	4H-SI	≤5 sm-2	≤10 sm-2		≤25sm-2
Garşylyklylyk	4H-N	0.015~0.024 Ω·sm			0.015~0.028 Ω·sm
	4H-SI	≥1E10 Ω·sm			≥1E5 Ω·sm
Esasy Tekizlik Ugury		{10-10} ±5.0°
Esasy tekiz uzynlyk	4H-N	Ýok
	4H-SI	Notch
Gyra çykarylyşy		3 mm
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Göwünsizlik		Polşa Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary Wizual uglerod goşulmalary Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň		Hiç hili Jemi meýdan ≤0.05% Hiç hili Jemi meýdan ≤0.05% Hiç hili			Jemi uzynlyk ≤ 20 mm, ýeke uzynlyk ≤ 2 mm Jemi meýdan ≤0.1% Jemi meýdan ≤3% Jemi meýdan ≤3% Jemi uzynlyk ≤1 × wafer diametri
Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri		≥0.2 mm giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär			7 rugsat berilýär, her biri ≤1 mm
(TSD) Rişli wintiň çykyşy		≤500 sm-2		Ýok
(BPD) Esasy tekizligiň dislokasiýa		≤1000 sm-2		Ýok
Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy		Hiç hili
Gaplama		Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap
Bellikler:
1 Kemçilikleriň çäkleri gyralaryň aýrylýan meýdanyndan başga, plastilin ýüzüniň tutuşyna degişlidir. 2Çyzyklary diňe Si ýüzünde barlamak gerek. 3 Dislokasiýa maglumatlary diňe KOH bilen oýulan waferlerden alnan.

Esasy aýratynlyklar

1. Uly ölçegli artykmaçlyk: 12 dýuýmlyk SiC substraty (12 dýuýmlyk kremniý karbid substraty) has uly bir plastinka meýdanyny hödürleýär, bu bolsa plastinkada has köp çip öndürmäge mümkinçilik berýär, şeýdip önümçilik çykdajylaryny azaldýar we hasyllylygy ýokarlandyrýar.
2. Ýokary öndürijilikli material: Kremniý karbidiniň ýokary temperatura garşylygy we ýokary dargama meýdan güýji 12 dýuýmlyk substraty ýokary woltly we ýokary ýygylykly ulanyşlar, mysal üçin, EV inwertorlary we çalt zarýad beriş ulgamlary üçin ideal edýär.
3. Gaýtadan işlemegiň utgaşyklylygy: SiC-iň ýokary gatylygyna we gaýtadan işlemegiň kynçylyklaryna garamazdan, 12 dýuýmlyk SiC substraty optimizirlenen kesmek we jylamak usullary arkaly ýüzdäki kemçilikleriň azalmagyna ýetýär we enjamyň öndürijiligini ýokarlandyrýar.
4. Ýokary derejeli ýylylyk dolandyryşy: Kremniý esasly materiallara garanyňda has gowy ýylylyk geçirijiligi bilen, 12 dýuýmlyk substrat ýokary kuwwatly enjamlarda ýylylygyň ýaýramagyny netijeli çözýär we enjamyň ömrüni uzaldýar.

Esasy ulanylyşlar

1. Elektrik ulaglary: 12 dýuýmlyk SiC substraty (12 dýuýmlyk kremniý karbid substraty) täze nesil elektrik hereketlendiriji ulgamlarynyň esasy bölegi bolup, aralygy artdyrýan we zarýad beriş wagtyny azaldýan ýokary netijeli inwertorlary ulanmaga mümkinçilik berýär.

2. 5G baza stansiýalary: Uly ölçegli SiC substratlary ýokary ýygylykly RF enjamlary goldaýar, bu bolsa 5G baza stansiýalarynyň ýokary güýç we pes ýitgi talaplaryny kanagatlandyrýar.

3. Senagat energiýa çeşmeleri: Gün energiýasyny inwertorlarda we akylly elektrik ulgamlarynda 12 dýuýmlyk substrat energiýa ýitgisini azaltmak bilen birlikde ýokary naprýaženiýelere çydap bilýär.

4. Sarp ediji elektronikasy: Geljekde çalt zarýad berijiler we maglumat merkezi üçin elektrik üpjünçiligi kiçi ölçegli we ýokary netijeliligi gazanmak üçin 12 dýuýmlyk SiC substratlaryny ulanyp biler.

XKH-nyň hyzmatlary

Biz 12 dýuýmlyk SiC substratlary (12 dýuýmlyk kremniý karbid substratlary) üçin ýöriteleşdirilen gaýtadan işlemek hyzmatlaryna ýöriteleşýäris, şol sanda:
1. Zarba kesmek we jylamak: Müşderileriň talaplaryna laýyklykda az zyýanly, ýokary tekizlikli substrat işläp çykarmak, enjamyň durnukly işlemegini üpjün edýär.
2. Epitaksial ösüş goldawy: Çip önümçiligini çaltlandyrmak üçin ýokary hilli epitaksial wafer hyzmatlary.
3. Kiçi tapgyrly prototipleme: Ylmy-barlag edaralary we kärhanalar üçin ylmy-barlag we işläp taýýarlama işleriniň tassyklanmagyny goldaýar, ösüş sikllerini gysgaldyrýar.
4. Tehniki maslahat beriş: Materiallary saýlamakdan başlap, prosesi optimizirlemäge çenli toplumlaýyn çözgütler, müşderilere SiC işläp düzmekdäki kynçylyklary ýeňip geçmäge kömek edýär.
Köpçülikleýin önümçilik üçin ýa-da ýöriteleşdirilen sazlamak üçin bolsun, biziň 12 dýuýmlyk SiC substrat hyzmatlarymyz taslama zerurlyklaryňyza laýyk gelýär we tehnologik ösüşleri güýçlendirýär.