12 dýuým SiC substrat Diametri 300 mm Galyňlygy 750μm 4H-N Görnüşi öz islegiňize görä sazlanyp bilner

12 dýuým SiC substrat Diametri 300 mm Galyňlygy 750μm 4H-N Görnüşi özleşdirip bolýar Görkezilen surat

Gysgaça düşündiriş:

Ýarymgeçirijiler senagatynyň has netijeli we ykjam çözgütlere geçmeginiň möhüm döwründe, 12 dýuýmlyk SiC substratynyň (12 dýuýmlyk kremniý karbid substraty) peýda bolmagy peýzažy düýpli özgertdi. Adaty 6 dýuýmlyk we 8 dýuýmlyk tehniki häsiýetnamalar bilen deňeşdirilende, 12 dýuýmlyk substratyň uly ölçegli artykmaçlygy her bir plastinkada öndürilýän çipleriň sanyny dört esseden gowrak artdyrýar. Mundan başga-da, 12 dýuýmlyk SiC substratynyň birlik bahasy adaty 8 dýuýmlyk substratlara garanyňda 35-40% azalýar, bu bolsa ahyrky önümleriň giňden ulanylmagy üçin möhümdir.
Biz öz hususy bug daşamak tehnologiýamyzy ulanmak bilen, 12 dýuýmlyk kristallardaky dislokasiýa dykyzlygyna pudakda öňdebaryjy gözegçilik edip, soňraky enjam önümçiligi üçin ajaýyp material binýadyny döretdik. Bu öňegidişlik häzirki global çip ýetmezçiliginiň şertlerinde has-da möhümdir.

Gündelik ulanyşlarda esasy güýç enjamlary — mysal üçin, elektrik awtoulaglaryny çalt zarýadlaýan stansiýalar we 5G baza stansiýalary — bu uly ölçegli substraty barha köp ulanýarlar. Esasanam ýokary temperaturada, ýokary woltly we beýleki agyr iş şertlerinde 12 dýuýmlyk SiC substraty kremniý esasly materiallara garanyňda has ýokary durnuklylygy görkezýär.

Bize e-poçta iberiň

Aýratynlyklar

Tehniki parametrler

12 dýuýmlyk kremniý karbidi (SiC) substratynyň aýratynlyklary
Dereje		ZeroMPD önümçiligi Dereje (Z Dereje)	Standart önümçilik Dereje (P Dereje)		Ýalan derejeli (D derejeli)
Diametr		3 0 0 mm ~ 1305 mm
Galyňlygy	4H-N	750μm±15 µm	750μm±25 µm
	4H-SI	750μm±15 µm	750μm±25 µm
Wafer ugry		Okdan daşary: 4H-N üçin <1120 >±0.5° tarap 4.0°, Okda: 4H-SI üçin <0001>±0.5°
Mikrotrubanyň dykyzlygy	4H-N	≤0.4sm-2	≤4 sm-2		≤25sm-2
	4H-SI	≤5 sm-2	≤10 sm-2		≤25sm-2
Garşylyklylyk	4H-N	0.015~0.024 Ω·sm			0.015~0.028 Ω·sm
	4H-SI	≥1E10 Ω·sm			≥1E5 Ω·sm
Esasy Tekizlik Ugury		{10-10} ±5.0°
Esasy tekiz uzynlyk	4H-N	Ýok
	4H-SI	Notch
Gyra çykarylyşy		3 mm
LTV/TTV/Bow /Warp		≤5μm / ≤15μm / ≤35 μm / ≤55 μm			≤5μm / ≤15μm / ≤35 □ μm / ≤55 □ μm
Gatylyk		Polşa Ra≤1 nm
		CMP Ra≤0.2 nm			Ra≤0.5 nm
Ýokary intensiwli çyranyň gyralarynyň çatlamagy Ýokary intensiwli çyra arkaly altyburçluk plitalar Ýokary intensiwli çyra arkaly politip meýdanlary Wizual uglerod goşulmalary Ýokary intensiwli çyra bilen kremniýiň ýüzündäki çyzyklaryň		Hiç hili Jemi meýdan ≤0.05% Hiç hili Jemi meýdan ≤0.05% Hiç hili			Jemi uzynlyk ≤ 20 mm, ýeke uzynlyk ≤ 2 mm Jemi meýdan ≤0.1% Jemi meýdan ≤3% Jemi meýdan ≤3% Jemi uzynlyk ≤1 × wafer diametri
Ýokary intensiwli çyra bilen gyra çipleri		≥0.2 mm giňlik we çuňluk rugsat berilmeýär			7 rugsat berilýär, her biri ≤1 mm
(TSD) Rişli wintiň çykyşy		≤500 sm-2		Ýok
(BPD) Esasy tekizligiň dislokasiýa		≤1000 sm-2		Ýok
Ýokary intensiwli ýagtylyk bilen kremniýiň ýüzüniň hapalanmagy		Hiç hili
Gaplama		Köp waferli kasseta ýa-da ýeke waferli gap
Bellikler:
1 Kemçilikleriň çäkleri gyralaryň aýrylýan meýdanyndan başga, plastiliň tutuş ýüzüne degişlidir. 2Çyzyklary diňe Si ýüzünde barlamak gerek. 3 Dislokasiýa maglumatlary diňe KOH bilen oýulan waferlerden alnan.

Esasy aýratynlyklar

1. Önümçilik kuwwaty we çykdajylaryň artykmaçlyklary: 12 dýuýmlyk SiC substratynyň (12 dýuýmlyk kremniý karbid substraty) köpçülikleýin öndürilmegi ýarymgeçiriji önümçilikde täze döwri alamatlandyrýar. Bir plastinkadan alynýan çipleriň sany 8 dýuýmlyk substratlardan 2,25 esse köp bolup, önümçiligiň netijeliliginde gönüden-göni öňe gidişlik döredýär. Müşderileriň pikirleri 12 dýuýmlyk substratlary kabul etmegiň olaryň energiýa modulynyň önümçilik çykdajylaryny 28% azaltandygyny we berk bäsdeşlikli bazarda aýgytly bäsdeşlik artykmaçlygyny döredendigini görkezýär.
2. Ajaýyp fiziki häsiýetler: 12 dýuýmlyk SiC substraty kremniý karbid materialynyň ähli artykmaçlyklaryny miras alýar - onuň ýylylyk geçirijiligi kremniýden 3 esse, dargama meýdanynyň güýji bolsa kremniýden 10 esse ýetýär. Bu häsiýetler 12 dýuýmlyk substratlara esaslanýan enjamlaryň 200°C-den ýokary ýokary temperatura şertlerinde durnukly işlemegine mümkinçilik berýär, bu bolsa olary elektrik awtoulaglary ýaly talap edilýän ulanyşlar üçin has amatly edýär.
3. Ýüzi işläp bejermek tehnologiýasy: Biz atom derejesindäki ýüz tekizligine (Ra <0.15nm) ýetmek bilen, 12 dýuýmlyk SiC substratlary üçin ýörite täze himiki mehaniki jylawlama (CMP) prosesini işläp düzdik. Bu üstünlik uly diametrli kremniý karbid wafer ýüzi işläp bejermegiň dünýädäki meselesini çözýär we ýokary hilli epitaksial ösüş üçin päsgelçilikleri aradan aýyrýar.
4. Termal dolandyryşyň netijeliligi: Amaly ulanylyşlarda 12 dýuýmlyk SiC substratlary ajaýyp ýylylyk ýaýratmak ukybyny görkezýär. Synag maglumatlary şol bir güýç dykyzlygynda 12 dýuýmlyk substratlary ulanýan enjamlaryň kremniý esasly enjamlara garanyňda 40-50°C pes temperaturada işleýändigini we enjamlaryň hyzmat ömrüni ep-esli uzaldýandygyny görkezýär.

Esasy ulanylyşlar

1. Täze energiýa ulag ekosistemasy: 12 dýuýmlyk SiC substraty (12 dýuýmlyk kremniý karbid substraty) elektrik ulaglarynyň hereketlendiriji gurluşynyň arhitekturasynda rewolýusiýa döredýär. Bortdaky zarýad berijilerden (OBC) esasy hereketlendiriji inwertorlaryna we batareýa dolandyryş ulgamlaryna çenli, 12 dýuýmlyk substratlaryň getirýän netijeliliginiň ýokarlanmagy ulagyň aralygyny 5-8% artdyrýar. Öňdebaryjy awtoulag öndürijisiniň hasabatlarynda 12 dýuýmlyk substratlarymyzyň ulanylmagynyň olaryň çalt zarýad beriş ulgamynda energiýa ýitgisini täsirli 62% azaltandygy görkezilýär.
2. Gaýtadan dikeldilýän energiýa pudagy: Fotowoltaik elektrik stansiýalarynda 12 dýuýmlyk SiC substratlaryna esaslanýan inwertorlar diňe bir kiçi görnüş faktorlaryna eýe bolmak bilen çäklenmän, eýsem 99% -den gowrak konwersiýa netijeliligini hem gazanýarlar. Aýratyn hem paýlanan önümçilik senariýalarynda bu ýokary netijelilik operatorlar üçin elektrik energiýasynyň ýitgilerinde ýyllyk ýüz müňlerçe ýuan tygşytlamaga mümkinçilik berýär.
3. Senagat Awtomatlaşdyrmasy: 12 dýuýmlyk substratlary ulanýan ýygylyk öwrüjileri senagat robotlarynda, CNC stanoklarynda we beýleki enjamlarda ajaýyp iş görkezijilerini görkezýär. Olaryň ýokary ýygylykly öwrüm häsiýetnamalary hereketlendirijiniň jogap tizligini 30% ýokarlandyrýar we elektromagnit päsgelçiliklerini adaty çözgütleriň üçden birine çenli azaldýar.
4. Sarp ediji elektronika innowasiýalary: Täze nesil smartfonlar üçin çalt zarýad berýän tehnologiýalar 12 dýuýmlyk SiC substratlaryny ulanmaga başlady. 65W-dan ýokary çalt zarýad berýän önümleriň kremniý karbid erginlerine doly geçjekdigi we 12 dýuýmlyk substratlaryň iň amatly baha-netijeli saýlaw hökmünde peýda boljakdygy çaklanylýar.

12 dýuýmlyk SiC substraty üçin XKH ýöriteleşdirilen hyzmatlar

12 dýuýmlyk SiC substratlary (12 dýuýmlyk kremniý karbid substratlary) üçin anyk talaplary kanagatlandyrmak üçin XKH toplumlaýyn hyzmat goldawyny hödürleýär:
1. Galyňlygy sazlamak:
Dürli ulanylyş zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin biz 725μm bilen birlikde dürli galyňlyk aýratynlyklarynda 12 dýuýmlyk substratlary hödürleýäris.
2. Doping konsentrasiýasy:
Önümçiligimiz n-tipli we p-tipli substratlary öz içine alýan köp sanly geçirijilik görnüşlerini goldaýar, 0.01-0.02Ω·sm aralygyndaky takyk garşylyk gözegçiligi bilen.
3. Synag hyzmatlary:
Doly wafer derejesindäki synag enjamlary bilen biz doly barlag hasabatlaryny hödürleýäris.
XKH her bir müşderiniň 12 dýuýmlyk SiC substratlary üçin özboluşly talaplarynyň bardygyny düşünýär. Şonuň üçin biz iň bäsdeşlikli çözgütleri hödürlemek üçin çeýe iş hyzmatdaşlyk modellerini hödürleýäris, şol sanda:
· Ylmy-barlag we işläp çykaryş nusgalary
· Önümçiligiň möçberini satyn almak
Biziň ýöriteleşdirilen hyzmatlarymyz 12 dýuýmlyk SiC substratlary üçin siziň tehniki we önümçilik zerurlyklaryňyzy kanagatlandyryp biljekdigimizi üpjün edýär.