Senagat habarlary
-
Lazer dilimlemek geljekde 8 dýuým kremniy karbidi kesmek üçin esasy tehnologiýa öwrüler. Sorag-jogap ýygyndysy
S: SiC wafli dilimlemekde we gaýtadan işlemekde ulanylýan esasy tehnologiýalar haýsylar? J: Silikon karbidi (SiC) göwherden soň ikinji ýerde durýar we gaty gaty we döwük material hasaplanýar. Ösümlik kristallaryny inçe wafli kesmegi öz içine alýan dilimlemek prosesi köp wagt talap edýär we ýygy-ýygydan ...Dowamyny oka -
SiC Wafer gaýtadan işleýiş tehnologiýasynyň häzirki ýagdaýy we ugurlary
Üçünji nesil ýarymgeçiriji substrat materialy hökmünde kremniý karbid (SiC) ýeke kristal ýokary ýygylykly we ýokary güýçli elektron enjamlaryny öndürmekde giň mümkinçiliklere eýe. SiC gaýtadan işlemek tehnologiýasy ýokary hilli substratyň önümçiliginde aýgytly rol oýnaýar ...Dowamyny oka -
Üçünji nesil ýarymgeçirijiniň ösýän ýyldyzy: Galiý nitridi geljekde birnäçe täze ösüş nokady
Silikon karbid enjamlary bilen deňeşdirilende, galliý nitrid kuwwatly enjamlar, şol bir wagtyň özünde galliý nitrid esasly enjamlar ýaly netijelilik, ýygylyk, göwrüm we beýleki giňişleýin taraplar talap edilýän ssenariýalarda has artykmaçlyga eýe bolar ...Dowamyny oka -
Içerki GaN pudagynyň ösüşi çaltlaşdyryldy
Galiý nitridi (GaN) elektrik enjamlarynyň kabul edilmegi Hytaýyň sarp ediji elektronika satyjylarynyň ýolbaşçylygynda ep-esli ösýär we 2027-nji ýylda 126 million dollar köpelip, 2027-nji ýyla çenli energiýa GaN enjamlarynyň bazary 2 milliard dollara ýeter diýlip garaşylýar. Häzirki wagtda sarp ediş elektronikasy gallium ni esasy hereketlendiriji ...Dowamyny oka