Silikon wafli substratda kremniy atomlarynyň goşmaça gatlagyny ösdürmegiň birnäçe artykmaçlygy bar:
CMOS kremniy proseslerinde, wafli substratda epitaksial ösüş (EPI) möhüm ädimdir.
1 cry Kristal hilini ýokarlandyrmak
Başlangyç substratyň kemçilikleri we hapalary: Önümçilik döwründe wafli substratyň käbir kemçilikleri we hapalary bolup biler. Epitaksial gatlagyň ösmegi, aşaky enjamda ýasalmagy üçin möhüm ähmiýete eýe bolan substratdaky kemçilikleriň we hapalaryň pes konsentrasiýasy bolan ýokary hilli monokristally kremniy gatlagyny öndürip biler.
Bitewi kristal gurluşy: Epitaksial ösüş has birmeňzeş kristal gurluşyny üpjün edýär, däne araçäkleriniň we substrat materialyndaky kemçilikleriň täsirini azaldýar we şeýlelik bilen wafliň umumy kristal hilini ýokarlandyrýar.
2 electrical elektrik öndürijiligini gowulandyrmak.
Enjamyň aýratynlyklaryny optimizirlemek: Substratda epitaksial gatlagy ösdürip, doping konsentrasiýasyny we kremniniň görnüşini takyk dolandyryp, enjamyň elektrik öndürijiligini optimizirläp bolýar. Mysal üçin, epitaksial gatlagyň dopingini MOSFET-leriň bosagadaky naprýa .eniýesini we beýleki elektrik parametrlerini dolandyrmak üçin inçe sazlap bolýar.
Syzdyryjy tok azaltmak: qualityokary hilli epitaksial gatlagyň kemçilik dykyzlygy pes, bu enjamlarda syzma tokyny azaltmaga kömek edýär we şeýlelik bilen enjamyň işleýşini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrýar.
3 electrical elektrik öndürijiligini gowulandyrmak.
Aýratynlyklaryň ululygyny azaltmak: Has kiçi proses düwünlerinde (7nm, 5nm) enjamlaryň aýratynlyk ululygy kiçelmegini dowam etdirýär we has arassa we ýokary hilli materiallary talap edýär. Epitaksial ösüş tehnologiýasy, ýokary öndürijilikli we ýokary dykyzlykly integral zynjyrlaryň önümçiligini goldaýan bu talaplary kanagatlandyryp biler.
Bölüniş naprýa .eniýesini güýçlendirmek: Epitaksial gatlaklar ýokary güýçli we ýokary woltly enjamlary öndürmek üçin möhüm ähmiýete eýe bolan has ýokary bölek naprýa .eniýeleri bilen dizaýn edilip bilner. Mysal üçin, güýç enjamlarynda epitaksial gatlaklar enjamyň döwülýän naprýa .eniýesini gowulandyryp, howpsuz iş aralygyny ýokarlandyryp biler.
4 、 Amallaryň gabat gelmegi we köp gatly gurluşlar
Köp gatlakly gurluşlar: Epitaksial ösüş tehnologiýasy dürli gatlaklarda dürli doping konsentrasiýalary we görnüşleri bolan substratlardaky köp gatly gurluşlaryň ösmegine mümkinçilik berýär. Bu çylşyrymly CMOS enjamlaryny öndürmek we üç ölçegli integrasiýany üpjün etmek üçin örän peýdalydyr.
Gabat gelmek: Epitaksial ösüş prosesi bar bolan CMOS önümçilik prosesleri bilen ýokary derejede gabat gelýär we häzirki önümçilik işlerine integrasiýa aňsatlaşdyrýar, proses setirlerine düýpli üýtgetmeler girizilmezden.
Gysgaça mazmun: CMOS kremniý proseslerinde epitaksial ösüşiň ulanylmagy, esasan, wafli kristal hilini ýokarlandyrmagy, enjamyň elektrik öndürijiligini optimizirlemegi, ösen proses düwünlerini goldamagy we ýokary öndürijilikli we ýokary dykyzlykly integral zynjyr önümçiliginiň talaplaryny kanagatlandyrmagy maksat edinýär. Epitaksial ösüş tehnologiýasy, materiallaryň dopingine we gurluşyna takyk gözegçilik etmäge, enjamlaryň umumy öndürijiligini we ygtybarlylygyny ýokarlandyrmaga mümkinçilik berýär.
Iş wagty: 16-2024-nji oktýabr