Silikon karbid enjamlary bilen deňeşdirilende, galliý nitrit kuwwatly enjamlar, şol bir wagtyň özünde netijelilik, ýygylyk, göwrüm we beýleki giňişleýin taraplar talap edilýän senariýalarda has köp artykmaçlyga eýe bolar, meselem, galliý nitrid esasly enjamlar çalt zarýad bermekde üstünlikli ulanylýar. uly masştabda. Täze akym programmalarynyň döremegi we galiý nitrit substraty taýýarlamak tehnologiýasynyň yzygiderli öňe gidişligi bilen, GaN enjamlarynyň göwrüminiň artmagyna garaşylýar we çykdajylary azaltmak we netijelilik, durnukly ýaşyl ösüş üçin esasy tehnologiýalaryň birine öwrüler.
Häzirki wagtda ýarymgeçiriji materiallaryň üçünji nesli strategiki ösýän pudaklaryň möhüm bölegine öwrüldi, şeýle hem indiki nesli maglumat tehnologiýasy, energiýa tygşytlamak we zyňyndylary azaltmak we milli goranyş howpsuzlygy tehnologiýasy üçin strategiki buýruk nokadyna öwrülýär. Şolaryň arasynda galiý nitridi (GaN), 3,4eV zolakly giň zolakly ýarymgeçiriji material hökmünde üçünji nesil ýarymgeçiriji materiallaryň biridir.
3-nji iýulda Hytaý “ýarymgeçiriji pudagynyň täze dänesi” hökmünde seýrek metal bolan galliumyň möhüm häsiýetine esaslanýan möhüm syýasaty düzetmek we galiý we germaniý bilen baglanyşykly önümleriň eksportyny güýçlendirdi we bu ugurda giňden peýdalanmak artykmaçlyklary ýarymgeçiriji materiallar, täze energiýa we beýleki ugurlar. Syýasatyň üýtgemegini göz öňünde tutup, bu kagyzda galiý nitridini taýýarlamak tehnologiýasy we kynçylyklary, geljekde täze ösüş nokatlary we bäsdeşlik görnüşi ara alnyp maslahatlaşylar we seljeriler.
Gysgaça giriş:
Galiý nitridi, ýarymgeçiriji materiallaryň üçünji nesliniň adaty wekili bolan sintetiki ýarymgeçiriji materialyň bir görnüşidir. Adaty kremniy materiallary bilen deňeşdirilende, galiý nitridi (GaN) uly zolakly boşlugyň, güýçli döwülýän elektrik meýdanynyň, garşylygy pes, ýokary elektron hereketi, ýokary öwrülişiň netijeliligi, ýokary ýylylyk geçirijiligi we pes ýitgileriniň artykmaçlyklaryna eýedir.
Galiý nitrid ýeke kristal, ýokary öndürijilikli ýarymgeçiriji materiallaryň täze nesli bolup, aragatnaşyk, radar, sarp ediş elektronikasy, awtoulag elektronikasy, energiýa energiýasy, senagat lazerini gaýtadan işlemek, gurallar we beýleki ugurlarda giňden ulanylyp bilner, şonuň üçin onuň ösüşi we köpçülikleýin önümçiligi dünýädäki ýurtlaryň we pudaklaryň üns merkezinde.
GaN-yň ulanylyşy
1-5G aragatnaşyk bazasy
Simsiz aragatnaşyk infrastrukturasy galliý nitrit RF enjamlarynyň esasy ulanylýan ýeridir, 50% -i tutýar.
2 - powerokary elektrik üpjünçiligi
GaN-iň "goşa beýiklik" aýratynlygy, çalt zarýad bermek we zarýaddan goramak ssenarileriniň talaplaryny kanagatlandyryp bilýän ýokary öndürijilikli sarp ediji elektron enjamlarynda aralaşmak mümkinçiligine eýedir.
3 - Täze energiýa serişdesi
Amaly amaly nukdaýnazaryndan, awtoulagdaky häzirki üçünji nesil ýarymgeçiriji enjamlar esasan kremniy karbid enjamlarydyr, ýöne elektrik enjamlarynyň modullarynyň awtoulag kadalaşdyryş şahadatnamasyny ýa-da beýleki amatly gaplama usullaryny geçip bilýän galliý nitrit materiallary bar. henizem ähli zawod we OEM öndürijileri tarapyndan kabul ediler.
4 - Maglumat merkezi
GaN elektrik ýarymgeçirijileri esasan PSU elektrik merkezlerinde maglumat merkezlerinde ulanylýar.
Gysgaça aýtsak, täze akym programmalarynyň döremegi we galliý nitrit substraty taýýarlamak tehnologiýasynda üznüksiz üstünlikler bilen GaN enjamlarynyň göwrüminiň artmagyna we çykdajylaryň azaldylmagy we netijeliligi we durnukly ýaşyl ösüş üçin esasy tehnologiýalaryň birine öwrülmegine garaşylýar.
Iş wagty: Iýul-27-2023