SOI (Silikon-On-izolýator) wafliizolýasiýa oksid gatlagynyň üstünde emele gelen ultra inçe kremniy gatlagy bolan ýöriteleşdirilen ýarymgeçiriji materialy görkezýär. Bu üýtgeşik sendwiç gurluşy ýarymgeçiriji enjamlar üçin ep-esli öndürijiligi üpjün edýär.
Gurluş düzümi:
Enjam gatlagy (ýokarky kremniý):
Birnäçe nanometrden mikrometre çenli galyňlyk, tranzistor ýasamak üçin işjeň gatlak bolup hyzmat edýär.
Jaýlanan oksid gatlagy (BOX):
Enjam gatlagyny substratdan elektrik taýdan izolýasiýa edýän kremniniň dioksid izolýasiýa gatlagy (galyňlygy 0.05-15μm).
Esasy substrat:
Mehaniki goldaw berýän köpçülikleýin kremniý (galyňlygy 100-500μm).
Taýýarlyk prosesi tehnologiýasyna görä, SOI kremniy wafli esasy iş ugurlary: SIMOX (kislorod sanjymyny izolýasiýa tehnologiýasy), BESOI (baglanyşdyryjy inçe tehnologiýasy) we Smart Cut (akylly zolak tehnologiýasy) ýaly toparlara bölünip bilner.
SIMOX (Kislorod sanjymyny izolýasiýa tehnologiýasy), kremniniň waflerine ýokary energiýaly kislorod ionlaryny sanjym etmegi öz içine alýan usuldyr, soňra kremniniň dioksidi oturdylan gatlagy emele getirýär, soňra bolsa panjanyň kemçiliklerini bejermek üçin ýokary temperaturaly annele sezewar edilýär. Coreadro gömülen kislorody emele getirmek üçin göni ion kislorod sanjymydyr.
BESOI (Bonding Thinning tehnologiýasy) iki sany kremniý wafli baglamagy, soňra bolsa SOI gurluşyny emele getirmek üçin mehaniki üweýji we himiki efir arkaly birini ýuka etmegi öz içine alýar. Coreadro baglanyşykda we inçe bolmakda.
“Smart Cut” (Intelligent Exfoliation tehnologiýasy) wodorod ion sanjymynyň üsti bilen eksfolýasiýa gatlagyny emele getirýär. Baglanylandan soň, wodorod ion gatlagy boýunça kremniý wafli siňdirmek üçin ultra inçe kremniy gatlagyny emele getirmek üçin ýylylyk bejergisi geçirilýär. Coreadrosy wodorod sanjymyny kesmekdir.
Häzirki wagtda Xinao tarapyndan işlenip düzülen SIMBOND (kislorod sanjym baglaýyş tehnologiýasy) diýlip atlandyrylýan başga bir tehnologiýa bar. Aslynda, bu kislorod sanjymyny izolýasiýa we baglanyşyk tehnologiýalaryny birleşdirýän ugur. Bu tehniki ugurda sanjym edilen kislorod inçe barýer gatlagy hökmünde ulanylýar we hakyky gömülen kislorod gatlagy termiki okislenme gatlagydyr. Şonuň üçin şol bir wagtyň özünde ýokarky kremniniň birmeňzeşligi we gömülen kislorod gatlagynyň hili ýaly parametrleri gowulandyrýar.
Dürli tehniki ugurlar bilen öndürilen SOI kremniy wafli dürli öndürijilik parametrlerine eýedir we dürli amaly ssenariýalara laýyk gelýär.
Aşakda SOI kremniý wafliniň esasy öndürijilik artykmaçlyklarynyň gysgaça tablisasy, tehniki aýratynlyklary we amaly senarisi bilen utgaşdyrylýar. Adaty köpçülikleýin kremniý bilen deňeşdirilende, SOI tizlik we güýç sarp etmek balansynda möhüm artykmaçlyklara eýedir. (PS: 22nm FD-SOI öndürijiligi FinFET-e ýakyn we bahasy 30% arzanladyldy.)
| Öndürijilik artykmaçlygy | Tehniki ýörelge | Ificörite görkeziş | Adaty programma ssenarileri |
| Parazitiň pes ukyby | Izolýasiýa gatlagy (BOX) enjam bilen substratyň arasynda zarýad birikmesini bloklaýar | Geçiş tizligi 15% -30% ýokarlandy, energiýa sarp edilişi 20% -50% azaldy | 5G RF, ýokary ýygylykly aragatnaşyk çipleri |
| Syzdyryjy tok azaldy | Izolýasiýa gatlagy syzýan tok ýollaryny basýar | Syzdyryjy tok> 90% azaldy, batareýanyň ömri uzaldyldy | IoT enjamlary, geýip bolýan elektronika |
| Güýçlendirilen radiasiýa gatylygy | Izolýasiýa gatlagy radiasiýa bilen örtülen zarýadyň ýygnanmagyny bökdeýär | Radiasiýa çydamlylygy 3-5x gowulaşdy, bir hadysanyň peselmegi azaldy | Kosmos gämisi, ýadro senagaty enjamlary |
| Gysga kanal effektine gözegçilik | Inçe kremniy gatlagy zeýkeş bilen çeşmäniň arasyndaky elektrik meýdanynyň päsgelçiligini azaldýar | Bosgun naprýa .eniýesiniň durnuklylygy, optimal aşaky eňňit | Ösen düwün logiki çipleri (<14nm) |
| Termiki dolandyryşy gowulandyrdy | Izolýasiýa gatlagy ýylylyk geçiriji birikmesini azaldar | 30% az ýylylyk ýygnamak, 15-25 ° C pes temperatura | 3D IC, Awtoulag elektronikasy |
| Freokary ýygylygy optimizasiýa | Parazit kuwwatyny peseltmek we göterijiniň hereketini güýçlendirmek | 20% pes gijikdirme,> 30 GGs signal işlemegini goldaýar | mm Tolkun aragatnaşygy, Sputnik çipleri |
| Dizaýn çeýeligini ýokarlandyrmak | Gowy doping talap edilmeýär, arka tarapdan goldaw berýär | 13% -20% az amal ädimleri, 40% ýokary integrasiýa dykyzlygy | Garyşyk signal IC, datçikler |
| Gorag immuniteti | Izolýasiýa gatlagy parazit PN birikmelerini izolirleýär | Latch-up häzirki bosagasy> 100mA çenli ýokarlandy | Volokary woltly güýç enjamlary |
Jemläp aýtsak, SOI-iň esasy artykmaçlyklary: çalt işleýär we has tygşytly.
SOI-iň bu öndürijilik aýratynlyklary sebäpli ajaýyp ýygylyk öndürijiligini we energiýa sarp ediş öndürijiligini talap edýän meýdanlarda giň programmalar bar.
Aşakda görkezilişi ýaly, SOI-e gabat gelýän amaly meýdanlaryň paýyna esaslanyp, SOI bazarynyň aglaba bölegini RF we elektrik enjamlarynyň tutýandygyny görmek bolýar.
| Programma meýdany | Bazar paýy |
| RF-SOI (Radio ýygylygy) | 45% |
| Kuwwat SOI | 30% |
| FD-SOI (Doly dolduryldy) | 15% |
| Optiki SOI | 8% |
| Sensor SOI | 2% |
Jübi aragatnaşygy we özbaşdak hereket etmek ýaly bazarlaryň ösmegi bilen SOI kremniy wafli hem belli bir ösüş depginini saklar diýlip garaşylýar.
XKH, Silikon-On-izolýator (SOI) wafli tehnologiýasynda öňdebaryjy täzelikçi hökmünde, önümçilikde öňdebaryjy önümçilik amallaryny ulanyp, gözleg we gözleg önümlerinden göwrümli SOI çözgütlerini üpjün edýär. Doly bukjamyz, RF-SOI, Power-SOI we FD-SOI wariantlaryny öz içine alýan 200mm / 300mm SOI wafli öz içine alýar, berk ýerine ýetirijilik aýratyn ýerine ýetirijilik yzygiderliligini üpjün edýär (galyňlygyň birmeňzeşligi ± 1,5%). Gömülen oksid (BOX) gatlagynyň galyňlygy 50nm-den 1,5μm çenli we aýratyn talaplary kanagatlandyrmak üçin dürli garşylyk aýratynlyklary bilen ýöriteleşdirilen çözgütleri hödürleýäris. 15 ýyllyk tehniki tejribe we ygtybarly global üpjünçilik zynjyryndan peýdalanyp, dünýädäki ýokary derejeli ýarymgeçiriji öndürijilere ýokary hilli SOI substrat materiallaryny ygtybarly üpjün edýäris, 5G aragatnaşyk, awtoulag elektronikasy we emeli intellekt programmalarynda iň täze çip täzeliklerini üpjün edýäris.
XKH'SOI wafli:
Iş wagty: Apr-24-2025