Habarlar
-
Kristal uçarlar bilen kristal ugrunyň arasyndaky baglanyşyk.
Kristal uçarlar we kristal ugry, kremniý esasly integral zynjyr tehnologiýasyndaky kristal gurluşy bilen ýakyndan baglanyşykly kristalografiýada iki esasy düşünje. 1. Kristal ugrunyň kesgitlemesi we aýratynlyklary Kristal ugrukdyrylyşy belli bir ugry görkezýär ...Dowamyny oka -
Aýna üsti bilen (TGV) we Silikon arkaly, TSV (TSV) prosesleriniň TGV over artykmaçlyklary näme?
Aýna üsti bilen (TGV) we Silikon üsti bilen (TSV) prosesleriň TGV-den artykmaçlyklary esasan: (1) ýokary ýygylykly ajaýyp elektrik aýratynlyklary. Aýna material izolýator materialy, dielektrik hemişelik kremniniň materialynyň diňe 1/3 bölegini, ýitgi faktory bolsa 2 -...Dowamyny oka -
Geçiriji we ýarym izolýasiýa edilen kremniý karbid substrat goşundylary
Silikon karbid substraty ýarym izolýasiýa görnüşine we geçiriji görnüşe bölünýär. Häzirki wagtda ýarym izolýasiýa edilen kremniy karbid substrat önümleriniň esasy spesifikasiýasy 4 dýuým. Geçiriji kremniý karbid ma ...Dowamyny oka -
Dürli kristal ugurly sapfir wafli ulanylyşynda-da tapawutlar barmy?
Safir alýuminiň ýekeje kristaly bolup, üç taraplaýyn kristal ulgamyna, altyburçly gurluşa degişlidir, kristal gurluşy üç sany kislorod atomyndan we kowalent baglanyşyk görnüşindäki iki sany alýumin atomyndan ybarat, berk baglanyşyk zynjyry we panjara energiýasy bilen, kristal inte ...Dowamyny oka -
SiC geçiriji substrat bilen ýarym izolirlenen substratyň arasynda näme tapawut bar?
SiC kremniy karbid enjamy, çig mal hökmünde kremniy karbidden ýasalan enjamy aňladýar. Dürli garşylyk häsiýetlerine görä, geçiriji kremniy karbid kuwwat enjamlaryna we ýarym izolýasiýa edilen kremniy karbid RF enjamlaryna bölünýär. Esasy enjam formalary we ...Dowamyny oka -
Bir makala size TGV ussady alyp barýar
TGV näme? TGV, (Aýna arkaly), aýna substratda deşik döretmek tehnologiýasy, simpleönekeý söz bilen aýdylanda, TGV aýnanyň üstünde integral zynjyrlar gurmak üçin aýnany deşýän, doldurýan we birleşdirýän beýik bina ...Dowamyny oka -
Waferiň hiline baha bermegiň görkezijileri haýsylar?
Ondarymgeçiriji tehnologiýasynyň yzygiderli ösmegi bilen, ýarymgeçiriji pudagynda we hatda fotoelektrik pudagynda, wafli substratyň ýa-da epitaksial listiň üstki hiline bolan talaplar hem gaty berk. Diýmek, hil talaplary haýsylar ...Dowamyny oka -
SiC ýeke kristal ösüş prosesi barada näçe bilýärsiňiz?
Silikon karbid (SiC), giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji materialyň bir görnüşi hökmünde häzirki zaman ylym we tehnologiýany ulanmakda barha möhüm rol oýnaýar. Silikon karbid ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, ýokary elektrik meýdany çydamlylygy, bilgeşleýin geçirijiligi ...Dowamyny oka -
Içerki SiC substratlarynyň üstünlikli söweşi
Soňky ýyllarda täze energiýa ulaglary, fotoelektrik energiýasy öndürmek we energiýa saklamak ýaly aşaky akymlaryň yzygiderli aralaşmagy bilen, SiC täze ýarymgeçiriji material hökmünde bu ugurlarda möhüm rol oýnaýar. Şoňa görä ...Dowamyny oka -
SiC MOSFET, 2300 wolt.
26-njy gün “Power Cube Semi” Günorta Koreýanyň ilkinji 2300V SiC (Silikon Karbid) MOSFET ýarymgeçirijisiniň üstünlikli ösüşini yglan etdi. Bar bolan Si (Silikon) esasly ýarymgeçirijiler bilen deňeşdirilende, SiC (Silikon Karbid) has ýokary naprýa .eniýelere çydap biler, şonuň üçin t ...Dowamyny oka -
Ondarymgeçirijiniň dikeldilmegi diňe bir hyýalmy?
2021-nji ýyldan 2022-nji ýyla çenli COVID-19 epidemiýasy sebäpli ýörite talaplaryň ýüze çykmagy sebäpli dünýä ýarymgeçiriji bazarynda çalt ösüş boldy. Şeýle-de bolsa, COVID-19 pandemiýasy sebäpli ýüze çykan aýratyn talaplar 2022-nji ýylyň soňky ýarymynda tamamlanyp, ...Dowamyny oka -
2024-nji ýylda ýarymgeçirijiniň esasy çykdajylary azaldy
Çarşenbe güni Prezident Baýden “Intel” -e gönüden-göni 8,5 milliard dollar we CHIPS we Ylym kanuny boýunça 11 milliard dollar karz bermek barada şertnama yglan etdi. Intel bu serişdäni Arizona, Ogaýo, Nýu-Meksiko we Oregondaky wafli fablary üçin ulanar. Habar berlişi ýaly ...Dowamyny oka