Habarlar
-
Ýarymgeçirijili plitalar üçin ösen gaplama çözgütleri: Bilmeli zatlaryňyz
Ýarymgeçirijiler dünýäsinde plastinalar köplenç elektron enjamlaryň "ýüregi" diýlip atlandyrylýar. Emma diňe ýürek diri organizmi döretmeýär - ony goramak, netijeli işlemegi üpjün etmek we daşarky dünýä bilen üznüksiz birikdirmek üçin ösen gaplama çözgütleri gerek. Geliň, gyzykly zatlary öwreneliň...Köpräk okaň -
Ynamdar kremniý wafli üpjün edijisini tapmagyň syrlaryny açmak
Jübiňizdäki smartfondan başlap, awtonom ulaglardaky datçiklere çenli, kremniý plitalary häzirki zaman tehnologiýasynyň esasyny düzýär. Olaryň hemme ýerde bolmagyna garamazdan, bu möhüm bölekleriň ygtybarly üpjün edijisini tapmak geň galdyryjy derejede çylşyrymly bolup biler. Bu makala esasy zatlara täze garaýyş hödürleýär ...Köpräk okaň -
Monokristal kremniý ösdürip ýetişdirmek usullarynyň giňişleýin syny
Monokristal kremniýiň ösdürilmeginiň usullaryna giňişleýin syn 1. Monokristal kremniýiň ösüşiniň geçmişi Tehnologiýanyň ösüşi we ýokary netijeli akylly önümlere bolan artýan isleg milli derejede integral mikrosxema (IC) senagatynyň esasy ornuny has-da berkitdi...Köpräk okaň -
Kremniý plitalary we aýna plitalary: Biz hakykatda nämeleri arassalaýarys? Material Essensiýasyndan başlap, proses esasly arassalaýyş çözgütlerine çenli
Kremniý we aýna plitalarynyň ikisi hem "arassalanmak" ýaly umumy maksady paýlaşsa-da, arassalamak wagtynda ýüzbe-ýüz bolýan kynçylyklary we näsazlyk ýagdaýlary düýpli tapawutlanýar. Bu tapawut kremniý we aýnanyň içerki material häsiýetlerinden we tehniki talaplaryndan, şeýle hem ...Köpräk okaň -
Çipi almaz bilen sowatmak
Näme üçin häzirki zaman çipleri gyzýar? Nanoölçegli tranzistorlar gigagers tizliginde üýtgeýärkä, elektronlar zynjyrlardan geçip, energiýany ýylylyk hökmünde ýitirýär - noutbuk ýa-da telefon rahatsyz gyzanda duýýan ýylylyk bilen birmeňzeş. Çipe has köp tranzistor goýmak, şol ýylylygy aýyrmak üçin az ýer galdyrýar. Ýaýradylmagyň ýerine...Köpräk okaň -
Aýna täze gaplama platformasyna öwrülýär
Aýna maglumat merkezleri we telekommunikasiýa tarapyndan ýolbaşçylyk edilýän terminal bazarlary üçin çaltlyk bilen platforma materialyna öwrülýär. Maglumat merkezleriniň içinde ol iki esasy gaplama daşaýjysynyň esasynda durýar: çip arhitekturasy we optik giriş/çykyş (I/O). Onuň pes termal giňelme koeffisiýenti (CTE) we çuňňur ultramelewşe (DUV...)Köpräk okaň -
Safiriň gaty endoskoplarda ulanylyşynyň artykmaçlyklary we örtük analizi
Mazmuny 1. Safir materialynyň ajaýyp häsiýetleri: Ýokary öndürijilikli berk endoskoplaryň binýady 2. Innowasion bir taraply örtük tehnologiýasy: Optiki öndürijilik we kliniki howpsuzlyk arasynda iň gowy deňagramlylyga ýetmek 3. Berk işleme we örtük aýratynlyklary...Köpräk okaň -
LiDAR penjire örtükleri boýunça giňişleýin gollanma
Mazmuny I. LiDAR penjireleriniň esasy funksiýalary: Diňe goragdan başga II. Materiallary deňeşdirmek: Ereýän kremniý bilen sapfiriň arasyndaky öndürijilik deňagramlylygy III. Örtük tehnologiýasy: Optiki öndürijiligi ýokarlandyrmak üçin esasy proses IV. Esasy öndürijilik parametrleri: Mukdar...Köpräk okaň -
Çiplet çipleri özgertdi
1965-nji ýylda Intel-iň esaslandyryjysy Gordon Mur "Mur kanuny" diýlip atlandyrylan zady düşündirdi. Ýarym asyrdan gowrak wagt bäri ol integral mikrosxemalaryň (IC) işiniň durnukly ösüşini we häzirki zaman sanly tehnologiýasynyň esasy bolan çykdajylaryň azalmagyny goldady. Gysgaça aýdylanda: çipdäki tranzistorlaryň sany takmynan iki esse artýar...Köpräk okaň -
Metallaşdyrylan optik penjireler: Takyk optikada meşhur bolmadyk mümkinçilik berijiler
Metallaşdyrylan optik penjireler: Takyk optikada belli bolmadyk mümkinçilikler Takyk optikada we optoelektron ulgamlarda dürli komponentler çylşyrymly işleri ýerine ýetirmek üçin bilelikde işleýän aýratyn rol oýnaýarlar. Bu komponentler dürli usullar bilen öndürilýändigi üçin, olaryň ýüzleý işlenilişi...Köpräk okaň -
Wafer TTV, Bow, Warp näme we olar nähili ölçenýär?
Katalog 1. Esasy düşünjeler we ölçegler 2. Ölçeg usullary 3. Maglumatlary işläp taýýarlamak we ýalňyşlyklar 4. Prosesiň täsirleri Ýarymgeçirijiler önümçiliginde waferleriň galyňlygynyň birmeňzeşligi we ýüzüniň tekizligi prosesiň öndürijiligine täsir edýän möhüm faktorlardyr. Umumy T ýaly esasy parametrler...Köpräk okaň -
TSMC täze serhet üçin 12 dýuýmlyk kremniý karbidini ulanýar, emeli intellekt döwrüniň möhüm termal dolandyryş materiallarynda strategik ýerleşdiriş amala aşyrylýar
Mazmuny 1. Tehnologiýa üýtgeşmesi: Kremniý karbidiniň ösmegi we onuň kynçylyklary 2. TSMC-niň strategik üýtgeşmesi: GaN-dan çykmak we SiC-e pul goýmak 3. Material bäsdeşligi: SiC-niň ornuny tutup bolmajaklygy 4. Ulanylyş senariýleri: Emeli intellekt çiplerinde we indiki...Köpräk okaň