Yşyk-diodly indikatorlar dünýämizi ýagtylandyrýar we her ýokary öndürijilikli yşyk-diodly lampanyň merkezinde ýerleşýärepitaksial wafli- ýagtylygyny, reňkini we netijeliligini kesgitleýän möhüm komponent. Epitaksial ösüş ylmyny özleşdirmek bilen öndürijiler energiýa tygşytlaýjy we tygşytly yşyklandyryş çözgütleri üçin täze mümkinçilikleri açýarlar.
1. Uly netijelilik üçin has akylly ösüş usullary
Häzirki wagtda adaty iki basgançakly ösüş prosesi, täsirli bolsa-da, ulalmagy çäklendirýär. Söwda reaktorlarynyň köpüsi partiýa üçin bary-ýogy alty wafli ösdürýärler. Senagat aşakdaky tarapa geçýär:
- Capacityokary kuwwatly reaktorlarhas köp wafli dolandyrýar, çykdajylary azaldýar we geçirijiligini ýokarlandyrýar.
- Lyokary awtomatlaşdyrylan ýeke wafli maşynlarýokary yzygiderlilik we gaýtalanmak üçin.
2. HVPE: Qualityokary hilli substratlara çalt ýol
Gidrid bug fazasy epitaksiýasy (HVPE) has az kemçilikleri bolan galyň GaN gatlaklaryny çalt öndürýär, beýleki ösüş usullary üçin substratlar ýaly ajaýyp. Bu erkin ýaýran GaN filmleri hatda köp sanly GaN çiplerine garşy çykyp biler. Tutmak? Galyňlygy dolandyrmak kyn, himiki maddalar wagtyň geçmegi bilen enjamlary zaýalap biler.
3. Gapdal ösüş: Smoothumşak kristallar, has gowy ýagtylyk
Wafli maskalar we penjireler bilen seresaplylyk bilen ýasamak bilen, öndürijiler GaN-i diňe bir ýokaryk däl, eýsem gyrada-da ösmäge ugrukdyrýarlar. Bu "gapdal epitaksiýa" boşluklary az kemçilikler bilen doldurýar we ýokary öndürijilikli yşyklandyryjylar üçin has kemsiz kristal gurluşy döredýär.
4. Pendeo-epitaksiýa: Kristallaryň ýüzmegine ýol bermek
Ine haýran galdyryjy bir zat: inersenerler GaN-i beýik sütünlerde ösdürýärler, soň bolsa boş ýerden “köpri” edýärler. Bu ýüzýän ösüş, gabat gelmeýän materiallar sebäpli ýüze çykýan ştamlaryň köpüsini ýok edýär we has güýçli we has arassa kristal gatlaklary döredýär.
5. UV spektrini ýagtylandyrmak
Täze materiallar LED ýagtylygyny UV diapazonyna has çuňlaşdyrýar. Näme üçin bu möhüm? UV çyrasy, adaty wariantlardan has ýokary netijelilik bilen ösen fosforlary işjeňleşdirip, has açyk we energiýa tygşytlaýan indiki ak ak yşyk-diodly gapylary açyp biler.
6. Köp kwant guýy çipleri: Içinden reňk
Ak yşyk döretmek üçin dürli yşyk-diodly indikatorlary birleşdirmegiň ýerine, näme üçin hemmesini bir ulaltmaly däl? Köp kwantly guýy (MQW) çipleri, dürli tolkun uzynlyklaryny çykarýan gatlaklary ýerleşdirip, çipiň içinde göni ýagtylygy garyşdyrmak arkaly edýär. Önümçilik çylşyrymly bolsa-da, täsirli, ykjam we owadan.
7. Lightagtylygy fotonika bilen gaýtadan işlemek
Sumitomo we Boston uniwersiteti, ZnSe we AlInGaP ýaly gök yşyk-diodly materiallara fotonlary doly ak spektrde "gaýtadan işläp" biljekdigini görkezdi. Bu akylly gatlak usuly, häzirki zaman LED dizaýnynda işleýän materiallar ylmynyň we fotonikanyň tolgundyryjy birleşmesini görkezýär.
LED epitaksial wafli nädip ýasalýar
Substratdan çipe çenli, ýönekeýleşdirilen syýahat:
- Ösüş tapgyry:Substrat → Dizaýn → Bufer → N-GaN → MQW → P-GaN → Anneal → Gözleg
- Önümçilik tapgyry:Maskalaşdyrmak → Litografiýa → Dykma → N / P Elektrodlar → Bahalandyrmak → Sortlamak
Bu oýlanyşykly amal, her bir LED çipiň, ekranyňyzy ýa-da şäheriňizi ýakyp biljekdigine bil baglap boljak öndürijiligini üpjün edýär.
Iş wagty: Iýul-08-2025