8inch SiC habarnamasynyň uzak möhletli üpjünçiligi

Häzirki wagtda kompaniýamyz 8inchN görnüşli SiC wafli kiçi partiýa bilen üpjün etmegi dowam etdirip biler, eger zerurlyklaryňyz bar bolsa, maňa ýüz tutup bilersiňiz. Ibermäge taýyn käbir wafli bar.

8inch SiC habarnamasynyň uzak möhletli üpjünçiligi
8inch SiC habarnamasynyň uzak möhletli üpjünçiligi1

Ondarymgeçiriji materiallar pudagynda uly göwrümli SiC kristallaryny öwrenmekde we ösdürmekde kompaniýa uly üstünlik gazandy. Birnäçe gezek diametri ulalandan soň öz tohum kristallaryny ulanmak bilen, kärhana ösüş döwründe deň bolmadyk temperatura meýdany, kristal döwülmegi we gaz fazasynyň çig mal paýlanyşy ýaly kyn meseleleri çözýän 8 dýuým N görnüşli SiC kristallaryny üstünlikli ösdürdi. 8 dýuýmlyk SIK kristallary we uly göwrümli SIK kristallarynyň we özbaşdak we dolandyrylýan gaýtadan işlemek tehnologiýasynyň ösüşini çaltlaşdyrýar. SiC ýeke kristal substrat pudagynda kompaniýanyň esasy bäsdeşlik ukybyny ep-esli ýokarlandyryň. Шул kremniy karbid materiallaryny senagat taýdan ulanmagyň tizligini ýokarlandyrýar.

8inch N görnüşli SiC DSP görnüşleri

San Haryt Bölüm Önümçilik Gözleg Dummy
1. Parametrler
1.1 polip görnüşi -- 4H 4H 4H
1.2 ýerüsti ugry ° <11-20> 4 ± 0,5 <11-20> 4 ± 0,5 <11-20> 4 ± 0,5
2. Elektrik parametri
2.1 dopant -- n görnüşli azot n görnüşli azot n görnüşli azot
2.2 garşylyk ohm · sm 0.015 ~ 0.025 0.01 ~ 0.03 NA
3. Mehaniki parametr
3.1 diametri mm 200 ± 0.2 200 ± 0.2 200 ± 0.2
3.2 galyňlygy μm 500 ± 25 500 ± 25 500 ± 25
3.3 Kesgitleýiş ugry ° [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5 [1- 100] ± 5
3.4 Çuňlugyň çuňlugy mm 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5 1 ~ 1.5
3.5 LTV μm ≤5 (10mm * 10mm) ≤5 (10mm * 10mm) ≤10 (10mm * 10mm)
3.6 TTV μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 μm -25 ~ 25 -45 ~ 45 -65 ~ 65
3.8 Warp μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 AFM nm Ra≤0.2 Ra≤0.2 Ra≤0.2
4. Gurluş
4.1 mikrop turbanyň dykyzlygy ea / cm2 ≤2 ≤10 ≤50
4.2 metal düzümi atomlar / cm2 ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 TSD ea / cm2 ≤500 0001000 NA
4.4 BPD ea / cm2 0002000 ≤5000 NA
4.5 TED ea / cm2 0007000 ≤10000 NA
5. Oňyn hil
5.1 öň -- Si Si Si
5.2 ýerüsti gutarmak -- Si-ýüzli CMP Si-ýüzli CMP Si-ýüzli CMP
5.3 bölejik wafli ≤100 (ululygy≥0.3μm) NA NA
5.4 dyrna wafli ≤5, Jemi Uzynlygy200mm NA NA
5.5 Gyrasy
çipler / indentler / çatryklar / tegmiller / hapalanma
-- Hiç Hiç NA
5.6 Polip görnüşleri -- Hiç Meýdany ≤10% Meýdany ≤30%
5.7 öň bellik -- Hiç Hiç Hiç
6. Yzky hil
6.1 Yza -- C ýüzli deputat C ýüzli deputat C ýüzli deputat
6.2 dyrna mm NA NA NA
6.3 Yzky kemçilikler
çipler / görkezijiler
-- Hiç Hiç NA
6.4 Yzky gödeklik nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Yzky bellik -- Notch Notch Notch
7. Gyrasy
7.1 gyrasy -- Çamfer Çamfer Çamfer
8. Bukja
8.1 gaplamak -- Wakuum bilen epi taýýar
gaplamak
Wakuum bilen epi taýýar
gaplamak
Wakuum bilen epi taýýar
gaplamak
8.2 gaplamak -- Köp wafli
kaseta gaplamak
Köp wafli
kaseta gaplamak
Köp wafli
kaseta gaplamak

Poçta wagty: 18-2023-nji aprel