Häzirki wagtda kompaniýamyz 8inchN görnüşli SiC wafli kiçi partiýa bilen üpjün etmegi dowam etdirip biler, eger zerurlyklaryňyz bar bolsa, maňa ýüz tutup bilersiňiz. Ibermäge taýyn käbir wafli bar.
Ondarymgeçiriji materiallar pudagynda uly göwrümli SiC kristallaryny öwrenmekde we ösdürmekde kompaniýa uly üstünlik gazandy. Birnäçe gezek diametri ulalandan soň öz tohum kristallaryny ulanmak bilen, kärhana ösüş döwründe deň bolmadyk temperatura meýdany, kristal döwülmegi we gaz fazasynyň çig mal paýlanyşy ýaly kyn meseleleri çözýän 8 dýuým N görnüşli SiC kristallaryny üstünlikli ösdürdi. 8 dýuýmlyk SIK kristallary we uly göwrümli SIK kristallarynyň we özbaşdak we dolandyrylýan gaýtadan işlemek tehnologiýasynyň ösüşini çaltlaşdyrýar. SiC ýeke kristal substrat pudagynda kompaniýanyň esasy bäsdeşlik ukybyny ep-esli ýokarlandyryň. Шул kremniy karbid materiallaryny senagat taýdan ulanmagyň tizligini ýokarlandyrýar.
8inch N görnüşli SiC DSP görnüşleri | |||||
San | Haryt | Bölüm | Önümçilik | Gözleg | Dummy |
1. Parametrler | |||||
1.1 | polip görnüşi | -- | 4H | 4H | 4H |
1.2 | ýerüsti ugry | ° | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 | <11-20> 4 ± 0,5 |
2. Elektrik parametri | |||||
2.1 | dopant | -- | n görnüşli azot | n görnüşli azot | n görnüşli azot |
2.2 | garşylyk | ohm · sm | 0.015 ~ 0.025 | 0.01 ~ 0.03 | NA |
3. Mehaniki parametr | |||||
3.1 | diametri | mm | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 | 200 ± 0.2 |
3.2 | galyňlygy | μm | 500 ± 25 | 500 ± 25 | 500 ± 25 |
3.3 | Kesgitleýiş ugry | ° | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 | [1- 100] ± 5 |
3.4 | Çuňlugyň çuňlugy | mm | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 | 1 ~ 1.5 |
3.5 | LTV | μm | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤5 (10mm * 10mm) | ≤10 (10mm * 10mm) |
3.6 | TTV | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
3.7 | Aý | μm | -25 ~ 25 | -45 ~ 45 | -65 ~ 65 |
3.8 | Warp | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
3.9 | AFM | nm | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 | Ra≤0.2 |
4. Gurluş | |||||
4.1 | mikrop turbanyň dykyzlygy | ea / cm2 | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
4.2 | metal düzümi | atomlar / cm2 | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
4.3 | TSD | ea / cm2 | ≤500 | 0001000 | NA |
4.4 | BPD | ea / cm2 | 0002000 | ≤5000 | NA |
4.5 | TED | ea / cm2 | 0007000 | ≤10000 | NA |
5. Oňyn hil | |||||
5.1 | öň | -- | Si | Si | Si |
5.2 | ýerüsti gutarmak | -- | Si-ýüzli CMP | Si-ýüzli CMP | Si-ýüzli CMP |
5.3 | bölejik | wafli | ≤100 (ululygy≥0.3μm) | NA | NA |
5.4 | dyrna | wafli | ≤5, Jemi Uzynlygy200mm | NA | NA |
5.5 | Gyrasy çipler / indentler / çatryklar / tegmiller / hapalanma | -- | Hiç | Hiç | NA |
5.6 | Polip görnüşleri | -- | Hiç | Meýdany ≤10% | Meýdany ≤30% |
5.7 | öň bellik | -- | Hiç | Hiç | Hiç |
6. Yzky hil | |||||
6.1 | Yza | -- | C ýüzli deputat | C ýüzli deputat | C ýüzli deputat |
6.2 | dyrna | mm | NA | NA | NA |
6.3 | Yzky kemçilikler çipler / görkezijiler | -- | Hiç | Hiç | NA |
6.4 | Yzky gödeklik | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
6.5 | Yzky bellik | -- | Notch | Notch | Notch |
7. Gyrasy | |||||
7.1 | gyrasy | -- | Çamfer | Çamfer | Çamfer |
8. Bukja | |||||
8.1 | gaplamak | -- | Wakuum bilen epi taýýar gaplamak | Wakuum bilen epi taýýar gaplamak | Wakuum bilen epi taýýar gaplamak |
8.2 | gaplamak | -- | Köp wafli kaseta gaplamak | Köp wafli kaseta gaplamak | Köp wafli kaseta gaplamak |
Poçta wagty: 18-2023-nji aprel