Kremniý karbidi (SiC) giň zolakly ýarymgeçiriji material hökmünde häzirki zaman ylmynyň we tehnologiýasynyň ulanylyşynda barha möhüm rol oýnaýar. Kremniý karbidi ajaýyp termal durnuklylyga, ýokary elektrik meýdanyna çydamlylyga, maksatly geçirijilige we beýleki ajaýyp fiziki we optiki häsiýetlere eýedir we optoelektron enjamlarda we gün energiýasy enjamlarynda giňden ulanylýar. Has netijeli we durnukly elektron enjamlara bolan islegiň artmagy sebäpli, kremniý karbidiniň ösüş tehnologiýasyny özleşdirmek iň möhüm nokada öwrüldi.
SiC ösüş prosesi barada näçe zat bilýärsiňiz?
Şu gün biz kremniý karbidiniň monokristallaryny ösdürip ýetişdirmegiň üç esasy usulyny ara alyp maslahatlaşarys: fiziki bug daşamak (PVT), suwuk fazaly epitaksiýa (LPE) we ýokary temperaturaly himiki bug çökündisi (HT-CVD).
Fiziki bug geçiriş usuly (PVT)
Fiziki bug geçirmek usuly kremniý karbidiniň ösüş prosesleriniň iň köp ulanylýan usullarynyň biridir. Bir kristally kremniý karbidiniň ösüşi, esasan, kremniý poroşogynyň sublimasiýasyna we ýokary temperatura şertlerinde tohum kristalynda gaýtadan çökmegine baglydyr. Ýapyk grafit tigelinde kremniý karbid poroşogy ýokary temperatura çenli gyzdyrylýar, temperatura gradientini dolandyrmak arkaly kremniý karbid bugy tohum kristalynyň ýüzünde kondensasiýalaşýar we kem-kemden uly ölçegli bir kristall ösýär.
Häzirki wagtda hödürleýän monokristal SiC-iň aglaba bölegi şu ösüş usuly bilen öndürilýär. Şeýle hem, bu senagatda esasy usuldyr.
Suwuk fazaly epitaksiýa (SFE)
Kremniý karbidi kristallary gaty-suwuklyk serhedinde kristal ösüş prosesi arkaly suwuk fazaly epitaksiýa arkaly taýýarlanýar. Bu usulda kremniý karbidi poroşogy ýokary temperaturada kremniý-uglerod ergininde eredilýär, soňra temperatura peseldilýär, şonuň üçin kremniý karbidi erginden çöküp, tohum kristallarynda ösýär. LPE usulynyň esasy artykmaçlygy pes ösüş temperaturasynda ýokary hilli kristallary almak mümkinçiligi, bahasy deňeşdirme boýunça pes we uly möçberli önümçilik üçin amatlydyr.
Ýokary temperaturaly himiki bug çökündisi (HT-CVD)
Kremniý we uglerod saklaýan gazy ýokary temperaturada reaksiýa kamerasyna girizmek arkaly, kremniý karbidiniň birkristal gatlagy himiki reaksiýa arkaly gönüden-göni tohum kristalynyň ýüzüne çökýär. Bu usulyň artykmaçlygy, gazyň akym tizligini we reaksiýa şertlerini takyk gözegçilikde saklap, ýokary arassalykly we az kemçilikli kremniý karbid kristalyny alyp bolýandygydyr. HT-CVD prosesi ajaýyp häsiýetlere eýe bolan kremniý karbid kristallaryny öndürip bilýär, bu bolsa örän ýokary hilli materiallaryň talap edilýän ýerlerinde has gymmatlydyr.
Kremniý karbidiniň ösüş prosesi onuň ulanylyşynyň we ösdürilmeginiň esasydyr. Yzygiderli tehnologik täzelenmeler we optimizasiýa arkaly bu üç ösüş usuly dürli ýagdaýlaryň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin öz rollaryny oýnaýar we kremniý karbidiniň möhüm ornuny üpjün edýär. Ylmy-barlaglaryň we tehnologik ösüşiň çuňlaşmagy bilen kremniý karbid materiallarynyň ösüş prosesi optimizirlenmegini dowam etdirer we elektron enjamlaryň işi has-da gowulaşar.
(senzura)
Ýerleşdirilen wagty: 2024-nji ýylyň 23-nji iýuny