Silikon karbid (SiC), giň zolakly boşluk ýarymgeçiriji materialyň bir görnüşi hökmünde häzirki zaman ylym we tehnologiýany ulanmakda barha möhüm rol oýnaýar.Silikon karbid ajaýyp ýylylyk durnuklylygy, ýokary elektrik meýdany çydamlylygy, bilgeşleýin geçirijiligi we beýleki ajaýyp fiziki we optiki aýratynlyklaryna eýedir we optoelektron enjamlarynda we gün enjamlarynda giňden ulanylýar.Has netijeli we durnukly elektron enjamlaryna islegiň artmagy sebäpli kremniy karbidiň ösüş tehnologiýasyny özleşdirmek gyzgyn nokada öwrüldi.
Şeýlelikde, SiC ösüş prosesi barada näçe bilýärsiňiz?
Bu gün kremniy karbid ýeke kristallaryny ösdürmegiň üç esasy usulyny ara alyp maslahatlaşarys: fiziki bug transporty (PVT), suwuk faza epitaksiýasy (LPE) we ýokary temperaturaly himiki bug çökdürilmegi (HT-CVD).
Fiziki buglary geçirmek usuly (PVT)
Fiziki buglary geçirmek usuly iň köp ulanylýan kremniy karbid ösüş proseslerinden biridir.Singleeke kristal kremniy karbidiň ösmegi, esasan, poroşokyň sublimasiýasyna we ýokary temperatura şertlerinde tohum kristalynyň üýtgemegine baglydyr.Aapyk grafitde, kremniý karbid tozy ýokary temperatura gyzdyrylýar, temperatura gradiýentiniň gözegçiligi arkaly, kremniý karbid bugy tohum kristalynyň üstünde kondensasiýa edýär we kem-kemden uly göwrümli ýekeje kristal ösýär.
Häzirki wagtda hödürleýän monokristally SiC-leriň aglaba köplügi bu ösüş ýolunda edilendir.Şeýle hem bu pudakda esasy ýol.
Suwuk faza epitaksiýasy (LPE)
Silikon karbid kristallary, gaty suwuk interfeýsde kristal ösüş prosesi arkaly suwuk faza epitaksiýasy bilen taýýarlanýar.Bu usulda kremniý karbid tozy ýokary temperaturada kremniý-uglerod ergininde eräp, soňra kremniý karbidiniň erginden çökmegi we tohum kristallarynda ösmegi üçin temperatura peselýär.LPE usulynyň esasy artykmaçlygy pes ösüş temperaturasynda ýokary hilli kristallary almak ukybydyr, bahasy birneme pes we uly göwrümli önümçilik üçin amatlydyr.
Temperatureokary temperatura Himiki bug buglanyşy (HT-CVD)
Silikon we uglerody öz içine alýan gazy ýokary temperaturada reaksiýa kamerasyna girizmek bilen, kremniy karbidiň ýekeje kristal gatlagy himiki reaksiýa arkaly göni tohum kristalynyň üstünde goýulýar.Bu usulyň artykmaçlygy, ýokary arassalygy we az kemçiligi bolan kremniy karbid kristalyny almak üçin gazyň akym tizligini we reaksiýa şertlerini takyk dolandyryp bilmekdir.HT-CVD prosesi ajaýyp häsiýetli kremniy karbid kristallaryny öndürip biler, bu ýokary hilli materiallar zerur bolan programmalar üçin aýratyn gymmatlydyr.
Silikon karbidiň ösüş prosesi ony ulanmagyň we ösdürmegiň özenidir.Üznüksiz tehnologiki innowasiýa we optimizasiýa arkaly bu üç ösüş usuly, kremniý karbidiň möhüm ornuny üpjün edip, dürli ýagdaýlaryň zerurlyklaryny kanagatlandyrmak üçin öz rollaryny ýerine ýetirýär.Gözlegleriň we tehnologiki ösüşiň çuňlaşmagy bilen kremniý karbid materiallarynyň ösüş prosesi optimallaşdyrylar we elektron enjamlaryň öndürijiligi hasam gowulaşar.
(senzura)
Iş wagty: Iýun-23-2024