Kremniý karbid substraty ýarym izolýasiýa görnüşli we geçiriji görnüşli bölünýär. Häzirki wagtda ýarym izolýasiýa edilen kremniý karbid substrat önümleriniň esasy spesifikasiýalary 4 dýuýmdyr. Geçiriji kremniý karbid bazarynda häzirki esasy substrat önümleriniň spesifikasiýalary 6 dýuýmdyr.
RF ulgamynda aşaky akymda ulanylýandygy sebäpli, ýarym izolýasiýa edilen SiC substratlary we epitaksial materiallar ABŞ-nyň Söwda ministrligi tarapyndan eksport gözegçiligine sezewar edilýär. Substrat hökmünde ýarym izolýasiýa edilen SiC GaN geteroepitaksiýasy üçin iň gowy material bolup, mikrotolkunly meýdanda möhüm ulanylyş mümkinçiliklerine eýedir. Sapfir 14% we Si 16.9% kristal deňsizligi bilen deňeşdirilende, SiC we GaN materiallarynyň kristal deňsizligi diňe 3.4%. SiC-niň örän ýokary ýylylyk geçirijiligi bilen birleşdirilende, onuň tarapyndan taýýarlanan ýokary energiýa netijeli LED we GaN ýokary ýygylykly we ýokary kuwwatly mikrotolkunly enjamlar radarlarda, ýokary kuwwatly mikrotolkunly enjamlarda we 5G aragatnaşyk ulgamlarynda uly artykmaçlyklara eýedir.
Ýarym izolýasiýa edilen SiC substratyny öwrenmek we işläp düzmek hemişe SiC monokristal substratyny öwrenmek we işläp düzmek üçin üns merkezinde bolupdyr. Ýarym izolýasiýa edilen SiC materiallaryny ösdürmekde iki esasy kynçylyk bar:
1) Grafit tigeliniň, ýylylyk izolýasiýasynyň adsorbsiýasy we poroşokda lehimleme arkaly goşulýan N donor garyndylaryny azaltmak;
2) Kristalyň hilini we elektrik häsiýetlerini üpjün etmek bilen birlikde, elektrik işjeňligi bilen galan ýüzleý derejeli hapaçylyklaryň öwezini dolmak üçin çuň derejeli merkez girizilýär.
Häzirki wagtda ýarym izolýasiýaly SiC önümçilik kuwwatyna eýe bolan önüm öndürijiler esasan SICC Co, Semisic Crystal Co, Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
Geçiriji SiC kristaly ösýän atmosfera azot guýmak arkaly gazanylýar. Geçiriji kremniý karbidi substraty, esasan, ýokary woltly, ýokary tokly, ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly, pes ýitgili we beýleki özboluşly artykmaçlyklary bolan elektrik enjamlaryny öndürmekde ulanylýar, kremniý esasly elektrik enjamlarynyň energiýa öwrülmeginiň netijeliligini barha ýokarlandyrar, energiýa öwrülmeginiň netijeliligine uly we giň täsir edýär. Esasy ulanylyş ugurlary elektrik ulaglary / zarýad beriji sütüni, fotowoltaik täze energiýa, demir ýol ulagy, akylly elektrik ulgamy we ş.m. Geçiriji önümleriň aşaky akymy esasan elektrik ulaglarynda, fotowoltaikde we beýleki ugurlarda elektrik enjamlary bolandygy sebäpli, ulanylyş mümkinçilikleri has giň we öndürijiler has köp.
Kremniý karbidiniň kristal görnüşi: Iň gowy 4H kristally kremniý karbidiniň tipiki gurluşyny iki kategoriýa bölüp bolýar, biri kub görnüşli sfalerit gurluşy, 3C-SiC ýa-da β-SiC diýlip atlandyrylýar, beýlekisi bolsa uly döwür gurluşynyň altyburçluk ýa-da almaz gurluşydyr, ol 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC we ş.m. üçin tipikdir, umumylykda α-SiC diýlip atlandyrylýar. 3C-SiC önümçilik enjamlarynda ýokary garşylyklylygyň artykmaçlygyna eýedir. Şeýle-de bolsa, Si we SiC tor sabitleri bilen termal giňelme koeffisiýentleriniň arasyndaky ýokary deňsizlik 3C-SiC epitaksial gatlagynda köp sanly kemçiliklere sebäp bolup biler. 4H-SiC MOSFET-leri öndürmekde uly mümkinçilik döredýär, sebäbi onuň kristal ösüşi we epitaksial gatlak ösüş prosesleri has ajaýypdyr we elektron hereketliligi babatda 4H-SiC 3C-SiC we 6H-SiC-den ýokarydyr, bu bolsa 4H-SiC MOSFET-leri üçin has gowy mikrotolkun häsiýetlerini üpjün edýär.
Eger düzgün bozulma bolsa, aragatnaşygy pozuň
Ýerleşdirilen wagty: 2024-nji ýylyň 16-njy iýuly