Silikon karbid substraty ýarym izolýasiýa görnüşine we geçiriji görnüşe bölünýär. Häzirki wagtda ýarym izolýasiýa edilen kremniy karbid substrat önümleriniň esasy spesifikasiýasy 4 dýuým. Geçiriji kremniý karbid bazarynda häzirki esasy substrat önüminiň spesifikasiýasy 6 dýuým.
RF meýdançasyndaky aşaky programmalar sebäpli ýarym izolýasiýa edilen SiC substratlary we epitaksial materiallar ABŞ Söwda ministrligi tarapyndan eksport gözegçiligine sezewar edilýär. Substrat hökmünde ýarym izolýasiýa edilen SiC, GaN heteroepitaksi üçin ileri tutulýan materialdyr we mikrotolkun meýdançasynda möhüm amaly perspektiwalara eýedir. Safiriň kristal gabat gelmezligi 14% we Si 16,9% bilen deňeşdirilende, SiC we GaN materiallarynyň kristal gabat gelmezligi bary-ýogy 3,4%. SiC-iň aşa ýokary ýylylyk geçirijiligi bilen bilelikde, ýokary energiýa netijeliligi LED we GaN ýokary ýygylykly we ýokary güýçli mikrotolkun enjamlary radar, ýokary güýçli mikrotolkun enjamlary we 5G aragatnaşyk ulgamlarynda uly artykmaçlyklara eýe.
Semiarym izolýasiýa edilen SiC substratyny gözlemek we ösdürmek hemişe SiC ýeke kristal substratyny öwrenmekde we ösdürmekde üns merkezinde boldy. Semiarym izolýasiýa edilen SiC materiallaryny ösdürip ýetişdirmekde iki esasy kynçylyk bar:
1) Grafit çüýrän, termiki izolýasiýa adsorbsiýasy we poroşokda doping bilen girizilen N donor hapalaryny azaltmak;
2) Kristalyň hilini we elektrik aýratynlyklaryny üpjün etmek bilen, galyndy derejesindäki hapalary elektrik işjeňligi bilen öwezini dolmak üçin çuň derejeli merkez döredilýär.
Häzirki wagtda ýarym izolýasiýa edilen SiC önümçilik kuwwaty bolan öndürijiler esasan SICC Co ， Semisic Crystal Co ， Tanke Blue Co, Hebei Synlight Crystal Co., Ltd.
Geçiriji SiC kristaly ösýän atmosfera azot sanjym etmek arkaly gazanylýar. Geçiriji kremniý karbid substraty esasan güýç enjamlary, ýokary woltly, ýokary tokly, ýokary temperaturaly, ýokary ýygylykly, pes ýitgi we beýleki üýtgeşik artykmaçlyklary bolan kremniý karbid elektrik enjamlaryny öndürmekde ulanylýar, kremniý esasly elektrik enjamlarynyň energiýasynyň bar bolan ulanylyşyny ep-esli gowulaşdyrar. öwrülişiň netijeliligi, tygşytly energiýa öwrülişigi pudagyna möhüm we uzak täsir edýär. Esasy ulanylýan ýerler elektrik ulaglary / zarýad beriş üýşmeleri, fotoelektrik täze energiýa, demir ýol tranziti, akylly set we ş.m. Geçiriji önümleriň aşaky akymy esasan elektrik ulaglarynda, fotoelektrik we beýleki ugurlarda kuwwat enjamlary bolany üçin, amaly perspektiwasy has giň we öndürijiler has köp.
Silikon karbid kristal görnüşi: Iň oňat 4H kristal kremniy karbidiň adaty gurluşyny iki topara bölmek bolar, biri 3C-SiC ýa-da β-SiC diýlip atlandyrylýan sphalerit gurluşynyň kub kremniy karbid kristal görnüşi, beýlekisi altyburçly ýa-da α-SiC diýlip atlandyrylýan 6H-SiC, 4H-sic, 15R-SiC we ş.m. mahsus bolan uly döwür gurluşynyň göwher gurluşy. 3C-SiC önümçilik enjamlarynda ýokary garşylykly artykmaçlyga eýe. Şeýle-de bolsa, Si we SiC panjara yzygiderliligi bilen ýylylyk giňelme koeffisiýentleriniň arasyndaky ýokary gabat gelmezlik, 3C-SiC epitaksial gatlagynda köp sanly kemçiliklere sebäp bolup biler. 4H-SiC MOSFET öndürmekde uly potensiala eýe, sebäbi onuň kristal ösüşi we epitaksial gatlagyň ösüş prosesi has ajaýyp we elektron hereketi taýdan 4H-SiC 3C-SiC we 6H-SiC-den ýokary bolup, 4H üçin has gowy mikrotolkun aýratynlyklaryny üpjün edýär. -SiC MOSFETler.
Düzgün bozulan bolsa, pozuň
Iş wagty: Iýul-16-2024