Habarlar
-
Näme üçin kremniý plitalary tekiz ýa-da çişikli?
Integral mikrosxemalaryň we ýarymgeçiriji enjamlaryň esasy bolan kremniý lamelleri gyzykly aýratynlyga eýe - tekizlenen gyra ýa-da gapdalynda kiçijik kesik. Bu kiçijik detal, hakykatdanam, lamelleri ulanmak we enjam öndürmek üçin möhüm maksada hyzmat edýär. Öňdebaryjy lamel öndüriji hökmünde...Köpräk okaň -
Waferiň çiplenmesi näme we ony nädip çözüp bolýar?
Waferiň gyrylmasy näme we ony nädip çözüp bolýar? Waferiň gyrylmasy ýarymgeçiriji önümçilikde möhüm proses bolup, çipleriň gutarnykly hiline we işine gönüden-göni täsir edýär. Hakyky önümçilikde, waferiň gyrylmasy, esasanam öň tarapynyň gyrylmasy we arka tarapynyň gyrylmasy, ýygy-ýygydan we çynlakaý ...Köpräk okaň -
Nagyşly we tekiz sapfir substratlary: GaN esasly LED-lerde ýagtylygyň çykarylyşynyň netijeliligine mehanizmler we täsiri
GaN esasly ýagtylyk çykarýan diodlarda (LED) epitaksial ösüş tehnikalarynda we enjam arhitekturasynda yzygiderli ösüş içki kwantum netijeliligini (IQE) nazaryýet taýdan iň ýokary derejä golaýlaşdyrdy. Bu ösüşlere garamazdan, LED-leriň umumy ýagtylyk öndürijiligi esasy bolmagynda galýar...Köpräk okaň -
Radioýaýlym ulgamlary üçin ýarym izolýasiýaly we N-tipli SiC plitalaryny düşünmek
Kremniý karbidi (SiC) häzirki zaman elektronikasynda, esasanam ýokary kuwwatly, ýokary ýygylykly we ýokary temperaturaly gurşawlar bilen baglanyşykly ulanylyşlarda möhüm material hökmünde peýda boldy. Onuň giň zolak aralygy, ýokary ýylylyk geçirijiligi we ýokary döwülme naprýaženiýesi ýaly ajaýyp häsiýetleri SiC-ni ideal...Köpräk okaň -
Ýokary hilli kremniý karbid plitalary üçin satyn alyş çykdajylaryňyzy nädip optimizirlemeli
Näme üçin kremniý karbid plitalary gymmat ýaly görünýär we näme üçin bu garaýyş doly däl? Kremniý karbid (SiC) plitalary köplenç elektrik ýarymgeçirijilerini öndürmekde gymmat materiallar hökmünde kabul edilýär. Bu düşünje düýbünden esassyz bolmasa-da, doly däl. Hakyky kynçylyk ... däl.Köpräk okaň -
Plastinany nädip "ultra inçe" edip inçeldip bolýar?
Plastinany "ultra-inçe" derejä çenli nädip inçeldip bolýar? Ultra-inçe plastina näme? Adaty galyňlyk aralyklary (mysal üçin 8″/12″ plastinalar) Standart plastina: 600–775 μm Inçe plastina: 150–200 μm Ultra-inçe plastina: 100 μm-den aşak Aşa inçe plastina: 50 μm, 30 μm ýa-da hatda 10–20 μm Näme üçin...Köpräk okaň -
SiC we GaN güýçli ýarymgeçiriji gaplamalary nähili rewolýusiýa edýär
Güýçli ýarymgeçirijiler senagaty giň zolakly (WBG) materiallaryň çalt ornaşdyrylmagy bilen baglanyşykly özgerişlikli özgerişligi başdan geçirýär. Kremniý karbidi (SiC) we galliý nitridi (GaN) bu rewolýusiýanyň öň hatarynda durýarlar, bu bolsa ýokary netijelilikli, çalt geçişli täze nesil güýç enjamlaryny döretmäge mümkinçilik berýär...Köpräk okaň -
FOUP Ýok we FOUP Doly Formasy: Ýarymgeçiriji Inženerler üçin Doly Gollanma
FOUP, häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçilikde waflileri howpsuz daşamak we saklamak üçin ulanylýan standartlaşdyrylan gap bolan Öňden Açylýan Birleşdirilen Pod diýmegi aňladýar. Waflileriň ölçegleri ulalanda we önümçilik prosesleri has duýgur bolanda, wafliler üçin arassa we gözegçilikli gurşawy saklamak...Köpräk okaň -
Kremniýden Kremniý Karbidine: Ýokary ýylylyk geçirijilikli materiallar çip gaplamasyny nähili täzeden kesgitleýär
Kremniý uzak wagtlap ýarymgeçiriji tehnologiýasynyň esasy bolup geldi. Şeýle-de bolsa, tranzistorlaryň dykyzlygy artýar we häzirki zaman prosessorlary we güýç modullary has ýokary güýç dykyzlygyny döredýär, kremniý esasly materiallar termal dolandyryşda we mehaniki durnuklylykda düýpli çäklendirmeler bilen ýüzbe-ýüz bolýar. Kremniý...Köpräk okaň -
Näme üçin ýokary arassalykly SiC plitalary täze nesil elektrik elektronikasy üçin möhümdir
1. Kremniýden Kremniý Karbidine: Güýçli Elektronikada Paradigma Üýtgeşmesi Ýarym asyrdan gowrak wagt bäri kremniý güýçli elektronikanyň esasyny düzýär. Şeýle-de bolsa, elektrik ulaglary, gaýtadan dikeldilýän energiýa ulgamlary, emeli intellekt maglumat merkezleri we aerokosmos platformalary has ýokary naprýaženiýelere, has ýokary temperaturalara tarap iterýärkä...Köpräk okaň -
4H-SiC we 6H-SiC arasyndaky tapawut: Taslamaňyz üçin haýsy substrat gerek?
Kremniý karbidi (SiC) indi diňe bir niş ýarymgeçiriji däl. Onuň ajaýyp elektrik we termal häsiýetleri ony täze nesil elektrik elektronikasy, elektrik inwertorlary, RF enjamlary we ýokary ýygylykly ulanylyşlar üçin hökmany edýär. SiC politipleriniň arasynda 4H-SiC we 6H-SiC bazarda agdyklyk edýär, ýöne...Köpräk okaň -
Ýarymgeçirijiler üçin ýokary hilli sapfir substratyny näme döredýär?
Giriş Safir substratlary häzirki zaman ýarymgeçiriji önümçilikde, esasanam optoelektronikada we giň zolakly enjam ulanylyşlarynda esasy rol oýnaýar. Alýumin oksidiniň (Al₂O₃) bir kristal görnüşi hökmünde, sapfir mehaniki berkligiň, termal durnuklylygyň özboluşly utgaşmasyny hödürleýär...Köpräk okaň